具体实施方式

在本说明书或申请中引入的本公开的实施例中的具体结构或功能描述仅是描述本公开的实施例的示例。本公开的各种实施例可以以各种形式来实践，并且不应被解释为限于说明书或申请中描述的实施例。

现在将在下文中参照附图更充分地描述本公开的各种实施例，使得本领域技术人员可以容易地实践本公开的技术精神。

图1是图示了根据实施例的存储器系统的示意图。

参照图1，存储器系统1000可以包括存储数据的存储器设备1100，以及在主机2000的控制下控制存储器设备1100的存储器控制器1200。

主机2000能够使用接口协议与存储器系统1000通信，诸如，外围组件高速互连(PCI-E)、高级技术附件(ATA)、串行ATA(SATA)、并行ATA(PATA)或串行附接SCSI(SAS)。另外，主机2000和存储器系统1000之间的接口协议不限于上述示例，并且可以是各种接口协议之一，诸如，通用串行总线(USB)、多媒体卡(MMC)、增强型小磁盘接口(ESDI)和集成驱动电子设备(IDE)。

存储器控制器1200可以控制存储器系统1000的整体操作，并且可以控制主机2000与存储器设备1100之间的数据交换。例如，存储器控制器1200可以通过响应于从主机2000接收到的请求控制存储器设备1100来编程或读取数据。在编程操作期间，存储器控制器1200可以将与编程操作相对应的命令CMD、地址ADD和要被编程的数据DATA传输到存储器设备1100。进一步地，在读取操作期间，存储器控制器1200可以接收从存储器设备1100读取的数据DATA，可以暂时存储数据DATA，并且可以将暂时存储的数据DATA传输到主机2000。

存储器设备1100可以在存储器控制器1200的控制下执行编程操作、读取操作或擦除操作。

在实施例中，存储器设备1100可以包括双数据速率同步动态随机存取存储器(DDRSDRAM)、低功率双数据速率第四代(LPDDR4)SDRAM、图形双数据速率(GDDR)SDRAM、低功率DDR(LPDDR)SDRAM、Rambus DRAM(RDRAM)或闪存。

在编程操作期间，根据本公开的实施例的存储器设备1100可以按顺序执行与多个编程状态相对应的编程操作。在针对目标编程状态的编程操作期间，存储器设备1100可以将要被编程到与目标编程状态相比紧邻更高的编程状态的存储器单元编程到目标编程状态，并且可以将要被编程到进一步更高的编程状态的存储器单元编程到预编程状态或预状态(pre-state)。预编程状态可以是与目标编程状态相邻并高于目标编程状态的编程状态。

图2是图示了图1的存储器设备的示意图。

参照图2，存储器设备1100可以包括存储数据的存储器单元阵列100。存储器设备1100可以包括外围电路200，该外围电路200被配置为执行用于将数据存储在存储器单元阵列100中的编程操作、用于输出所存储的数据的读取操作以及用于擦除所存储的数据的擦除操作。存储器设备1100可以包括控制逻辑300，其在存储器控制器(例如，图1的1200)的控制下控制外围电路200。

存储器单元阵列100可以包括多个存储器块MB1至MBk 110(其中k是正整数)。局部线(local line)LL和位线(bit line)BL1至BLm(其中m是正整数)可以被耦合至存储器块MB1至MBk 110中的每一个。例如，局部线LL可以包括第一选择线、第二选择线以及布置在第一和第二选择线之间的多个字线(word line)。而且，局部线LL可以包括布置在第一选择线和字线之间以及第二选择线和字线之间的虚拟线。此处，第一选择线可以是源极选择线，并且第二选择线可以是漏极选择线。例如，局部线LL可以包括字线、漏极和源极选择线以及源极线SL。例如，局部线LL可以进一步包括虚拟线。例如，局部线LL可以进一步包括管线。局部线LL可以被耦合至存储器块MB1至MBk 110中的每一个，并且位线BL1至BLm可以被共同耦合至存储器块MB1至MBk 110。存储器块MB1至MBk 110可以各自被实现在二维(2D)或三维(3D)结构中。例如，具有2D结构的存储器块110中的存储器单元可以被水平地布置在衬底上。例如，具有3D结构的存储器块110中的存储器单元可以被垂直地堆叠在衬底上。

外围电路200可以在控制逻辑300的控制下对所选的存储器块110执行编程、读取和擦除操作。例如，外围电路200可以包括电压生成电路210、行(row)译码器220、页面缓冲器组230、列(column)译码器240、输入/输出电路250、通过(pass)/失败(fail)检查电路260和源极线驱动器270。

电压生成电路210可以响应于操作信号OP_CMD而生成用于编程、读取和擦除操作的各种操作电压Vop。进一步地，电压生成电路210可以响应于操作信号OP_CMD而选择性地使局部线LL放电。例如，电压生成电路210可以在控制逻辑300的控制下生成各种电压，诸如，编程电压、验证电压和通过电压(pass voltage)。

行译码器220可以响应于行译码器控制信号AD_signals而将操作电压Vop传递到被耦合至所选存储器块110的局部线LL。例如，在编程操作期间，响应于行译码器控制信号AD_signals，行译码器220可以将由电压生成电路210生成的编程电压施加到局部线LL中的所选字线，并且可以将由电压生成电路210生成的通过电压施加到其余字线，即，未选择的字线。

页面缓冲器组230可以包括被耦合至位线BL1至BLm的多个页面缓冲器PB1至PBm231。页面缓冲器PB1至PBm 231可以响应于页面缓冲器控制信号PBSIGNALS而被操作。例如，在编程操作期间，页面缓冲器PB1至PBm 231可以暂时存储要被编程的数据，并且可以基于暂时存储的要被编程的数据来调整位线BL1至BLm的电势水平。此外，在读取或编程验证操作期间，页面缓冲器PB1至PBm 231可以感测位线BL1至BLm的电压或电流。页面缓冲器PB1至PBm 231可以在编程操作期间将对应的位线BL1至BLm控制到编程模式或编程禁止模式。由于在编程操作期间被施加到存储器单元的字线的编程电压，在编程模式下被耦合至位线的存储器单元的阈值电压增加，并且即使在编程操作期间编程电压被施加到存储器单元的字线，在编程禁止模式下被耦合至位线的存储器单元的阈值电压也不会增加。例如，页面缓冲器PB1至PBm 231可以在编程模式下将位线BL1至BLm的电势水平控制到编程许可电压(例如，接地电压)的水平，并且可以在编程禁止模式下将位线BL1至BLm的电势水平控制到编程禁止电压(例如，电源电压)。

列译码器240可以响应于列地址CADD在输入/输出电路250和页面缓冲器组230之间传递数据。例如，列译码器240可以通过数据线DL与页面缓冲器231交换数据，或者可以通过列线CL与输入/输出电路250交换数据。

输入/输出电路250可以将从存储器控制器(例如，图1的1200)接收到的命令CMD和地址ADD传输到控制逻辑300，或者可以与列译码器240交换数据DATA。输入/输出电路250可以将从控制逻辑300接收到的坏块(bad block)信息BB_info传输到外部设备(例如，图1的存储器控制器1200)。

