本发明公开一种非易失性存储单元的参考电流确定方法、装置及存储介质,其中,参考电流确定方法包括:接收测试机发送的测试参考电流指令,测试参考电流指令包括最小挡位数;生成若干挡互不相同的参考电流值;遍历参考电流值对存储芯片执行读操作,并分别对存储芯片进行读操作校验,记录能够通过校验的参考电流值的挡位数量、最大参考电流值和最小参考电流值;当挡位数量大于或等于最小电流挡位数,根据最大参考电流值和最小参考电流值确定应用于存储芯片的最佳参考电流值。应用本发明的方法,可以使得生产工艺不同的存储芯片能够根据自身内部实际情况设置参考电流值,从而弥补了生产工艺波动等因素带来的性能差异,提高芯片的可靠性。