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一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种抑制闪存过擦除的方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括:在对芯片中选中的存在过擦除问题的存储单元进行读取或校验数据操作时,对选中的存储单元的Bulk端施加负压和/或对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压和/或对选中的存储单元的源端施加正压;该方法提供了“对选中的存储单元的Bulk端施加负压、对同一位线上未选中的存储单元的字线端施加负压、对选中的存储单元的源端施加正压”共三种基础处理方式抑制过擦除存储单元在数据读取校验时漏电行为,进而使得擦除存储单元可在不修复的情况下进行正常使用,且三种基础处理方式可独立或任意搭配使用,具有多样性特点。
非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质
本发明提供了一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质,通过对选定的存储单元进行擦除操作;对所述选定的存储单元进行擦除验证,并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压,对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压;从而有利于使未选中的存储单元完全关断,因而不会产生额外的漏极电流,进而降低把未擦除成功的存储单元读成擦除成功的存储单元的概率。
一种存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质
本申请提供了一种存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质,其技术方案要点是:获取在执行擦除操作以及弱编程操作过程中的电压信息;根据所述电压信息来决定状态机是否跳转至弱编程状态;所述状态机的工作状态至少包括空闲状态、跳转至弱编程状态、跳转至结束状态。本申请提供的一种存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质具有减少过擦除造成后续读操作出现读取错误的优点。
参考单元替换方法、装置及存储介质
本发明公开一种参考单元替换方法、装置及存储介质,其中,参考单元替换方法包括接收擦除操作指令;测量参考单元的输出电流,当所述参考单元的输出电流与所述参考单元的设计电流不同,对所述参考单元执行替换操作;根据所述擦除操作指令执行擦除操作。本发明实施例中,当接收到擦除操作指令,存储芯片执行擦除操作之前,对参考单元的进行检测,并对出现问题的参考单元进行替换,可以有效解决参考单元随着存储芯片的使用时间增长而逐渐失效的问题,提高存储芯片的可靠性;另一方面,相对于读写操作来说,擦除操作花费的时间较长,因此选择在擦除操作前进行参考单元检测,可以避免检测过程对存储芯片的读写速度的影响。
非易失性存储器的替换方法、装置及存储介质
本发明公开一种非易失性存储器的替换方法、装置及存储介质,其中,替换方法包括:根据编程操作指令对目标区域循环进行编程-校验操作;当目标区域连续不通过编程-校验操作的次数大于第一设定值,按字线地址对目标区域执行替换操作;根据擦除操作指令对目标区域循环进行擦除-校验操作;当目标区域连续不通过擦除-校验操作的次数大于第二设定值,对目标区域中未通过擦除-校验操作的字线地址执行替换操作;上述编程-擦除操作由存储芯片内部执行并根据预设的第一设定值和第二设定值限定内部执行循环的次数,可以降低测试机与存储芯片之间进行通讯的次数,提高测试效率,降低对测试机的性能要求。
状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置
本发明提供了一种状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置,把各存储单元的栅极连接在不同的字线上,把各存储单元的漏极连接在不同的位线上,当只需要对部分存储单元进行编程或擦除时,只向需要操作的存储单元的字线施加相应的电压,不向其它存储单元的字线施加该电压,从而无需操作的存储单元不会受到额外的压力,避免由于这些额外的压力影响存储单元的电学特性。
用于芯片的电压切换方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种用于芯片的电压切换方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括步骤:S1、设定若干基准电压;S2、串入预设数量的分压电阻和比较器;S3、输入并依次切换对应于基准电压的输出电压,使比较器的分压与基准电压相等,遍历基准电压后记录该步骤中最大的输出电压为跳步电压;S4、增加串入的分压电阻的数量;S5、忽略当前串入分压电阻下对应于输出电压小于跳步电压的基准电压;S6、重复步骤S3-S5,直至获得需求的输出电压。该方法通过记录跳步电压限定接入的基准电压范围,避免了无效电压的产生,在芯片的读取/写入/擦除操作实际应用过程中,可有效减少相应操作处理时间,从而提高芯片处理效率。

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