在读取操作或编程验证操作期间，通过/失败检查电路260可以响应于使能位VRY_BIT<#>而生成参考电流，并且可以将从页面缓冲器组230接收到的感测电压VPB与通过参考电流生成的参考电压进行比较，然后输出通过信号PASS或失败信号FAIL。感测电压VPB可以是基于被确定为已经通过编程验证操作的存储器单元的数量而被控制的电压。

源极线驱动器270可以通过源极线SL被耦合至包括在存储器单元阵列100中的存储器单元，并且可以控制要被施加到源极线SL的电压。源极线驱动器270可以从控制逻辑300接收源极线控制信号CTRL_SL，并且可以响应于源极线控制信号CTRL_SL而控制要被施加到源极线SL的源极线电压。

控制逻辑300可以通过以下来控制外围电路200：响应于命令CMD和地址ADD输出操作信号OP_CMD、行译码器控制信号AD_signals、页面缓冲器控制信号PBSIGNALS和使能位VRY_BIT<#>。控制逻辑300可以控制外围电路200，使得与多个编程状态相对应的编程操作在编程操作期间按顺序被执行。而且，控制逻辑300可以控制外围电路200，使得在针对目标编程状态的编程操作期间，要被编程到与目标编程状态相比紧邻更高的编程状态的存储器单元被编程到目标编程状态。进一步地，控制逻辑300可以控制外围电路200，使得在针对目标编程状态的编程操作期间，要被编程到与紧邻更高的编程状态相比进一步更高的编程状态的存储器单元被编程到预编程状态。

图3是图示了图2的存储器块的示意图。

参照图3，在第一选择线和第二选择线之间彼此平行布置的多个字线可以被耦合至存储器块110。此处，第一选择线可以是源极选择线SSL，并且第二选择线可以是漏极选择线DSL。在实施例中，存储器块110可以包括在位线BL1至BLm与源极线SL之间耦合的多个串ST。位线BL1至BLm可以分别被耦合至串ST，并且源极线SL可以被共同耦合至串ST。串ST可以被均等地配置，因此，将通过示例的方式详细描述被耦合至第一位线BL1的串ST。

串ST可以包括在源极线SL和第一位线BL1之间彼此串联耦合的源极选择晶体管SST、多个存储器单元F1至F16和漏极选择晶体管DST。单个串ST可以包括至少一个源极选择晶体管SST和至少一个漏极选择晶体管DST，并且比附图中所图示的存储器单元F1至F16更多的存储器单元可以被包括在该串ST中。

源极选择晶体管SST的源极可以被耦合至源极线SL，并且漏极选择晶体管DST的漏极可以被耦合至第一位线BL1。存储器单元F1至F16可以在源极选择晶体管SST和漏极选择晶体管DST之间被串联耦合。被包括在不同串ST中的源极选择晶体管SST的栅极可以被耦合至源极选择线SSL，被包括在不同串ST中的漏极选择晶体管DST的栅极可以被耦合至漏极选择线DSL，并且存储器单元F1至F16的栅极可以分别被耦合至多个字线WL1至WL16。在被包括在不同串ST中的存储器单元中的被耦合至同一字线的一组存储器单元可以被称为‘物理页(PPG)’。因此，存储器块110可以包括与字线WL1至WL16的数量相同的多个物理页PPG。

图4是图示了具有3D结构的存储器块的示例的示意图。

参照图4，存储器单元阵列100可以包括多个存储器块MB1至MBk 110。每个存储器块110可以包括多个串ST11至ST1m和ST21至ST2m。在实施例中，串ST11至ST1m和ST21至ST2m中的每一个可以形成为‘I’形或‘U’形。在第一存储器块MB1中，m个串可以沿着行方向(例如，X方向)布置。虽然在图4中，两个串被图示为沿着列方向(例如，Y方向)布置，但是给出该实施例是为了便于描述，并且在其他实施例中三个或更多个串可以沿着列方向(例如，Y方向)布置。

串ST11至ST1m和ST21至ST2m中的每一个可以包括至少一个源极选择晶体管SST、第一至第n存储器单元MC1至MCn和至少一个漏极选择晶体管DST。

每个串的源极选择晶体管SST可以在源极线SL与存储器单元MC1至MCn之间被耦合。布置在同一行中的串的源极选择晶体管可以被耦合至相同的源极选择线。布置在第一行中的串ST11至ST1m的源极选择晶体管可以被耦合至第一源极选择线SSL1。布置在第二行中的串ST21至ST2m的源极选择晶体管可以被耦合至第二源极选择线SSL2。在其他实施例中，串ST11至ST1m和ST21至ST2m的源极选择晶体管可以被共同耦合至单个源极选择线。

每个串中的第一至第n存储器单元MC1至MCn可以在源极选择晶体管SST和漏极选择晶体管DST之间被串联耦合。第一至第n存储器单元MC1至MCn的栅极可以分别被耦合至第一至第n字线WL1至WLn。

在实施例中，第一至第n存储器单元MC1至MCn中的至少一个可以被用作虚拟存储器单元。当提供虚拟存储器单元时，可以稳定地控制对应串的电压或电流。因此，可以提高被存储在存储器块110中的数据的可靠性。

每个串的漏极选择晶体管DST可以在对应位线与存储器单元MC1至MCn之间被耦合。沿着行方向布置的串的漏极选择晶体管DST可以被耦合至沿着行方向延伸的漏极选择线。第一行中的串ST11至ST1m的漏极选择晶体管DST可以被耦合至第一漏极选择线DSL1。第二行中的串ST21至ST2m的漏极选择晶体管DST可以被耦合至第二漏极选择线DSL2。

图5是用于描述所编程的存储器单元的编程状态的阈值电压分布图。

在本公开的实施例中，将基于三级单元(TLC)编程方案进行描述，其中通过示例，存储器单元的阈值电压分布的数量为八(例如，PV0至PV7)。

参照图5，在编程操作期间，每个存储器单元可以被编程到擦除状态PV0和多个编程状态PV1至PV7中的任何一个。在执行编程操作之前，被包括在存储器块中的存储器单元可以具有与擦除状态PV0相对应的阈值电压。

在编程操作期间，可以在多个编程状态PV1至PV7中，从具有低阈值电压分布的编程状态开始依次在擦除状态PV0下按顺序对存储器单元执行编程操作。例如，可以按顺序执行针对第一编程状态PV1的编程操作、针对第二编程状态PV2的编程操作和针对第三编程状态PV3的编程操作、...、针对第七编程状态PV7的编程操作。

在编程操作期间，所选的编程状态被定义为目标编程状态，并且与目标编程状态相邻并且高于目标编程状态的编程状态被定义为预编程状态。

例如，在针对第一编程状态PV1的编程操作期间，目标编程状态可以是第一编程状态PV1，并且预编程状态可以是第二编程状态PV2。

图6是图示了根据本公开的实施例的操作存储器设备的方法的流程图。

将参照图1至图6描述根据本公开的实施例的操作存储器设备的方法。

当从主机2000接收到与编程操作相对应的请求时，存储器控制器1200可以响应于来自主机2000的请求来生成编程命令CMD。存储器设备1100可以在操作S610中从存储器控制器1200接收编程命令CMD、地址ADD和要被编程的数据DATA。

