调整读操作电压值的方法、装置、电子设备及存储介质
技术领域
本申请涉及半导体存储
技术领域
,具体而言,涉及一种调整读操作电压值的方法、装置、电子设备及存储介质。背景技术
在NOR FLASH的上电过程中,需要调节读操作施加在存储单元上的电压值来读取芯片内部预先设置的配置信息,从而保证芯片初始化成功。但由于每个存储单元的特性不同,在出厂预设置存储单元的状态后,芯片内部存储单元的电压值呈现正态分布值。目前的做法是通过在array中预先设置好的一组具有不同初始电压值的存储单元,用于调整读操作施加在存储单元上的电压值。
在上电时,先用默认的电压值对该组存储单元进行读操作,然后判断读到的数据是否正确以及其中读到1的个数,再对电压值进行相应的增大或减小。
但该方法存在一定的缺陷,如图4所示,并不能准确的找到位于区间2内读取电压值,且调整后的电压值仍然有可能落在区间1上的擦除电压值或区间3上的编程电压值的范围内,会造成后续读配置信息值错误。
发明内容
本申请实施例的目的在于提供一种调整读操作电压值的方法、装置、电子设备及存储介质,具有能够准确找到读取电压值的优点。
第一方面,本申请实施例提供了一种调整读操作电压值的方法,技术方案如下:
包括:
获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果;
对所述读取结果进行异或处理得到0或1的处理结果;
根据所述0或1的处理结果调整电压值重复读取所述不等同数据得到随电压变化的01图像,将所述01图像中1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值。
进一步地,在本申请实施例中,所述获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果的步骤包括:
所述不等同数据为一组取反数据。
进一步地,在本申请实施例中,所述根据所述0或1的处理结果调整电压值得到随电压变化的01图像的步骤包括:
以一个初始低电压值去读取所述存储单元内的数据以确保异或结果为0;
增大电压值得到异或结果为1;
增大电压值得到异或结果为0。
进一步地,在本申请实施例中,所述增大电压值得到异或结果为1的步骤包括:
根据预设置的最小档位电压值对所述初始低电压值进行调整从而得到异或结果为1。
进一步地,在本申请实施例中,所述增大电压值得到异或结果为0的步骤包括:
根据预设置的最小档位电压值对所述异或结果为1时的电压值进行调整从而得到异或结果为0。
进一步地,在本申请实施例中,所述将所述01图像中1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值的步骤包括:
将所述01图像中1所处位置的中间值对应的电压值作为读取配置信息的电压值。
进一步地,在本申请实施例中,所述根据所述0或1的处理结果调整电压值得到随电压变化的01图像的步骤包括:
以一个初始电压值对所述不等同数据进行读取得到的异或结果为1时,增大和减小所述初始电压值得到异或结果为1的电压值范围。
第二方面,本申请还提供一种调整读操作电压值的装置,技术方案如下,包括:
第一获取模块,用于获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果;
第一处理模块,用于对所述读取结果进行异或处理得到0或1的处理结果;
第二处理模块,用于根据所述0或1的处理结果调整电压值重复读取所述不等同数据得到随电压变化的01图像,将所述01图像中1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值。
第三方面,本申请还提供一种电子设备,技术方案如下,包括处理器以及存储器,所述存储器存储有计算机可读取指令,当所述计算机可读取指令由所述处理器执行时,运行如上所述方法中的步骤。
第四方面,本申请还提供一种存储介质,其上存储有计算机程序,所述计算机程序被处理器执行时,运行如上所述方法中的步骤。
由上可知,本申请实施例提供的一种调整读操作电压值的方法、装置、电子设备及存储介质,通过获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果;对所述读取结果进行异或处理得到0或1的处理结果;根据所述0或1的处理结果调整电压值重复读取所述不等同数据得到随电压变化的01图像,将所述01图像中1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值,具有能够准确找到读取电压值的有益效果。
本申请的其他特征和优点将在随后的说明书阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本申请实施例了解。本申请的目的和其他优点可通过在所写的说明书、权利要求书、以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种调整读操作电压值的方法流程图。
图2为本申请实施例提供的一种调整读操作电压值的装置结构示意图。
图3为本申请实施例提供的电子设备结构示意图。
图4为存储单元内的电压分布示意图。
图5为随电压变化的01图像。
图中:210、第一获取模块;220、第一处理模块;230、第二处理模块;300、电子设备;310、处理器;320、存储器。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时,在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
请参照图1至图5,一种调整读操作电压值的方法,技术方案具体包括:
S110、获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果;
S120、对读取结果进行异或处理得到0或1的处理结果;
