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擦写干扰测试系统、方法以及执行装置
本申请提供了擦写干扰测试系统、方法以及执行装置,其技术方案要点是：包括：主控模块、与所述主控模块连接的FPGA模块、与所述FPGA模块连接的待测芯片；所述主控模块用于发送操作指令以及接受所述FPGA模块发送的电平信号；所述FPGA模块接收所述主控模块发出的操作指令并转发给所述待测芯片,使所述待测芯片执行擦除操作或执行编程或执行读取操作,所述FPGA模块对读取操作的结果进行对比并生成电平信号传输至所述主控模块,所述主控模块根据所述电平信号判断是否有擦写干扰。本申请提供的擦写干扰测试系统、方法以及执行装置具有测试效率高的优点。
一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括：在对芯片中选中的存在过擦除问题的存储单元进行读取或校验数据操作时,对选中的存储单元的Bulk端施加负压和/或对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压和/或对选中的存储单元的源端施加正压；该方法提供了“对选中的存储单元的Bulk端施加负压、对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压、对选中的存储单元的源端施加正压”共三种基础处理方式抑制过擦除存储单元在数据读取校验时漏电行为,进而使得擦除存储单元可在不修复的情况下进行正常使用,且三种基础处理方式可独立或任意搭配使用,具有多样性特点。
一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质,其中,获取方法包括以下步骤：对芯片进行预定次数的预编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复的周期循环操作；在周期循环操作期间,持续读取芯片中每个扇区中当前使能信号；根据读取的使能信号,记录当每个扇区中每种使能信号的持续时间,直至周期循环操作结束；该获取方法通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况,以获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时,可作为芯片设计、调试的重要依据,利于芯片开发制造。
一种闪存擦除方法、扇区选择电路、装置和电子设备
本发明公开了一种闪存擦除方法、扇区选择电路、装置和电子设备,本发明的擦除方法在整个块擦除后,依次对扇区进行擦除校验,将通过了擦除校验的sector不再被sector DEC选中,将没有通过擦除校验的sector由sector DEC继续选中,并使不被选中的sector压差小于擦除电压,不能被擦除,使被选中的sector的压差大于擦除电压,再次被擦除。该擦写方法避免了传统方式因为擦除速度不一致(特别是有无反复擦写)带来的过擦除的后果,大大减少了所需的过擦除检测和修复动作,大大提高了block擦除的性能和效率。
非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质
本发明提供了一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质,通过在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时,验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；若否,则对所述选定的存储区域执行擦除处理；若是,则结束本次针对所述选定的存储区域的操作；从而可大大减少测试的时间,提高测试效率,并减少对芯片的擦除操作次数,降低对芯片的使用寿命的影响。
一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法：在对NOR FLASH进行擦除操作时,错开对芯片中存储单元进行擦除操作的正高压和负高压的建立时间点和/或释放时间点；该方法包含了两个阶段的操作以降低擦除操作的损伤,两个阶段的操作单独使用或同时使用,均可有效地避免正高压与负高压之间产生过大的压差而损伤MOS器件,从而可有效降低NOR FLASH擦除过程中器件产生的损伤。
非易失性存储器编程方法、装置、电子设备及存储介质
本申请提供了一种非易失性存储器编程方法、装置、电子设备及存储介质,其技术方案要点是：包括：获取位于暂存区内的编程数据是否达到设定值的判断结果；根据所述判断结果决定是否进入编程状态。本申请提供的一种非易失性存储器编程方法、装置、电子设备及存储介质具有编程速度快的优点。
编程方法、存储电路结构、装置、电子设备及存储介质
本申请提供了一种编程方法、装置、电子设备及存储介质,其技术方案要点是：编程电路与编程校验电路各自使用独立的数据线,该方法的步骤包括：获取用户发送的多区块编程指令；根据所述多区块编程指令控制对应的两个区块执行编程操作或编程校验操作,使两个所述区块之间的编程操作与编程校验操作交替同步执行,两个所述区块为区块0和区块1；根据编程校验结果选择执行编程操作直至所有区块通过编程校验。本申请提供的一种提高多区块编程效率的方法、装置、电子设备及存储介质具有编程效率高的优点。
非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质
本发明提供了一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质,通过对选定的存储单元进行擦除操作；对所述选定的存储单元进行擦除验证,并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压,对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压；从而有利于使未选中的存储单元完全关断,因而不会产生额外的漏极电流,进而降低把未擦除成功的存储单元读成擦除成功的存储单元的概率。
加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备
本申请提供了一种加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备,其技术方案要点是：包括：获取对上一编程地址的编程过程中成功进行编程所需要的编程次数A；根据所述编程次数A,在对本次编程地址的编程过程中的第A次编程时进行编程校验,并将本次编程地址的编程过程中成功编程所需要的编程次数更新为A。本申请提供的一种加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备及存储介质具有减少传统编程流程中冗余的编程校验次数、提高编程效率的优点。

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