具体实施方式

下面详细描述本发明的实施方式，所述实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

下文的公开提供的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术佩戴人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

请参阅图1，本申请实施例提供的一种非易失性存储器擦除方法，包括步骤：

A1.在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；

A2.若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；

A3.若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作。

该非易失性存储器擦除方法，在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，先验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”，若全为“1”，表示该选定的存储区域的所有存储单元已经全为擦除单元，因此无需再进行擦除，此时，直接结束本次针对所述选定的存储区域的操作，从而大大减少了测试的时间，提高了测试效率，并减少对芯片的擦除操作次数，降低对芯片的使用寿命的影响。

在一些实施方式中，步骤A1中的擦除指令包含选定的存储区域的识别信息，该识别信息可以是选定的存储区域的位置信息或标号信息，但不限于此。从而，步骤A1中根据该识别信息验证对应的存储区域中的数据是否全为“1”。

在本实施例中，参考图2，步骤A2包括：

A201.对所述选定的存储区域执行预编程操作，以把所述选定的存储区域的所有存储单元转化为编程单元；

A202.对所述选定的存储区域执行擦除操作，以擦除所有存储单元；

A203.对所述选定的存储区域执行擦除验证操作，以验证各存储单元是否擦除成功；

A204.对所述选定的存储区域执行软编程操作，以对过擦除的存储单元进行软编程来提高其阈值电压。

其中，步骤A201中把所述选定的存储区域的所有存储单元转化为编程单元的过程为：包括读操作、编程操作和验证操作，具体地，首先对选定的存储区域进行读操作,判断是否需要进行编程，若否，则跳出当前循环并跳转至下一步（即跳转至步骤A202），若是，则对需要编程的单元进行编程操作后跳至验证操作步骤，在验证操作步骤中验证当前是否编程成功,如否,则继续编程,直至编程成功或编程次数达到预设次数阈值。

其中，步骤A202中，通过对选定的存储区域的存储单元施加擦除脉冲进行擦除；在施加擦除脉冲时，可对所有存储单元同时施加擦除脉冲，也可逐个地对各存储单元施加擦除脉冲，或者把存储单元分为多组，并逐组地对各组存储单元加擦除脉冲，同一组的存储单元同时施加擦除脉冲；此处不对此进行限定。

例如，在一些实施方式中，按照各存储单元所需的擦除电压所处的电压范围把选定的存储单元分为多组，同一组存储单元所需的擦除电压在同一电压范围内，从而逐组地对各组存储单元加擦除脉冲，同一组的存储单元同时施加擦除脉冲，且施加的擦除脉冲的电压为该组存储单元的特征电压（可以是该组存储单元中各存储单元所需的擦除电压的最大值、最小值或平均值，也可以是该组存储单元中各存储单元所需的擦除电压所述的电压范围的最大值、最小值或中间值）。从而针对各组存储单元施加所需的电压，提高了一次擦除即擦除成功的概率，进而可降低擦除操作的次数，提高擦除效率。

其中，步骤A203中对所述选定的存储区域执行擦除验证操作的过程为：对当前需要擦除的区域进行读操作,判断阈值电压是否达到设定值,将未擦除成功的存储单元进行标记,下次继续擦除。

其中，步骤A204中对所述选定的存储区域执行软编程操作的过程为：包括读操作、编程操作和验证操作，具体地，首先对选定的存储区域进行读操作,判断是否需要进行编程，若否，则跳出当前循环并跳转至下一步，若是，则对需要编程的单元进行编程操作后跳至验证操作步骤，在验证操作步骤中验证当前是否编程成功,如否,则继续编程,直至编程成功或编程次数达到预设次数阈值。

优选地，步骤A204之后，还包括：

A205.对所述选定的存储区域执行刷新编程操作，以对受到本次擦除操作影响的存储单元进行再次编程来保证其阈值电压足够高。

其中，步骤A205中对所述选定的存储区域执行刷新编程操作的过程为：包括读操作、编程操作和验证操作，具体地，首先对选定的存储区域进行读操作,判断是否需要进行编程，若否，则跳出当前循环并跳转至下一步，若是，则对需要编程的单元进行编程操作后跳至验证操作步骤，在验证操作步骤中验证当前是否编程成功,如否,则继续编程,直至编程成功或编程次数达到预设次数阈值。