S130、根据0或1的处理结果调整电压值重复读取不等同数据得到随电压变化的01图像,将01图像中1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值。
通过上述技术方案,获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果,将不等同的读取结果进行异或处理,通过异或处理可以将不等同的读取结果标记为1,如果读取不等同的数据得到的结果是等同的,通过异或处理得到的结果则标记为0,在正常的读取中,由于存储单元中的数据不等同,因此以正常的读取电压进行读取时,读取的结果也是不等同的,对不等同的读取结果进行异或处理所得到的结果为1,因此,异或结果为1时所对应的读取电压为正常的读取电压,当异或结果为0时,则表明读取不等同的数据得到了等同的读取结果,这时则说明读取电压不正常,此时的读取电压有可能是擦除电压或编程电压,这都会导致读取结果相同,在经过异或处理后得到的结果就会变成0,因此在随电压变化的01图像中,0所处的范围表示的是非正常读取电压范围,1所处的范围表示的是正常的读取电压范围,因此可以将1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值,与现有手段相比,本方案所采取的技术手段获得的结果更加准确。
进一步地,在其中一些实施例中,获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果的步骤包括:
不等同数据为一组取反数据。
通过上述技术方案,通过对数据取反可以直接得到一组不等同的数据,例如,在一些具体实施方式中,该组取反数据为FF和00,将FF和00写入存储单元中,用于后续对读取电压进行调整。
进一步地,在其中一些实施例中,根据0或1的处理结果调整电压值得到随电压变化的01图像的步骤包括:
以一个初始低电压值去读取存储单元内的数据以确保异或结果为0;
增大电压值得到异或结果为1;
增大电压值得到异或结果为0。
通过上述技术方案,用一个初始的低电压去读取存储单元内的数据,是为了让该初始的低电压落入在擦除电压的范围内,使初始的异或结果为0,然后通过逐渐增大电压值,得到异或结果为1,然后再继续增大电压得到异或结果为0,这样就能够获得异或结果为1的范围,异或结果为1的范围所对应的电压值范围则为正常的读取电压的范围。
例如,在一些具体实施方式中,以初始a电压进行读取,得到异或结果为0,然后逐渐增大电压值,当增大到为b电压时,得到异或结果为1,继续增大电压值,当增大到为c电压时,得到异或结果为0,则,电压值为bc的范围为正常的读取电压,可以将bc电压范围内的电压作为读取配置信息的电压值。
进一步地,在其中一些实施例中,增大电压值得到异或结果为1的步骤包括:
根据预设置的最小档位电压值对初始低电压值进行调整从而得到异或结果为1。
通过上述技术方案,预设置一个最小档位电压值,在对初始低电压值进行调整时,每次调整的幅度为该最小档位电压值,这样可以获得更加精准的结果,其中,最小档位电压值的数值越小,结果越准确。
例如,在一些具体实施方式中,1v到2v的异或结果为0,2v到3v的异或结果为1,3v到4v的异或结果为0,当最小档位电压值为0.5v时,在某一次读取的电压值为1.8v,此时的异或结果为0,经过调整后的电压为2.3v,此时的异或结果为1,继续进行调整,电压值为2.8v、3.3v,在3.3v时,异或结果为0,那么就会判断2.3v到2.8v的范围为正常的读取电压,当最小档位电压值为0.1v时,同理可判断2v到3v的范围为正常的读取电压,因此在进行电压值的调整时,通过预设值最小档位的电压值可以使判断结果更加准确
进一步地,在其中一些实施例中,增大电压值得到异或结果为0的步骤包括:
根据预设置的最小档位电压值对异或结果为1时的电压值进行调整从而得到异或结果为0。
通过上述技术方案,与上述同理,通过预设置一个最小档位电压值,在对初始低电压值进行调整时,每次调整的幅度为该最小档位电压值,这样可以获得更加精准的结果,其中,最小档位电压值的数值越小,结果越准确。
进一步地,在其中一些实施例中,将所述01图像中1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值的步骤包括:
将01图像中1所处位置的中间值对应的电压值作为读取配置信息的电压值。
通过上述技术方案,将异或结果为1所处位置的中间值对应的电压值作为读取配置信息的电压值,可以避免数据波动带来的误差,确保后续读配置信息值的正确性,其中,得到异或结果1的范围越准确,其中间值越靠近真实的中间值,就越适合用来作为后续读配置信息时施加在存储单元上的电压值。
进一步地,在其中一些实施例中,根据0或1的处理结果调整电压值得到随电压变化的01图像的步骤包括:
以一个初始电压值对不等同数据进行读取得到的异或结果为1时,增大和减小初始电压值得到异或结果为1的电压值范围。
通过上述技术方案,由于初始的读取电压有可能直接落入在正常的读取电压范围内,但是该初始电压有可能靠近擦除电压或编程电压,可能带来不稳定的后果,因此当初始的异或结果为1时,需要增大和减小初始电压值来获得异或结果为1的准确范围,以确定最适合作为后续读配置信息时施加在存储单元上的电压值。
具体的,在一些具体实施方式中,预先在存储单元内设置一组数据,该组数据为FF和00,在进行读操作时,使用一个初始低电压进行读取,例如使用0.5v的电压进行读取,当0.5v落入在擦除电压的区间时,因此读取FF和00的数据结果是一样的,经过异或处理则会标记为0,然后根据预设置的最小档位电压值进行调整,例如最小档位电压值为0.1v,则调整电压值为0.6v、0.7v......当电压值为1v时,落入到了正常的读取电压范围内,则读取的数据为正常的FF和00,由于读取的结果不一致,因此异或的结果标记为1,然后继续根据最小档位电压值进行调整,例如1.1v、1.2v......当电压值为1.5v时,落入到了编程电压的范围内,因此读取FF和00的数据结果是一样的,经过异或处理则会标记为0,因此就可以得出01图像,且01图像上1所处位置对应的电压值为1v-1.5v,则1v-1.5v为正常的读取电压,然后取1v-1.5v的中间值,即1.25v作为读取配置信息的电压值。
