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编程方法、存储电路结构、装置、电子设备及存储介质
本申请提供了一种编程方法、装置、电子设备及存储介质,其技术方案要点是：编程电路与编程校验电路各自使用独立的数据线,该方法的步骤包括：获取用户发送的多区块编程指令；根据所述多区块编程指令控制对应的两个区块执行编程操作或编程校验操作,使两个所述区块之间的编程操作与编程校验操作交替同步执行,两个所述区块为区块0和区块1；根据编程校验结果选择执行编程操作直至所有区块通过编程校验。本申请提供的一种提高多区块编程效率的方法、装置、电子设备及存储介质具有编程效率高的优点。
加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备
本申请提供了一种加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备,其技术方案要点是：包括：获取对上一编程地址的编程过程中成功进行编程所需要的编程次数A；根据所述编程次数A,在对本次编程地址的编程过程中的第A次编程时进行编程校验,并将本次编程地址的编程过程中成功编程所需要的编程次数更新为A。本申请提供的一种加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备及存储介质具有减少传统编程流程中冗余的编程校验次数、提高编程效率的优点。
阈值电压的获取系统、传递方法、装置、设备及存储介质
本发明公开了一种阈值电压的获取系统、传递方法、装置、设备及存储介质,其中,系统包括：控制单元,用于生成多条控制信息；FPGA单元,用于接收并寄存所述控制信息,将所述控制信息整合为控制指令,并使所述闪存写入所述控制指令而生成相应的实际数据信息；所述FPGA单元可读取所述实际数据信息,并将所述实际数据信息反馈给控制单元,所述控制单元可根据所述实际数据信息和所述目标数据信息判断所述测量电压是否为阈值电压。本申请实施例中获取系统设置FPGA单元作为中间层接收并寄存控制单元生成的控制信息,使之整合成完整的控制指令再发送写入闪存,避免获取闪存阈值电压时闪存中产生指令执行错误与漏执行的问题。
一种对多区块同时编程的方法装置、电子设备及存储介质
本申请提供了一种对多区块同时编程的方法、装置、电子设备及存储介质,其技术方案要点是：包括：根据用户发送的多区块编程指令对相应的多区块同时执行编程操作；对执行完编程操作的对应的所述多区块分别执行单独连续的编程校验操作,并根据编程校验结果选择继续执行编程操作直至所述多区块全部通过编程校验。本申请提供的一种对多区块同时编程的方法装置、电子设备及存储介质具有提高整体编程效率的优点。
一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端
本发明公开了一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端,每次读取至少一个锁存器内缓存编程数据,将芯片内与编程数据对应的地址中需要编程的数据位数与编程带宽比较,若小于编程带宽,将对芯片内对应的地址执行一次编程,而不管这些缓存数据中需要编程的地址的分布是集中还是分散,极大缩短整个编程时间,提升编程效率的效果明显；若大于编程带宽,则将编程数据按照编程带宽分成多段,根据分段逐一对芯片内对应的地址执行编程；因为芯片的编程能力只是受限于每次执行编程时实际需要编程的数据位数而不是每次执行编程时跨越的数据位数,只要每次执行编程时实际需要编程地址的位数在编程带宽内即可,既保证芯片编程正常进行,还提高编程效率。
一种降低编程功耗的方法、装置、存储介质和终端
本发明公开了一种降低编程功耗的方法、装置、存储介质和终端,读取一定长度编程数据,判断芯片内与该编程数据对应地址中需要编程的地址数量,若地址数量足够,编程模块发送一次编程脉冲,位线电荷泵在此脉冲内启动提供编程电流；若地址数量不足,则再读取一定长度编程数据,直至芯片内与读取的实际编程数据对应的地址中需要编程的地址数足够,且读取的实际编程数据长度不大于芯片最大编程长度,编程模块才会发送一次编程脉冲,位线电荷泵在此脉冲内启动提供编程电流,这样可减小位线电荷泵功耗；而且位线电荷泵分为多个驱动电流能力较小的位线电荷泵单元,根据每次需要编程的地址个数控制位线电荷泵单元启闭数量,以减少输出波纹和进一步减小能耗。
页缓冲器和具有页缓冲器的半导体存储器装置
本技术涉及一种页缓冲器和包括页缓冲器的半导体存储器装置。页缓冲器包括：第一锁存电路,其被配置为存储与第一编程状态和第二编程状态中的一个编程状态相对应的数据；位线控制器,其被连接至存储器块的位线,并且在编程验证操作中的位线预充电操作期间,通过根据存储在第一锁存电路中的数据向位线施加第一设置电压和第二设置电压中的一个设置电压,对位线进行预充电；以及第二锁存电路,通过主感测节点连接至位线控制器,并且被配置为在编程验证操作期间根据主感测节点的电位水平感测第一验证数据。
存储器设备及其操作方法
本公开的实施例涉及存储器设备及其操作方法。本文可以提供一种存储器设备及其操作方法。存储器设备可以包括：存储器单元阵列,其包括多个存储器单元,外围电路,其被配置为将多个存储器单元编程到多个编程状态,以及控制逻辑,其被配置为控制外围电路,使得与多个编程状态相对应的编程操作被执行,其中控制逻辑控制外围电路,使得在针对多个编程状态中的目标编程状态的编程操作期间,要被编程到与目标编程状态相比紧邻更高的编程状态的存储器单元被编程到目标编程状态。
状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置
本发明提供了一种状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置,把各存储单元的栅极连接在不同的字线上,把各存储单元的漏极连接在不同的位线上,当只需要对部分存储单元进行编程或擦除时,只向需要操作的存储单元的字线施加相应的电压,不向其它存储单元的字线施加该电压,从而无需操作的存储单元不会受到额外的压力,避免由于这些额外的压力影响存储单元的电学特性。
存储单元门限电压读取方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种存储单元门限电压读取方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括以下步骤：对芯片全片编程写入棋盘格数据；调节芯片内部参考电压,并记录在所述芯片内部参考电压调节过程中出现数据变化信息的存储单元的个数及对应存储单元的地址；根据参考电压的数值和在对应参考电压下出现数据变化信息的存储单元的个数绘制门限电压分布图；本申请实施例提供的一种存储单元门限电压读取方法,可直观、精确地反映出芯片中存储单元中门限电压的分布情况,实现可视化地表现出芯片的数据保持能力。

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