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最新技术
一种不连续地址的处理方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种不连续地址的处理方法、装置、电子设备及存储介质,其中,处理方法包括以下步骤:S1、扫描并获取闪存的物理层中不连续地址;S2、获取不连续地址所在块;S3、设计关于不连续地址所在块的绕开逻辑;S4、根据绕开逻辑,使FTL层运行时绕开不连续地址所块进行映射;该处理方法通过设计关于不连续地址所在块的绕开逻辑,使得FTL层运作时可绕开不连续地址所在块进行操作,可避免不连续地址对数据读写产生影响,该处理方法逻辑简单,不会增加FTL层复杂度,且适用于不同厂家的不同产品使用。
非易失性存储器的替换方法、装置及存储介质
本发明公开一种非易失性存储器的替换方法、装置及存储介质,其中,替换方法包括:根据编程操作指令对目标区域循环进行编程-校验操作;当目标区域连续不通过编程-校验操作的次数大于第一设定值,按字线地址对目标区域执行替换操作;根据擦除操作指令对目标区域循环进行擦除-校验操作;当目标区域连续不通过擦除-校验操作的次数大于第二设定值,对目标区域中未通过擦除-校验操作的字线地址执行替换操作;上述编程-擦除操作由存储芯片内部执行并根据预设的第一设定值和第二设定值限定内部执行循环的次数,可以降低测试机与存储芯片之间进行通讯的次数,提高测试效率,降低对测试机的性能要求。
一种基于双极性RRAM的非易失性可配置上拉电阻网络
本发明公开了一种基于双极性RRAM的非易失性可配置上拉电阻网络。包括并联的n个子电路,每个子电路包括RRAM,其两端分别与第一单元第二单元的PMOS晶体管相连,包括并联的两个限流电阻,分别与一组PMOS晶体管和一组NMOS晶体管相连。一个PMOS晶体管与使能EN、电源VDD相连,另一个PMOS晶体管与配置端口Kx相连。一个NMOS晶体管与地GND、信号BEN相连,另一个NMOS晶体管与配置端口K相连。本发明可以在断电时和再次上电后仍保持所配置的电阻,无须再次校准过程,能够大大加快高速串行电路等使用可配置上拉电阻网络的集成电路的启动速度。
SRAM动态阵列电源控制电路
SRAM动态阵列电源控制电路,涉及集成电路技术,本发明包括至少一个输出电压选择器,所述输出电压选择器由电流输出端相连的第一MOS管和第二MOS管构成,其中第一MOS管的电流输入端接第一电平端VDD,第二MOS管的电流输入端接第二电平端Vcc,两个MOS管的电流输出端作为输出电压选择器的输出端,与SRAM存储单元的电源线连接。本发明采用了多阈值CMOS组合设计技术,使得本发明在提高性能的同时,降低了功耗。
位线预充电技术
本发明题为“位线预充电技术”。本文所述的各种具体实施涉及一种具有位单元阵列的设备,该位单元阵列能够经由字线以及包括未选择位线和选定位线的位线访问。该位单元阵列中的每个位单元能够经由该字线的选定字线和该位线的该选定位线来选择。该设备可包括预充电电路,该预充电电路被配置为在该选定字线上的字线信号到达之前选择性地对该未选择位线和该选定位线预充电。
一种基准电流产生电路、方法、电子设备及测试工装
本发明公开了一种基准电流产生电路、方法、电子设备及测试工装,其中,电路包括:带转换开关的预充电电路、以若干第一存储单元调节输出电流的基准电流生成电路、带转换开关的比较电路、基准电流读取电路,所述预充电电路可通过基准电压信号调节基准电流生成电路中第一存储单元的阈值电压以改变初始基准电流信号而调节最终基准电流信号;该基准电流产生电路产生的最终基准电流信号是基于第一存储单元调节产生的,相比传统基于基准电压和电阻产生的基准电流,本申请实施例解决了利用基准电压和电阻产生的基准电流无法很好地精确匹配于目标存储单元因制程/电压/温度的浮动影响而输出的电流使用,导致读取操作精度不准确的问题。
状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置
本发明提供了一种状态寄存器及其写操作方法、芯片、装置,把各存储单元的栅极连接在不同的字线上,把各存储单元的漏极连接在不同的位线上,当只需要对部分存储单元进行编程或擦除时,只向需要操作的存储单元的字线施加相应的电压,不向其它存储单元的字线施加该电压,从而无需操作的存储单元不会受到额外的压力,避免由于这些额外的压力影响存储单元的电学特性。
存储单元门限电压读取方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种存储单元门限电压读取方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括以下步骤:对芯片全片编程写入棋盘格数据;调节芯片内部参考电压,并记录在所述芯片内部参考电压调节过程中出现数据变化信息的存储单元的个数及对应存储单元的地址;根据参考电压的数值和在对应参考电压下出现数据变化信息的存储单元的个数绘制门限电压分布图;本申请实施例提供的一种存储单元门限电压读取方法,可直观、精确地反映出芯片中存储单元中门限电压的分布情况,实现可视化地表现出芯片的数据保持能力。
用于芯片的电压切换方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种用于芯片的电压切换方法、装置、电子设备及存储介质,其中,方法包括步骤:S1、设定若干基准电压;S2、串入预设数量的分压电阻和比较器;S3、输入并依次切换对应于基准电压的输出电压,使比较器的分压与基准电压相等,遍历基准电压后记录该步骤中最大的输出电压为跳步电压;S4、增加串入的分压电阻的数量;S5、忽略当前串入分压电阻下对应于输出电压小于跳步电压的基准电压;S6、重复步骤S3-S5,直至获得需求的输出电压。该方法通过记录跳步电压限定接入的基准电压范围,避免了无效电压的产生,在芯片的读取/写入/擦除操作实际应用过程中,可有效减少相应操作处理时间,从而提高芯片处理效率。
调整读操作电压值的方法、装置、电子设备及存储介质
本申请提供了一种调整读操作电压值的方法、装置、电子设备及存储介质,其技术方案要点是:包括:获取预设置在存储单元中的一组不等同数据的读取结果;对所述读取结果进行异或处理得到0或1的处理结果;根据所述0或1的处理结果调整电压值重复读取所述不等同数据得到随电压变化的01图像,将所述01图像中1所处位置对应的电压值作为读取配置信息的电压值。本申请提供的一种调整读操作电压值的方法、装置、电子设备及存储介质具有能够准确找到读取电压值的优点。