存储器设备1100可以响应于接收到的编程命令CMD和地址ADD从多个存储器块MB1至MBk中选择要对其执行编程操作的存储器块(例如，MB1)，在页面的基础上按顺序对所选存储器块(例如，MB1)进行编程，并且在操作S620中对所选页面进行编程操作期间，使用增量阶跃脉冲(step pulse)编程(ISPP)方案针对多个编程状态PV1至PV7中具有最低阈值电压分布的第一编程状态PV1执行编程操作。

页面缓冲器组230可以响应于由控制逻辑300生成的页面缓冲器控制信号PBSIGNALS而暂时存储要被编程的数据，并且可以基于暂时存储的要被编程的数据来调整位线BL1至BLm的电势水平。例如，可以将编程许可电压施加到与页面缓冲器(与第一至第七编程状态PV1至PV7相对应的多条数据被暂时存储在其中)相对应的位线，并且可以将编程禁止电压施加到与页面缓冲器(与擦除状态PV0相对应的多条数据被暂时存储在其中)相对应的位线。

电压生成电路210可以响应于操作信号OP_CMD生成编程电压和通过电压。行译码器220可以响应于行译码器控制信号AD_signals而将由电压生成电路210生成的编程电压施加到所选存储器块(例如，MB1)的多个字线中与所选页面相对应的字线，并且可以将由电压生成电路20生成的通过电压施加到其余字线。

此后，在操作S630中，外围电路200可以通过执行针对第一编程状态PV1的编程验证操作来检查要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元是否已经被正常编程。在这种情况下，外围电路200可以检查要被编程到与第一编程状态PV1相比紧邻更高的编程状态PV2的存储器单元是否已经被编程到第一编程状态PV1，并且可以检查在要被编程到进一步更高的编程状态PV3至PV7的存储器单元中已经被编程到紧邻更高的编程状态PV2的存储器单元。

例如，外围电路200可以按顺序执行针对第一编程状态PV1的编程验证操作和针对预编程状态的编程验证操作，这是验证要被编程到进一步更高的编程状态PV3至PV7的存储器单元的操作。

在针对第一编程状态PV1的编程验证操作期间，电压生成电路210可以响应于操作信号OP_CMD生成与第一编程状态PV1相对应的第一验证电压和通过电压。行译码器220可以响应于行译码器控制信号AD_signals而将由电压生成电路210生成的第一验证电压施加到所选存储器块(例如，MB1)的多个字线中与所选页面相对应的字线，并且可以将由电压生成电路20生成的通过电压施加到其余字线。进一步地，在编程验证操作期间，页面缓冲器PB1至PBm 231可以感测位线BL1至BLm的电压或电流，然后可以检查要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和要被编程到与紧邻更高的编程状态相对应的第二编程状态PV2的存储器单元是否已经被编程到第一编程状态PV1。

在针对预编程状态的编程验证操作期间，电压生成电路210可以响应于操作信号OP_CMD生成与紧邻更高的编程状态PV2相对应的第二验证电压和通过电压。行译码器220可以响应于行译码器控制信号AD_signals而将由电压生成电路210生成的第二验证电压施加到所选存储器块(例如，MB1)的多个字线中与所选页面相对应的字线，并且可以将由电压生成电路20生成的通过电压施加到其余字线。进一步地，在编程验证操作期间，页面缓冲器PB1至PBm 231可以感测位线BL1至BLm的电压或电流，然后检查要被编程到第三至第七编程状态PV3至PV7的存储器单元中已经被编程到紧邻更高的编程状态PV2的存储器单元。

在上述操作S630中，当要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元中的一些存储器单元的阈值电压尚未达到第一编程状态PV1时，或者当要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元中的一些存储器单元的阈值电压尚未达到第一编程状态PV1(失败)时，控制逻辑300可以通过在操作S640中使编程电压增加阶跃电压来重置编程电压，并且可以从上述操作S620开始重新执行操作。当重新执行操作S620时，可以将编程禁止电压施加到位线BL1至BLm中与被确定为已经通过了针对第一编程状态PV1的编程验证操作和针对预编程状态的编程验证操作的存储器单元相对应的位线。而且，可以将编程许可电压施加到位线BL1至BLm中与被确定为针对第一编程状态PV1的编程验证操作和针对预编程状态的编程验证操作已经失败的存储器单元相对应的位线。

在上述操作S630中，当要被编程到第一编程状态PV1和第二编程状态PV2的存储器单元的阈值电压已经达到第一编程状态PV1(通过)时，控制逻辑300可以在操作S650中确定当前正在被执行的编程操作是否是针对最后编程状态PV7的编程操作。

当在操作S650中确定当前正在被执行的编程操作不是针对最后编程状态PV7的编程操作时(在“否”的情况下)，在操作S660中执行针对紧邻更高的编程状态的编程操作。例如，当上述编程操作是针对第一编程状态PV1的编程操作时，可以执行针对第二编程状态PV2的编程操作。

页面缓冲器组230可以基于要被编程的数据来调整位线BLl至BLm的电势水平，该数据响应于由控制逻辑300生成的页面缓冲器控制信号PBSIGNALS而被暂时存储。例如，可以将编程许可电压施加到与暂时存储有与第二至第七编程状态PV2至PV7相对应的多条数据的页面缓冲器相对应的位线，并且可以将编程禁止电压施加到与暂时存储有与擦除状态PV0和第一编程状态PV1相对应的多条数据的页面缓冲器相对应的位线。

电压生成电路210可以响应于操作信号OP_CMD生成编程电压和通过电压。行译码器220可以响应于行译码器控制信号AD_signals而将由电压生成电路210生成的编程电压施加到所选存储器块(例如，MB1)的多个字线中与所选页面相对应的字线，并且可以将由电压生成电路20生成的通过电压施加到其余字线。

此后，在操作S670中，外围电路200可以通过执行针对第二编程状态PV2的编程验证操作来检查要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元是否已经被正常编程。在这种情况下，外围电路200可以检查要被编程到与第二编程状态PV2相比紧邻更高的编程状态PV3的存储器单元是否已经被编程到第二编程状态PV2，并且可以检查在要被编程到进一步更高的编程状态PV4至PV7的存储器单元中已经被编程到紧邻更高的编程状态PV3的存储器单元。例如，外围电路200可以按顺序执行针对第二编程状态PV2的编程验证操作和针对预编程状态的编程验证操作，这是针对进一步更高的编程状态PV4至PV7的验证操作。

在针对第二编程状态PV2的编程验证操作期间，电压生成电路210可以响应于操作信号OP_CMD生成与第二编程状态PV2相对应的第二验证电压和通过电压。行译码器220可以响应于行译码器控制信号AD_signals而将由电压生成电路210生成的第二验证电压施加到所选存储器块(例如，MB1)的多个字线中与所选页面相对应的字线，并且可以将由电压生成电路20生成的通过电压施加到其余字线。进一步地，在编程验证操作期间，页面缓冲器PB1至PBm 231可以感测位线BL1至BLm的电压或电流，然后检查要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到紧邻更高的编程状态PV3的存储器单元是否已经被编程到第二编程状态PV2。

