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一种不连续地址的处理方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种不连续地址的处理方法、装置、电子设备及存储介质,其中,处理方法包括以下步骤:S1、扫描并获取闪存的物理层中不连续地址;S2、获取不连续地址所在块;S3、设计关于不连续地址所在块的绕开逻辑;S4、根据绕开逻辑,使FTL层运行时绕开不连续地址所块进行映射;该处理方法通过设计关于不连续地址所在块的绕开逻辑,使得FTL层运作时可绕开不连续地址所在块进行操作,可避免不连续地址对数据读写产生影响,该处理方法逻辑简单,不会增加FTL层复杂度,且适用于不同厂家的不同产品使用。
非易失性存储器的替换方法、装置及存储介质
本发明公开一种非易失性存储器的替换方法、装置及存储介质,其中,替换方法包括:根据编程操作指令对目标区域循环进行编程-校验操作;当目标区域连续不通过编程-校验操作的次数大于第一设定值,按字线地址对目标区域执行替换操作;根据擦除操作指令对目标区域循环进行擦除-校验操作;当目标区域连续不通过擦除-校验操作的次数大于第二设定值,对目标区域中未通过擦除-校验操作的字线地址执行替换操作;上述编程-擦除操作由存储芯片内部执行并根据预设的第一设定值和第二设定值限定内部执行循环的次数,可以降低测试机与存储芯片之间进行通讯的次数,提高测试效率,降低对测试机的性能要求。
状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置
本发明提供了一种状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置,把各存储单元的栅极连接在不同的字线上,把各存储单元的漏极连接在不同的位线上,当只需要对部分存储单元进行编程或擦除时,只向需要操作的存储单元的字线施加相应的电压,不向其它存储单元的字线施加该电压,从而无需操作的存储单元不会受到额外的压力,避免由于这些额外的压力影响存储单元的电学特性。

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