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非易失性存储单元的参考电流确定方法、装置及存储介质
本发明公开一种非易失性存储单元的参考电流确定方法、装置及存储介质,其中,参考电流确定方法包括:接收测试机发送的测试参考电流指令,测试参考电流指令包括最小挡位数;生成若干挡互不相同的参考电流值;遍历参考电流值对存储芯片执行读操作,并分别对存储芯片进行读操作校验,记录能够通过校验的参考电流值的挡位数量、最大参考电流值和最小参考电流值;当挡位数量大于或等于最小电流挡位数,根据最大参考电流值和最小参考电流值确定应用于存储芯片的最佳参考电流值。应用本发明的方法,可以使得生产工艺不同的存储芯片能够根据自身内部实际情况设置参考电流值,从而弥补了生产工艺波动等因素带来的性能差异,提高芯片的可靠性。
存储单元门限电压读取方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种存储单元门限电压读取方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括以下步骤:对芯片全片编程写入棋盘格数据;调节芯片内部参考电压,并记录在所述芯片内部参考电压调节过程中出现数据变化信息的存储单元的个数及对应存储单元的地址;根据参考电压的数值和在对应参考电压下出现数据变化信息的存储单元的个数绘制门限电压分布图;本申请实施例提供的一种存储单元门限电压读取方法,可直观、精确地反映出芯片中存储单元中门限电压的分布情况,实现可视化地表现出芯片的数据保持能力。
用于芯片的电压切换方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种用于芯片的电压切换方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括步骤:S1、设定若干基准电压;S2、串入预设数量的分压电阻和比较器;S3、输入并依次切换对应于基准电压的输出电压,使比较器的分压与基准电压相等,遍历基准电压后记录该步骤中最大的输出电压为跳步电压;S4、增加串入的分压电阻的数量;S5、忽略当前串入分压电阻下对应于输出电压小于跳步电压的基准电压;S6、重复步骤S3-S5,直至获得需求的输出电压。该方法通过记录跳步电压限定接入的基准电压范围,避免了无效电压的产生,在芯片的读取/写入/擦除操作实际应用过程中,可有效减少相应操作处理时间,从而提高芯片处理效率。
调整读操作电压值的方法、装置、电子设备及存储介质
本申请提供了一种调整读操作电压值的方法、装置、电子设备及存储介质,其技术方案要点是:包括:获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果;对所述读取结果进行异或处理得到0或1的处理结果;根据所述0或1的处理结果调整电压值重复读取所述不等同数据得到随电压变化的01图像,将所述01图像中1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值。本申请提供的一种调整读操作电压值的方法、装置、电子设备及存储介质具有能够准确找到读取电压值的优点。

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