在针对预编程状态的编程验证操作期间，电压生成电路210可以响应于操作信号OP_CMD生成与紧邻更高的编程状态PV3相对应的第三验证电压和通过电压。行译码器220可以响应于行译码器控制信号AD_signals而将由电压生成电路210生成的第三验证电压施加到所选存储器块(例如，MB1)的多个字线中与所选页面相对应的字线，并且可以将由电压生成电路20生成的通过电压施加到其余字线。进一步地，在编程验证操作期间，页面缓冲器PB1至PBm 231可以感测位线BL1至BLm的电压或电流，然后检查要被编程到第四至第七编程状态PV4至PV7的存储器单元中已经被编程到编程状态PV3的存储器单元。

当在上述操作S670中要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到紧邻更高的编程状态PV3的存储器单元中的一些存储器单元的阈值电压尚未达到第二编程状态PV2(失败)时，控制逻辑300可以在操作S680中通过使编程电压增加阶跃电压来重置编程电压，并且可以从操作S660开始重新执行操作。当重新执行操作S660时，可以将编程禁止电压施加到位线BL1至BLm中与被确定为已经通过了针对第二编程状态PV2的编程验证操作和针对预编程状态的编程验证操作的存储器单元相对应的位线。而且，可以将编程许可电压施加到位线BL1至BLm中与被确定为针对第二编程状态PV2的编程验证操作和针对预编程状态的编程验证操作已经失败的存储器单元相对应的位线。

在上述操作S670中，当要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元的阈值电压已经达到第二编程状态PV2，并且要被编程到紧邻更高的编程状态PV3的存储器单元的阈值电压已经达到第二编程状态PV2(通过)时，则控制逻辑300可以从确定当前正在被执行的编程操作是否是针对最后编程状态PV7的编程操作的操作S650开始重新执行操作。

可以重复前述操作S650至S680，直到在上述操作S650中确定当前正在被执行的编程操作是最后编程状态PV7为止。即，可以通过重复前述操作S650至S680来完成针对第二至第七编程状态PV2至PV7的编程操作。此处，在针对最后编程状态PV7的编程操作期间，不执行针对预编程状态的编程操作和针对预编程状态的验证操作。

当在操作S650中确定当前正在被执行的编程操作是针对最后编程状态PV7的编程操作时，可以通过选择所选存储器块的下一页面来执行前述操作S620至S680。

图7是用于描述针对第一编程状态的编程操作的存储器单元的阈值电压分布图。

下面将参照图7描述在针对第一编程状态PV1的编程操作期间存储器单元的阈值电压分布。

参照图7，在针对第一编程状态PV1的编程操作期间，包括要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和要被编程到与第一编程状态PV1相比紧邻更高的编程状态PV2的存储器单元的目标存储器单元(目标MC)可以被编程为具有与第一编程状态PV1相对应的阈值电压分布。例如，在编程电压施加操作期间，可以通过将编程电压施加到目标存储器单元(目标MC)的字线来增加阈值电压分布。在编程验证操作期间，在已经将第一验证电压Vver1施加到目标存储器单元(目标MC)的字线之后，可以感测位线的电势水平，因此可以确定编程验证操作是否已经通过/失败。当由于编程验证操作而确定编程验证操作已经失败时，可以按照将增加阶跃电压的编程电压重新施加到目标存储器单元(目标MC)的字线的这种方式来执行编程操作。结果，目标存储器单元(目标MC)可以具有与第一编程状态PV1相对应的阈值电压分布，该阈值电压分布高于第一验证电压Vver1。

在针对第一编程状态PV1的编程操作期间，旨在被编程到第三至第七编程状态PV3至PV7的其余存储器单元(即，其他MC)可以被编程到预编程状态(即，预状态)。预编程状态(预状态)可以是阈值电压分布高于第一编程状态PV1中的阈值电压分布的状态。例如，直到上述目标存储器单元(目标MC)通过编程验证操作，才可以对其余存储器单元(其他MC)执行编程操作，并且其余存储器单元(其他MC)中阈值电压分布高于与紧邻更高的编程状态PV2相对应的第二验证电压Vver2的存储器单元可以在编程禁止模式下操作。结果，在目标存储器单元(目标MC)被编程到第一编程状态PV1的同时，其余存储器单元(其他MC)可以被编程到阈值电压分布高于第一编程状态PV1中的阈值电压分布的预编程状态(预状态)。

图8是用于描述针对第二编程状态的编程操作的存储器单元的阈值电压分布图。

下面将参照图8描述在针对第二编程状态PV2的编程操作期间存储器单元的阈值电压分布。

与上述图7类似，在完成了针对第一编程状态PV1的编程操作之后，执行针对第二编程状态PV2的编程操作。

参照图8，在针对第二编程状态PV2的编程操作期间，包括要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到紧邻更高的编程状态PV3的存储器单元的目标存储器单元(目标MC)可以被编程为具有与第二编程状态PV2相对应的阈值电压分布。例如，在编程电压施加操作期间，可以通过将编程电压施加到目标存储器单元(目标MC)的字线来增加阈值电压分布。在编程验证操作期间，在已经将第二验证电压Vver2施加到目标存储器单元(目标MC)的字线之后，可以感测位线的电势水平，因此可以确定编程验证操作是否通过/失败。当由于编程验证操作而确定编程验证操作失败时，可以按照将增加阶跃电压的编程电压重新施加到目标存储器单元(目标MC)的字线的这种方式来执行编程操作。结果，目标存储器单元(目标MC)可以具有与第二编程状态PV2相对应的阈值电压分布，该阈值电压分布高于第二验证电压Vver2。在编程电压施加操作期间，可以将编程禁止电压施加到与擦除状态PV0相对应的存储器单元和已经被编程到第一编程状态PV1的存储器单元的位线，从而防止存储器单元的阈值电压增加。

在针对第二编程状态PV2的编程操作期间，旨在被编程到第四至第七编程状态PV4至PV7的其余存储器单元(即，其他MC)可以被编程到预编程状态(即，预状态)。预编程状态(预状态)可以是阈值电压分布高于第二编程状态PV2中的阈值电压分布的状态。例如，直到上述目标存储器单元(目标MC)通过编程验证操作，才可以对其余存储器单元(其他MC)执行编程操作，并且其余存储器单元(其他MC)中阈值电压分布高于与紧邻更高的编程状态PV3相对应的第三验证电压Vver3的存储器单元可以在编程禁止模式下操作。结果，在目标存储器单元(目标MC)被编程到第二编程状态PV2的同时，其余存储器单元(其他MC)可以被编程到阈值电压分布高于第二编程状态PV2中的阈值电压分布的预编程状态(预状态)。

基于参照图7和图8描述的编程方法，在与第一至第六编程状态PV1至P6相对应的相应编程操作期间，可以将除了目标存储器单元(目标MC)以外的其余存储器单元(其他MC)编程到预编程状态。最后，在针对第七编程状态PV7的编程操作期间，可以仅将旨在要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元设置为目标存储器单元(目标MC)，然后可以对目标存储器单元执行编程操作。

根据本公开的实施例，在执行针对目标编程状态的编程操作之前，目标存储器单元的阈值电压分布可以增加到与目标编程状态相邻的阈值电压范围。因此，在针对目标编程状态的编程操作期间，可以减小增加的阈值电压的幅度，从而可以改进阈值电压分布。