以上涉及的数据是为了举例进行说明,不代表真实的参数取值。
第二方面,本申请还提供一种调整读操作电压值的方法,技术方案如下,包括:
第一获取模块210,用于获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果;
第一处理模块220,用于对读取结果进行异或处理得到0或1的处理结果;
第二处理模块230,用于根据0或1的处理结果调整电压值重复读取不等同数据得到随电压变化的01图像,将01图像中1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值。
通过上述技术方案,第一获取模块210用来获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果,然后第一处理模块220将读取结果进行异或处理,通过异或处理可以将不等同的读取结果标记为1,如果读取不等同的数据得到的结果是等同的,通过异或处理得到的结果则标记为0,在正常的读取中,由于存储单元中的数据不等同,因此以正常的读取电压进行读取时,读取的结果也是不等同的,对不等同的读取结果进行异或处理所得到的结果为1,因此,异或结果为1时所对应的读取电压为正常的读取电压,当异或结果为0时,则表明读取不等同的数据得到了等同的读取结果,这时则说明读取电压不正常,此时的读取电压有可能是擦除电压或编程电压,在经过异或处理后得到的结果就会变成0,因此在随电压变化的01图像中,0所处的范围表示的是非正常读取电压范围,1所处的范围表示的是正常的读取电压范围,因此可以将1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值,与现有手段相比,本方案所采取的技术手段获得的结果更加准确。
第三方面,本申请还提供一种电子设备300,技术方案如下,包括处理器310以及存储器320,存储器320存储有计算机可读取指令,当计算机可读取指令由处理器310执行时,运行上述方法中的步骤。
通过上述技术方案,处理器310和存储器320通过通信总线和/或其他形式的连接机构(未标出)互连并相互通讯,存储器320存储有处理器310可执行的计算机程序,当计算设备运行时,处理器310执行该计算机程序,以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法,以实现以下功能:获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果;对读取结果进行异或处理得到0或1的处理结果;根据0或1的处理结果调整电压值重复读取不等同数据得到随电压变化的01图像,将01图像中1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值。
第四方面,本申请还提供一种存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时,运行上述方法中的步骤。
通过上述技术方案,计算机程序被处理器执行时,执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法,以实现以下功能:获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果;对读取结果进行异或处理得到0或1的处理结果;根据0或1的处理结果调整电压值重复读取不等同数据得到随电压变化的01图像,将01图像中1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值。
其中,存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现,如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory, 简称SRAM),电可擦除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM),可擦除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory, 简称EPROM),可编程只读存储器(Programmable Red-Only Memory, 简称PROM),只读存储器(Read-OnlyMemory, 简称ROM),磁存储器,快闪存储器,磁盘或光盘。
在本申请所提供的实施例中,应该理解到,所揭露装置和方法,可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,例如,所述单元的划分,仅仅为一种逻辑功能划分,实际实现时可以有另外的划分方式,又例如,多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统,或一些特征可以忽略,或不执行。另一点,所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口,装置或单元的间接耦合或通信连接,可以是电性,机械或其它的形式。
另外,作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
再者,在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分,也可以是各个模块单独存在,也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
以上所述仅为本申请的实施例而已,并不用于限制本申请的保护范围,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。