通常地，一次擦除操作难以使所有存储单元均擦除成功，因此，若步骤A203中验证了擦除不成功，则返回步骤A202再次进行擦除操作，直到擦除成功或擦除操作的次数达到预设的次数阈值。

其中，若所有存储单元均成为擦除单元，则表示擦除操作成功。此处，为了避免擦除时间过长，当在本次擦除处理过程中执行的擦除操作次数达到预设的次数阈值，不再执行下一次擦除操作，此时可判定擦除操作失败，从而结束本次擦除处理，并可发出对应的报警信号。

由上可知，该非易失性存储器擦除方法，通过在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作；其中，若选定的存储区域中的数据全为“1”，表示该选定的存储区域的所有存储单元已经全为擦除单元，因此无需再进行擦除，此时，直接结束本次针对所述选定的存储区域的操作，从而大大减少了测试的时间，提高了测试效率，并减少对芯片的擦除操作次数，降低对芯片的使用寿命的影响。

请参阅图3，本申请实施例提供一种非易失性存储器擦除装置，包括：

验证模块1，用于在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；

第一执行模块2，用于在所述选定的存储区域中的数据不是全为“1”的时候，对所述选定的存储区域执行擦除处理；

第二执行模块3，用于在所述选定的存储区域中的数据是全为“1”的时候，结束本次针对所述选定的存储区域的操作。

在一些实施方式中，所述擦除指令包含选定的存储区域的识别信息，该识别信息可以是选定的存储区域的位置信息或标号信息，但不限于此。从而，验证模块1根据该识别信息验证对应的存储区域中的数据是否全为“1”。

在本实施例中，第一执行模块2在对所述选定的存储区域执行擦除处理的时候：

对所述选定的存储区域执行预编程操作，以把所述选定的存储区域的所有存储单元转化为编程单元；

对所述选定的存储区域执行擦除操作，以擦除所有存储单元；

对所述选定的存储区域执行擦除验证操作，以验证各存储单元是否擦除成功；

对所述选定的存储区域执行软编程操作，以对过擦除的存储单元进行软编程来提高其阈值电压。

其中，第一执行模块2把所述选定的存储区域的所有存储单元转化为编程单元的过程为：包括读操作、编程操作和验证操作，具体地，首先对选定的存储区域进行读操作,判断是否需要进行编程，若否，则跳出当前循环并跳转至下一步，若是，则对需要编程的单元进行编程操作后跳至验证操作步骤，在验证操作步骤中验证当前是否编程成功,如否,则继续编程,直至编程成功或编程次数达到预设次数阈值。

其中，第一执行模块2通过对选定的存储区域的存储单元施加擦除脉冲进行擦除；在施加擦除脉冲时，可对所有存储单元同时施加擦除脉冲，也可逐个地对各存储单元施加擦除脉冲，或者把存储单元分为多组，并逐组地对各组存储单元加擦除脉冲，同一组的存储单元同时施加擦除脉冲；此处不对此进行限定。

例如，在一些实施方式中，按照各存储单元所需的擦除电压所处的电压范围把选定的存储单元分为多组，同一组存储单元所需的擦除电压在同一电压范围内，从而逐组地对各组存储单元加擦除脉冲，同一组的存储单元同时施加擦除脉冲，且施加的擦除脉冲的电压为该组存储单元的特征电压（可以是该组存储单元中各存储单元所需的擦除电压的最大值、最小值或平均值，也可以是该组存储单元中各存储单元所需的擦除电压所述的电压范围的最大值、最小值或中间值）。从而针对各组存储单元施加所需的电压，提高了一次擦除即擦除成功的概率，进而可降低擦除操作的次数，提高擦除效率。

其中，第一执行模块2对所述选定的存储区域执行擦除验证操作的过程为：对当前需要擦除的区域进行读操作,判断阈值电压是否达到设定值,将未擦除成功的存储单元进行标记,下次继续擦除。