进一步地，在编程操作期间，按顺序执行针对第一至第七编程状态的编程操作，因此，在编程电压施加操作之后执行的编程验证操作可以从针对第一至第七编程状态的验证操作被简化到针对目标编程状态的验证操作和针对预编程状态的验证操作。

图9是描述根据本公开的实施例的在编程操作期间取决于相应编程状态的存储器单元的编程模式的示意图。

参照图9，在针对第一编程状态PV1的编程操作期间，要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和要被编程到与第一编程状态PV1相邻的第二编程状态PV2的存储器单元可以被编程为具有与第一编程状态PV1相对应的阈值电压分布。即，与要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线可以被控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV3至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第一编程状态PV1中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV3至PV7的存储器单元中阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV3至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第一编程状态PV1的编程操作完成时，执行针对第二编程状态PV2的编程操作。在针对第二编程状态PV2的编程操作期间，可以将要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到与第二编程状态PV2相邻的第三编程状态PV3的存储器单元编程为具有与第二编程状态PV2相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第二编程状态PV2中的阈值电压分布的预编程状态(预状态)。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元中阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第二编程状态PV2的编程操作完成时，执行针对第三编程状态PV3的编程操作。在针对第三编程状态PV3的编程操作期间，可以将要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元和要被编程到与第三编程状态PV3相邻的第四编程状态PV4的存储器单元编程为具有与第三编程状态PV3相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元和要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和已经被编程到第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元和要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第三编程状态PV3中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元中阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第三编程状态PV3的编程操作完成时，执行针对第四编程状态PV4的编程操作。在针对第四编程状态PV4的编程操作期间，可以将要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元和要被编程到与第四编程状态PV4相邻的第五编程状态PV5的存储器单元编程为具有与第四编程状态PV4相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元和要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第三编程状态PV1至PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBITMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元和要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第四编程状态PV4中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元中阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第四编程状态PV4的编程操作完成时，执行针对第五编程状态PV5的编程操作。在针对第五编程状态PV5的编程操作期间，可以将要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元和要被编程到与第五编程状态PV5相邻的第六编程状态PV6的存储器单元编程为具有与第五编程状态PV5相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元和要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第四编程状态PV1至PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBITMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元和要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV7至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第五编程状态PV5中的阈值电压分布的预编程状态(预状态)。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元中阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第五编程状态PV5的编程操作完成时，执行针对第六编程状态PV6的编程操作。在针对第六编程状态PV6的编程操作期间，可以将要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元和要被编程到与第六编程状态PV6相邻的第七编程状态PV7的存储器单元编程为具有与第六编程状态PV6相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元和要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第五编程状态PV1至PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBITMODE)。

当针对第六编程状态PV6的编程操作完成时，执行针对第七编程状态PV7的编程操作。在针对第七编程状态PV7的编程操作期间，可以将与要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM模式)。此处，可以将与已经被编程到第一至第六编程状态PV1至PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

尽管在本公开的上述实施例中，已经基于三级单元(TLC)编程方案进行了描述，其中通过示例，编程存储器单元的阈值电压分布的数量为八(即，PV0至PV7)，但是本实施例还可以被应用于阈值电压分布的数量为四的多级单元(MLC)编程方案以及阈值电压分布的数量为16的四级单元(QLC)编程方案。

图10是用于描述根据本公开的实施例的在编程操作期间取决于相应编程状态的存储器单元的编程模式的示意图。

参照图10，在针对第一编程状态PV1的编程操作期间，可以将要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元编程为具有与第一编程状态PV1相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV2至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第一编程状态PV1中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV2至PV7的存储器单元中阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV2至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第一编程状态PV1的编程操作终止时，执行针对第二编程状态PV2的编程操作。在针对第二编程状态PV2的编程操作期间，可以将要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元编程为具有与第二编程状态PV2相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV3至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第二编程状态PV2中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV3至PV7的存储器单元中阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV3至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第二编程状态PV2的编程操作终止时，执行针对第三编程状态PV3的编程操作。在针对第三编程状态PV3的编程操作期间，可以将要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元编程为具有与第三编程状态PV3相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和已经被编程到第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第三编程状态PV3中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元中阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第三编程状态PV3的编程操作终止时，执行针对第四编程状态PV4的编程操作。在针对第四编程状态PV4的编程操作期间，可以将要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元编程为具有与第四编程状态PV4相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第三编程状态PV1至PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第四编程状态PV4中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元中阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第四编程状态PV4的编程操作终止时，执行针对第五编程状态PV5的编程操作。在针对第五编程状态PV5的编程操作期间，可以将要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元编程为具有与第五编程状态PV5相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第四编程状态PV1至PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第五编程状态PV5中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元中阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第五编程状态PV5的编程操作终止时，执行针对第六编程状态PV6的编程操作。在针对第六编程状态PV6的编程操作期间，可以将要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元编程为具有与第六编程状态PV6相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第五编程状态PV1至PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第六编程状态PV6中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元中阈值电压低于第七编程状态PV7中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第七编程状态PV7中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第七编程状态PV7中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGMMODE)。

当针对第六编程状态PV6的编程操作终止时，执行针对第七编程状态PV7的编程操作。在针对第七编程状态PV7的编程操作期间，可以将与要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM模式)。此处，可以将与已经被编程到第一至第六编程状态PV1至PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

图11是用于描述根据本公开的实施例的在编程操作期间取决于相应编程状态的存储器单元的编程模式的示意图。

参照图11，在针对第一编程状态PV1的编程操作期间，要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元、要被编程到与第一编程状态PV1相邻的第二和第三编程状态PV2和PV3的存储器单元可以被编程为具有与第一编程状态PV1相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第一至第三编程状态PV1至PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第一编程状态PV1至第三编程状态PV3的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第一编程状态PV1中的阈值电压分布的预编程状态(预状态)。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元中阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第一编程状态PV1的编程操作完成时，执行针对第二编程状态PV2的编程操作。在针对第二编程状态PV2的编程操作期间，可以将要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到与第二编程状态PV2相邻的第三和第四编程状态PV3和PV4的存储器单元编程为具有与第二编程状态PV2相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第二至第四编程状态PV2至PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第二至第四编程状态PV2至PV4的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第二编程状态PV2中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元中阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第二编程状态PV2的编程操作完成时，执行针对第三编程状态PV3的编程操作。在针对第三编程状态PV3的编程操作期间，可以将要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元和要被编程到与第三编程状态PV3相邻的第四和第五编程状态PV4和PV5的存储器单元编程为具有与第三编程状态PV3相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第三至第五编程状态PV3至PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和已经被编程到第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第三至第五编程状态PV3至PV5的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第三编程状态PV3中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元中阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第三编程状态PV3的编程操作完成时，执行针对第四编程状态PV4的编程操作。在针对第四编程状态PV4的编程操作期间，可以将要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元和要被编程到与第四编程状态PV4相邻的第五和第六编程状态PV5和PV6的存储器单元编程为具有与第四编程状态PV4相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第四至第六编程状态PV4至PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第三编程状态PV1至PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第四编程状态PV4至第六编程状态PV6的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第四编程状态PV4中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元中阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第四编程状态PV4的编程操作完成时，执行针对第五编程状态PV5的编程操作。在针对第五编程状态PV5的编程操作期间，可以将要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元和要被编程到与第五编程状态PV5相邻的第六和第七编程状态PV6和PV7的存储器单元编程为具有与第五编程状态PV5相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第五至第七编程状态PV5至PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第四编程状态PV1至PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

