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一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端
本发明公开了一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端,先将施加到地址线的电压切换到低压,然后遍历所有需要编程的数据的验证,验证完毕后找到flash内需要编程的地址,再将施加到地址线的电压切换到高压,对flash内需要编程的地址执行编程操作;虽然在对flash内需要编程的不同地址执行编程操作时,也需要在不同的地址间进行切换,还是会存在地址线的升压和降压导致的循环充放电过程,但是对于flash内不需要编程的地址则不再需要进行电压的升降切换,从而提高了编程的效率,在需要编程的数据的量足够大时,编程效率的提高效果非常明显。

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