其中，第一执行模块2对所述选定的存储区域执行软编程操作的过程为：包括读操作、编程操作和验证操作，具体地，首先对选定的存储区域进行读操作,判断是否需要进行编程，若否，则跳出当前循环并跳转至下一步，若是，则对需要编程的单元进行编程操作后跳至验证操作步骤，在验证操作步骤中验证当前是否编程成功,如否,则继续编程,直至编程成功或编程次数达到预设次数阈值。

优选地，第一执行模块2在对所述选定的存储区域执行软编程操作之后，还：

对所述选定的存储区域执行刷新编程操作，以对受到本次擦除操作影响的存储单元进行再次编程来保证其阈值电压足够高。

其中，第一执行模块2对所述选定的存储区域执行刷新编程操作的过程为：包括读操作、编程操作和验证操作，具体地，首先对选定的存储区域进行读操作,判断是否需要进行编程，若否，则跳出当前循环并跳转至下一步，若是，则对需要编程的单元进行编程操作后跳至验证操作步骤，在验证操作步骤中验证当前是否编程成功,如否,则继续编程,直至编程成功或编程次数达到预设次数阈值。

通常地，一次擦除操作难以使所有存储单元均擦除成功，因此，第一执行模块2在对所述选定的存储区域执行擦除处理的时候，若擦除验证操作验证了擦除不成功，则再次进行擦除操作，直到擦除成功或擦除操作的次数达到预设的次数阈值。

其中，若所有存储单元均成为擦除单元，则表示擦除操作成功。此处，为了避免擦除时间过长，当在本次擦除处理过程中执行的擦除操作次数达到预设的次数阈值，不再执行下一次擦除操作，此时可判定擦除操作失败，从而结束本次擦除处理，并可发出对应的报警信号。

由上可知，该非易失性存储器擦除装置，通过在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作；其中，若选定的存储区域中的数据全为“1”，表示该选定的存储区域的所有存储单元已经全为擦除单元，因此无需再进行擦除，此时，直接结束本次针对所述选定的存储区域的操作，从而大大减少了测试的时间，提高了测试效率，并减少对芯片的擦除操作次数，降低对芯片的使用寿命的影响。

请参阅图4，本申请实施例还提供一种电子设备100，包括处理器101和存储器102，存储器102中存储有计算机程序，处理器101通过调用存储器102中存储的计算机程序，用于执行如上述的非易失性存储器擦除方法的步骤。

其中，处理器101与存储器102电性连接。处理器101是电子设备100的控制中心，利用各种接口和线路连接整个电子设备的各个部分，通过运行或调用存储在存储器102内的计算机程序，以及调用存储在存储器102内的数据，执行电子设备的各种功能和处理数据，从而对电子设备进行整体监控。

存储器102可用于存储计算机程序和数据。存储器102存储的计算机程序中包含有可在处理器中执行的指令。计算机程序可以组成各种功能模块。处理器101通过调用存储在存储器102的计算机程序，从而执行各种功能应用以及数据处理。

在本实施例中，电子设备100中的处理器101会按照如下的步骤，将一个或一个以上的计算机程序的进程对应的指令加载到存储器102中，并由处理器101来运行存储在存储器102中的计算机程序，从而实现各种功能：在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作。

由上可知，该电子设备，通过在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作；其中，若选定的存储区域中的数据全为“1”，表示该选定的存储区域的所有存储单元已经全为擦除单元，因此无需再进行擦除，此时，直接结束本次针对所述选定的存储区域的操作，从而大大减少了测试的时间，提高了测试效率，并减少对芯片的擦除操作次数，降低对芯片的使用寿命的影响。

本申请实施例还提供一种存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时运行如上述的非易失性存储器擦除方法的步骤，以实现以下功能：在接收到针对选定的存储区域的擦除指令时，验证所述选定的存储区域中的数据是否全为“1”；若否，则对所述选定的存储区域执行擦除处理；若是，则结束本次针对所述选定的存储区域的操作。

其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-OnlyMemory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术佩戴人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，其方案与本发明实质上相同。