当针对第五编程状态PV5的编程操作完成时，执行针对第六编程状态PV6的编程操作。在针对第六编程状态PV6的编程操作期间，可以将要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元和要被编程到与第六编程状态PV6相邻的第七编程状态PV7的存储器单元编程为具有与第六编程状态PV6相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元和要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第五编程状态PV1至PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBITMODE)。

当针对第六编程状态PV6的编程操作完成时，执行针对第七编程状态PV7的编程操作。在针对第七编程状态PV7的编程操作期间，可以将与要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM模式)。此处，可以将与已经被编程到第一至第六编程状态PV1至PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

图12是用于描述根据本公开的实施例的在编程操作期间取决于相应编程状态的存储器单元的编程模式的示意图。

参照图12，在针对第一编程状态PV1的编程操作期间，可以将要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元编程为具有与第一编程状态PV1相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV2至PV7的存储器单元可以被编程到高于第一编程状态PV1的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到与第一编程状态PV1相邻的第二编程状态PV2和第三编程状态PV3的存储器单元中阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线。进一步地，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元中阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线。

即，在要被编程到第二和第三编程状态PV2和PV3的存储器单元中，可以将阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。而且，在要被编程到编程状态PV4至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第一编程状态PV1的编程操作终止时，执行针对第二编程状态PV2的编程操作。在针对第二编程状态PV2的编程操作期间，可以将要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元编程为具有与第二编程状态PV2相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV3至PV7的存储器单元可以被编程到高于第二编程状态PV2的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到与第二编程状态PV2相邻的第三和第四编程状态PV3和PV4的存储器单元中阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线。进一步地，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元中阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线。

即，在要被编程到第三和第四编程状态PV3和PV4的存储器单元中，可以将阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。而且，在要被编程到编程状态PV5至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第二编程状态PV2的编程操作终止时，执行针对第三编程状态PV3的编程操作。在针对第三编程状态PV3的编程操作期间，可以将要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元编程为具有与第三编程状态PV3相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元可以被编程到高于第三编程状态PV3的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到与第三编程状态PV3相邻的第四和第五编程状态PV4和PV5的存储器单元中阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线。此外，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元中阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线。

即，在要被编程到第四和第五编程状态PV4和PV5的存储器单元中，可以将阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。而且，在要被编程到编程状态PV6和PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第三编程状态PV3的编程操作终止时，执行针对第四编程状态PV4的编程操作。在针对第四编程状态PV4的编程操作期间，可以将要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元编程为具有与第四编程状态PV4相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元可以被编程到高于第四编程状态PV4的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到与第四编程状态PV4相邻的第五和第六编程状态PV5和PV6的存储器单元中阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线。进一步地，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元中阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线。

即，在要被编程到第五和第六编程状态PV5和PV6的存储器单元中，可以将阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。而且，在要被编程到编程状态PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第四编程状态PV4的编程操作终止时，执行针对第五编程状态PV5的编程操作。在针对第五编程状态PV5的编程操作期间，可以将要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元编程为具有与第五编程状态PV5相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元可以被编程到高于第五编程状态PV5的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到与第五编程状态PV5相邻的第六和第七编程状态PV6和PV7的存储器单元中阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线。

即，在要被编程到第六和第七编程状态PV6和PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第五编程状态PV5的编程操作终止时，执行针对第六编程状态PV6的编程操作。在针对第六编程状态PV6的编程操作期间，可以将要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元编程为具有与第六编程状态PV6相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元可以被编程到高于第六编程状态PV6的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元中阈值电压低于第七编程状态PV7中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第七编程状态PV7中的阈值电压的存储器单元的位线。

即，在要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第七编程状态PV7中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第六编程状态PV6的编程操作终止时，执行针对第七编程状态PV7的编程操作。在针对第七编程状态PV7的编程操作期间，可以将要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元编程为具有与第七编程状态PV7相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。

图13是用于描述根据本公开的实施例的在编程操作期间取决于相应编程状态的存储器单元的编程模式的示意图。

参照图13，在针对第一编程状态PV1的编程操作期间，要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和要被编程到与第一编程状态PV1相邻的第二编程状态PV2的存储器单元可以被编程为具有与第一编程状态PV1相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV3至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第一编程状态PV1中的阈值电压分布的预编程状态。

例如，在其余编程状态PV3至PV7中，要被编程到阈值电压分布相对较低的第三编程状态PV3和第四编程状态PV4的存储器单元以及要被编程到阈值电压分布相对较高的第五编程状态PV5至第七编程状态PV7的存储器单元可以被编程为具有不同的阈值电压分布。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到第三编程状态PV3和第四编程状态PV4的存储器单元中阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第三和第四编程状态PV3和PV4的存储器单元中，可以将阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。进一步地，可以将编程许可电压施加到要被编程到第五至第七编程状态PV5至PV7的存储器单元中阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第五至第七编程状态PV5至PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第一编程状态PV1的编程操作完成时，执行针对第二编程状态PV2的编程操作。在针对第二编程状态PV2的编程操作期间，可以将要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到与第二编程状态PV2相邻的第三编程状态PV3的存储器单元编程为具有与第二编程状态PV2相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第二编程状态PV2中的阈值电压分布的预编程状态(预状态)。

例如，在其余编程状态PV4至PV7中，要被编程到阈值电压分布相对较低的第四编程状态PV4和第五编程状态PV5的存储器单元以及要被编程到阈值电压分布相对较高的第六编程状态PV6和第七编程状态PV7的存储器单元可以被编程为具有不同的阈值电压分布。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到第四编程状态PV4和第五编程状态PV5的存储器单元中阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第四和第五编程状态PV4和PV5的存储器单元中，可以将阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。进一步地，可以将编程许可电压施加到要被编程到第六和第七编程状态PV6和PV7的存储器单元中阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第六和第七编程状态PV6和PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第二编程状态PV2的编程操作完成时，执行针对第三编程状态PV3的编程操作。在针对第三编程状态PV3的编程操作期间，可以将要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元和要被编程到与第三编程状态PV3相邻的第四编程状态PV4的存储器单元编程为具有与第三编程状态PV3相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元和要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1和第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBITMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元和要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第三编程状态PV3中的阈值电压分布的预编程状态。

例如，在其余编程状态PV5至PV7中，要被编程到阈值电压分布相对较低的第五和第六编程状态PV5和PV6的存储器单元以及要被编程到阈值电压分布相对较高的第七编程状态PV7的存储器单元可以被编程到不同的阈值电压分布。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到第五编程状态PV5和第六编程状态PV6的存储器单元中阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第五和第六编程状态PV5和PV6的存储器单元中，可以将阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。进一步地，可以将编程许可电压施加到要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元中阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第三编程状态PV3的编程操作完成时，执行针对第四编程状态PV4的编程操作。在针对第四编程状态PV4的编程操作期间，可以将要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元和要被编程到与第四编程状态PV4相邻的第五编程状态PV5的存储器单元编程为具有与第四编程状态PV4相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元和要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第三编程状态PV1至PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBITMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元和要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第四编程状态PV4中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元中阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第四编程状态PV4的编程操作完成时，执行针对第五编程状态PV5的编程操作。在针对第五编程状态PV5的编程操作期间，可以将要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元和要被编程到与第五编程状态PV5相邻的第六编程状态PV6的存储器单元编程为具有与第五编程状态PV5相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元和要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第四编程状态PV1至PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBITMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元和要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV7至PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第五编程状态PV5中的阈值电压分布的预编程状态(预状态)。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元中阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第五编程状态PV5的编程操作完成时，执行针对第六编程状态PV6的编程操作。在针对第六编程状态PV6的编程操作期间，可以将要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元和要被编程到与第六编程状态PV6相邻的第七编程状态PV7的存储器单元编程为具有与第六编程状态PV6相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元和要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第五编程状态PV1至PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBITMODE)。

