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最新技术
编程方法、存储电路结构、装置、电子设备及存储介质
本申请提供了一种编程方法、装置、电子设备及存储介质,其技术方案要点是:编程电路与编程校验电路各自使用独立的数据线,该方法的步骤包括:获取用户发送的多区块编程指令;根据所述多区块编程指令控制对应的两个区块执行编程操作或编程校验操作,使两个所述区块之间的编程操作与编程校验操作交替同步执行,两个所述区块为区块0和区块1;根据编程校验结果选择执行编程操作直至所有区块通过编程校验。本申请提供的一种提高多区块编程效率的方法、装置、电子设备及存储介质具有编程效率高的优点。
非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质
本发明提供了一种非易失性存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质,通过对选定的存储单元进行擦除操作;对所述选定的存储单元进行擦除验证,并在执行擦除验证的读操作时对选中的存储单元的栅极施加第一电压,对未选中的存储单元的栅极施加第一负电压;从而有利于使未选中的存储单元完全关断,因而不会产生额外的漏极电流,进而降低把未擦除成功的存储单元读成擦除成功的存储单元的概率。
加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备
本申请提供了一种加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备,其技术方案要点是:包括:获取对上一编程地址的编程过程中成功进行编程所需要的编程次数A;根据所述编程次数A,在对本次编程地址的编程过程中的第A次编程时进行编程校验,并将本次编程地址的编程过程中成功编程所需要的编程次数更新为A。本申请提供的一种加快NOR FLASH编程速度的方法、装置、电子设备及存储介质具有减少传统编程流程中冗余的编程校验次数、提高编程效率的优点。
一种减少擦除时间的方法、装置、电子设备及存储介质
本发明公开了一种减少擦除时间的方法、装置、电子设备及存储介质,其中方法包括以下步骤:S1、对扇区中存储单元进行预编程;S2、对扇区中存储单元进行擦除操作;S3、校验擦除后的扇区,忽略其内存储单元均全部成功擦除的扇区;S4、重复步骤S2-S3,直至所有扇区的存储单元均完成擦除;S5、对所有扇区中存储单元进行过擦除检测及修复;该方法通过周期循环进行扇区擦除并标记忽略已完成擦除的扇区,逐步忽略完成擦除操作的扇区以针对性地执行擦除操作,可免去对已擦除扇区的无效操作,有效避免对完成擦除的扇区造成过擦除,减少了过擦除的修复时间,提高了NOR Flash芯片的擦除效率。
一种存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质
本申请提供了一种存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质,其技术方案要点是:获取在执行擦除操作以及弱编程操作过程中的电压信息;根据所述电压信息来决定状态机是否跳转至弱编程状态;所述状态机的工作状态至少包括空闲状态、跳转至弱编程状态、跳转至结束状态。本申请提供的一种存储器擦除方法、装置、电子设备及存储介质具有减少过擦除造成后续读操作出现读取错误的优点。
阈值电压的获取系统、传递方法、装置、设备及存储介质
本发明公开了一种阈值电压的获取系统、传递方法、装置、设备及存储介质,其中,系统包括:控制单元,用于生成多条控制信息;FPGA单元,用于接收并寄存所述控制信息,将所述控制信息整合为控制指令,并使所述闪存写入所述控制指令而生成相应的实际数据信息;所述FPGA单元可读取所述实际数据信息,并将所述实际数据信息反馈给控制单元,所述控制单元可根据所述实际数据信息和所述目标数据信息判断所述测量电压是否为阈值电压。本申请实施例中获取系统设置FPGA单元作为中间层接收并寄存控制单元生成的控制信息,使之整合成完整的控制指令再发送写入闪存,避免获取闪存阈值电压时闪存中产生指令执行错误与漏执行的问题。
一种非易失型存储器擦除方法、装置、存储介质和终端
本发明公开了一种非易失型存储器擦除方法、装置、存储介质和终端,在NOR FLASH进行擦除操作初始阶段,对进行擦除操作flash cell施加第一衬底正高压爬升值进行擦除操作,对与该flash cell对应位线施加第一过擦除检测电压进行过擦除检测,flash cell的Vt不低于0V,第一过擦除检测电压采用粗衬底正高压台阶,这就解决传统NOR flash因为要避免过擦除而牺牲擦除操出速度性能的问题;当检测到出现过擦除的flash cell,将flash cell衬底正高压爬升值变成细衬底正高压爬升值,对应位线过擦除检测电压也随之降低,在降低过擦除发生概率的同时保证字线电荷泵的面积能大幅度减小。
防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端
本发明公开了一种防止因过擦除造成读错误的方法、装置、存储介质和终端,在接收到擦除暂停指令时,立即响应擦除暂停指令中断擦除指令退出,满足指令响应的时间要求,在响应擦除中断的同时启动负电荷泵;在擦除暂停期间如果接收到读操作指令,通过负电荷泵对芯片内不需要执行读操作的存储单元施加负电压,通过正电荷泵对芯片内需要进行读操作的存储单元施加正电压,这样不但可以避免由于过擦除单元的存在导致读数据出错的问题,还可以保证读指令的响应时间要求。
3D NAND存储器及其抑制顶层存储层编程串扰的方法
一种3D NAND存储器及其抑制顶层存储层编程串扰的方法,包括:提供述3D NAND存储器,3D NAND存储器包括:若干层堆叠的存储层和位于存储层上的伪存储层,若干层堆叠的存储层中最上面的一层存储层为顶层存储层,与顶层存储层相邻的为底层伪存储层,每一层存储层中具有若干存储单元,每一层伪存储层中具有若干伪存储单元,最底层的存储层与半导体衬底之间具有下选择晶体管,最顶层的伪存储层上还具有上选择晶体管;在对所述顶层存储层中某一个存储单元进行编程时,将所述顶层存储层与所述底层伪存储层分别对应的控制栅施加相同的编程电压;在进行编程时,所述上选择晶体管打开,下选择晶体管关闭。本发明的方法防止顶层存储层的编程串扰。
参考单元替换方法、装置及存储介质
本发明公开一种参考单元替换方法、装置及存储介质,其中,参考单元替换方法包括接收擦除操作指令;测量参考单元的输出电流,当所述参考单元的输出电流与所述参考单元的设计电流不同,对所述参考单元执行替换操作;根据所述擦除操作指令执行擦除操作。本发明实施例中,当接收到擦除操作指令,存储芯片执行擦除操作之前,对参考单元的进行检测,并对出现问题的参考单元进行替换,可以有效解决参考单元随着存储芯片的使用时间增长而逐渐失效的问题,提高存储芯片的可靠性;另一方面,相对于读写操作来说,擦除操作花费的时间较长,因此选择在擦除操作前进行参考单元检测,可以避免检测过程对存储芯片的读写速度的影响。