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一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种擦除时间的获取方法、装置、电子设备及存储介质,其中,获取方法包括以下步骤:对芯片进行预定次数的预编程-检查-擦除-过擦除修复-数据修复的周期循环操作;在周期循环操作期间,持续读取芯片中每个扇区中当前使能信号;根据读取的使能信号,记录当每个扇区中每种使能信号的持续时间,直至周期循环操作结束;该获取方法通过读取芯片中每个扇区在周期循环操作中的使能信号持续情况,以获取每个扇区对应周期循环操作中每个阶段的用时,可作为芯片设计、调试的重要依据,利于芯片开发制造。
一种闪存擦除方法、扇区选择电路、装置和电子设备
本发明公开了一种闪存擦除方法、扇区选择电路、装置和电子设备,本发明的擦除方法在整个块擦除后,依次对扇区进行擦除校验,将通过了擦除校验的sector不再被sector DEC选中,将没有通过擦除校验的sector由sector DEC继续选中,并使不被选中的sector压差小于擦除电压,不能被擦除,使被选中的sector的压差大于擦除电压,再次被擦除。该擦写方法避免了传统方式因为擦除速度不一致(特别是有无反复擦写)带来的过擦除的后果,大大减少了所需的过擦除检测和修复动作,大大提高了block擦除的性能和效率。
一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种低擦除损伤的擦除方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法:在对NOR FLASH进行擦除操作时,错开对芯片中存储单元进行擦除操作的正高压和负高压的建立时间点和/或释放时间点;该方法包含了两个阶段的操作以降低擦除操作的损伤,两个阶段的操作单独使用或同时使用,均可有效地避免正高压与负高压之间产生过大的压差而损伤MOS器件,从而可有效降低NOR FLASH擦除过程中器件产生的损伤。

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