当针对第六编程状态PV6的编程操作完成时，执行针对第七编程状态PV7的编程操作。在针对第七编程状态PV7的编程操作期间，可以将与要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM模式)。此处，可以将与已经被编程到第一至第六编程状态PV1至PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

图14是用于描述根据本公开的实施例的在编程操作期间取决于相应编程状态的存储器单元的编程模式的示意图。

参照图14，在针对第一编程状态PV1的编程操作期间，要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和要被编程到与第一编程状态PV1相邻的第二编程状态PV2的存储器单元可以被编程为具有与第一编程状态PV1相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV3至PV7的存储器单元可以被控制为编程模式(PGM MODE)，因此存储器单元的阈值电压分布可以增加。

当针对第一编程状态PV1的编程操作完成时，执行针对第二编程状态PV2的编程操作。在针对第二编程状态PV2的编程操作期间，可以将要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到与第二编程状态PV2相邻的第三编程状态PV3的存储器单元编程为具有与第二编程状态PV2相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元和要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元可以被控制为编程模式(PGM MODE)，因此存储器单元的阈值电压分布可以增加。

当针对第二编程状态PV2的编程操作完成时，执行针对第三编程状态PV3的编程操作。在针对第三编程状态PV3的编程操作期间，可以将要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元和要被编程到与第三编程状态PV3相邻的第四编程状态PV4的存储器单元编程为具有与第三编程状态PV3相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元和要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1的存储器单元和已经被编程到第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元和要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元可以被控制为编程模式(PGM MODE)，因此存储器单元的阈值电压分布可以增加。

当针对第三编程状态PV3的编程操作完成时，执行针对第四编程状态PV4的编程操作。在针对第四编程状态PV4的编程操作期间，可以将要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元和要被编程到与第四编程状态PV4相邻的第五编程状态PV5的存储器单元编程为具有与第四编程状态PV4相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元和要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第三编程状态PV1至PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBITMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元和要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元可以被控制为编程模式PGM MODE，因此存储器单元的阈值电压分布可以增加。

当针对第四编程状态PV4的编程操作完成时，执行针对第五编程状态PV5的编程操作。在针对第五编程状态PV5的编程操作期间，可以将要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元和要被编程到与第五编程状态PV5相邻的第六编程状态PV6的存储器单元编程为具有与第五编程状态PV5相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元和要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第四编程状态PV1至PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBITMODE)。

此处，直到终止对要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元和要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元的编程操作之前，要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元可以被控制为编程模式(PGM MODE)，因此存储器单元的阈值电压分布可以增加。

当针对第五编程状态PV5的编程操作完成时，执行针对第六编程状态PV6的编程操作。在针对第六编程状态PV6的编程操作期间，可以将要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元和要被编程到与第六编程状态PV6相邻的第七编程状态PV7的存储器单元编程为具有与第六编程状态PV6相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元和要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第五编程状态PV1至PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBITMODE)。

当针对第六编程状态PV6的编程操作完成时，执行针对第七编程状态PV7的编程操作。在针对第七编程状态PV7的编程操作期间，可以将与要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM模式)。此处，可以将与已经被编程到第一至第六编程状态PV1至PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

图15是用于描述根据本公开的实施例的在编程操作期间取决于相应编程状态的存储器单元的编程模式的示意图。

参照图15，在针对第一编程状态PV1的编程操作期间，可以将要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元编程为具有与第一编程状态PV1相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元的编程操作之前，要被编程到与第一编程状态PV1相邻的第二编程状态PV2的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第一编程状态PV1中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元中阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元中，可以将阈值电压低于第二编程状态PV2中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

而且，直到终止对要被编程到第一编程状态PV1的存储器单元的编程操作之前，可以将要被编程到其余编程状态PV3至PV7的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)，因此其阈值电压分布可以增加。

当针对第一编程状态PV1的编程操作完成时，执行针对第二编程状态PV2的编程操作。在针对第二编程状态PV2的编程操作期间，可以将要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元编程为具有与第二编程状态PV2相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元的编程操作之前，要被编程到与第二编程状态PV2相邻的第三编程状态PV3的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第二编程状态PV2中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元中阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元中，可以将阈值电压低于第三编程状态PV3中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

而且，直到终止对要被编程到第二编程状态PV2的存储器单元的编程操作之前，可以将要被编程到其余编程状态PV4至PV7的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)，因此其阈值电压分布可以增加。

当针对第二编程状态PV2的编程操作完成时，执行针对第三编程状态PV3的编程操作。在针对第三编程状态PV3的编程操作期间，可以将要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元编程为具有与第三编程状态PV3相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。此处，可以将与已经被编程到第一编程状态PV1和第二编程状态PV2的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

直到终止对要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元的编程操作之前，要被编程到与第三编程状态PV3相邻的第四编程状态PV4的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第三编程状态PV3中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元中阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元中，可以将阈值电压低于第四编程状态PV4中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

而且，直到终止对要被编程到第三编程状态PV3的存储器单元的编程操作之前，可以将要被编程到其余编程状态PV5至PV7的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)，因此其阈值电压分布可以增加。

当针对第三编程状态PV3的编程操作完成时，执行针对第四编程状态PV4的编程操作。在针对第四编程状态PV4的编程操作期间，可以将要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元编程为具有与第四编程状态PV4相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第三编程状态PV1至PV3的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

此处，直到终止对要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元的编程操作之前，要被编程到与第四编程状态PV4相邻的第五编程状态PV5的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第四编程状态PV4中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元中阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元中，可以将阈值电压低于第五编程状态PV5中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

而且，直到终止对要被编程到第四编程状态PV4的存储器单元的编程操作之前，可以将要被编程到其余编程状态PV6和PV7的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)，因此其阈值电压分布可以增加。

当针对第四编程状态PV4的编程操作完成时，执行针对第五编程状态PV5的编程操作。在针对第五编程状态PV5的编程操作期间，可以将要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元编程为具有与第五编程状态PV5相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第四编程状态PV1至PV4的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

直到终止对要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元的编程操作之前，要被编程到与第五编程状态PV5相邻的第六编程状态PV6的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第五编程状态PV5中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元中阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元中，可以将阈值电压低于第六编程状态PV6中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

而且，直到终止对要被编程到第五编程状态PV5的存储器单元的编程操作之前，可以将要被编程到其余编程状态PV7的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)，因此其阈值电压分布可以增加。

当针对第五编程状态PV5的编程操作完成时，执行针对第六编程状态PV6的编程操作。在针对第六编程状态PV6的编程操作期间，可以将要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元编程为具有与第六编程状态PV6相对应的阈值电压分布。即，可以将与要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGMMODE)。此处，可以将与已经被编程到第一至第五编程状态PV1至PV5的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

直到终止对要被编程到第六编程状态PV6的存储器单元的编程操作之前，要被编程到与第六编程状态PV6相邻的第七编程状态PV7的存储器单元可以被编程到存储器单元的阈值电压分布高于第六编程状态PV6中的阈值电压分布的预编程状态。例如，可以将编程许可电压施加到要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元中阈值电压低于第七编程状态PV7中的阈值电压的存储器单元的位线，并且可以将编程禁止电压施加到阈值电压等于或高于第七编程状态PV7中的阈值电压的存储器单元的位线。即，在要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元中，可以将阈值电压低于第七编程状态PV7中的阈值电压的存储器单元控制为编程模式(PGM MODE)。

当针对第六编程状态PV6的编程操作完成时，执行针对第七编程状态PV7的编程操作。在针对第七编程状态PV7的编程操作期间，可以将与要被编程到第七编程状态PV7的存储器单元相对应的位线控制为施加编程许可电压的编程模式(PGM模式)。此处，可以将与已经被编程到第一至第六编程状态PV1至PV6的存储器单元相对应的位线控制为施加编程禁止电压的编程禁止模式(INHIBIT MODE)。

图16是图示了存储器系统的实施例的示意图。

参照图16，存储器系统30000可以被实施为蜂窝电话、智能电话、平板PC、个人数字助理(PDA)或无线通信设备。存储器系统30000可以包括存储器设备1100和能够控制存储器设备1100的操作的存储器控制器1200。存储器控制器1200可以在处理器3100的控制下控制存储器设备1100的数据访问操作，例如，编程操作、擦除操作或读取操作。

被编程到存储器设备1100的数据可以在存储器控制器1200的控制下经由显示器3200被输出。

无线电收发器3300可以通过天线ANT交换无线电信号。例如，无线电收发器3300可以将通过天线ANT接收到的无线电信号转换为可以由处理器3100处理的信号。因此，处理器3100可以处理从无线电收发器3300输出的信号，并且可以将处理后的信号传输到存储器控制器1200或显示器3200。存储器控制器1200可以将由处理器3100处理的信号编程到存储器设备1100。进一步地，无线电收发器3300可以将从处理器3100输出的信号转换为无线电信号，并且通过天线ANT将无线电信号输出到外部设备。输入设备3400可以用于输入控制信号，以控制处理器3100的操作或者要由处理器3100处理的数据。输入设备3400可以被实现为指向设备，诸如，触摸板、计算机鼠标、小键盘或键盘。处理器3100可以控制显示器3200的操作，使得从存储器控制器1200输出的数据、从无线电收发器3300输出的数据或者从输入设备3400输出的数据经由显示器3200输出。

在实施例中，能够控制存储器设备1100的操作的存储器控制器1200可以被实现为处理器3100的一部分或者与处理器3100分开设置的芯片。进一步地，存储器控制器1200可以通过图1所图示的存储器控制器1200的示例来实现，并且存储器设备1100可以通过图2所图示的存储器设备1100的示例来实现。

图17是图示了存储器系统的实施例的示意图。

参照图17，存储器系统40000可以体现在个人计算机、平板PC、上网本、电子阅读器、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、MP3播放器或MP4播放器中。

存储器系统40000可以包括存储器设备1100以及能够控制存储器设备1100的数据处理操作的存储器控制器1200。

处理器4100可以根据通过输入设备4200输入的数据经由显示器4300来输出存储在存储器设备1100中的数据。例如，输入设备4200可以被实现为指向设备，诸如，触摸板、计算机鼠标、小键盘或键盘。

处理器4100可以控制存储器系统40000的整体操作，并且可以控制存储器控制器1200的操作。在实施例中，能够控制存储器设备1100的操作的存储器控制器1200可以被实现为处理器4100的一部分或者与处理器4100分开设置的芯片。进一步地，存储器控制器1200可以通过图1所图示的存储器控制器1200的示例实现，并且存储器设备1100可以通过图2所图示的存储器设备1100的示例实现。

图18是图示了存储器系统的实施例的示意图。

参照图18，存储器系统50000可以被实现为图像处理设备，例如，数码相机、设置有数码相机的移动电话、设置有数码相机的智能电话或者设置有数码相机的平板PC。

存储器系统50000可以包括存储器设备1100以及能够控制存储器设备1100的数据处理操作(例如，编程操作、擦除操作或读取操作)的存储器控制器1200。

存储器系统50000的示意图像传感器5200可以将光学图像转换为数字信号，并且转换后的数字信号可以被传输到处理器5100或存储器控制器1200。在处理器5100的控制下，转换后的数字信号可以经由显示器5300输出，或者可以通过存储器控制器1200被存储在存储器设备1100中。进一步地，在处理器5100或存储器控制器1200的控制下，存储在存储器设备1100中的数据可以经由显示器5300输出。

在实施例中，能够控制存储器设备1100的操作的存储器控制器1200可以被实现为处理器5100的一部分或者与处理器5100分开设置的芯片。进一步地，存储器控制器1200可以通过图1所图示的存储器控制器1200的示例来实现，并且存储器设备1100可以通过图2所图示的存储器设备1100的示例来实现。

图19是图示了存储器系统的实施例的示意图。

参照图19，存储器系统70000可以被实现为存储卡或智能卡。存储器系统70000可以包括存储器设备1100、存储器控制器1200和卡接口7100。

存储器控制器1200可以控制存储器设备1100与卡接口7100之间的数据交换。在实施例中，卡接口7100可以是但不限于安全数字(SD)卡接口或多媒体卡(MMC)接口。进一步地，存储器控制器1200可以通过图1所图示的存储器控制器1200的示例被实现，并且存储器设备1100可以通过图2所图示的存储器设备1100的示例被实现。

进一步地，卡接口7100可以根据主机60000的协议接口连接主机60000与存储器控制器1200之间的数据交换。在实施例中，卡接口7100可以支持通用串行总线(USB)协议和芯片间(IC)-USB协议。此处，卡接口7100可以指能够支持由主机60000使用的协议的硬件、安装在硬件中的软件或者由硬件执行的信号传输方法。

当存储器系统70000被耦合至主机60000(诸如，PC、平板PC、数码相机、数字音频播放器、移动电话、控制台视频游戏硬件或数字机顶盒)的主机接口6200时，主机接口6200可以在微处理器6100的控制下通过卡接口7100和存储器控制器1200执行与存储器设备1100的数据通信。

本公开可以在存储器设备的编程操作期间改进存储器单元的阈值电压分布的范围，并且还可以提高存储器设备的编程操作的速度。

在上面讨论的实施例中，可以选择性地执行或跳过所有操作。另外，每个实施例中的操作可以不总是按顺序执行，并且可以随机地执行。此外，本说明书和附图中公开的实施例旨在帮助本领域的普通技术人员更清晰地理解本公开，而不是旨在限制本公开的界限。换言之，本公开所属领域的普通技术人员将能够容易地理解，基于本公开的技术范围，各种修改都是可能的。