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半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统
一种半导体存储器装置包括存储器磁芯,其执行数据的读取和写入；数据传递和训练块,其连接在第一焊盘与存储器磁芯之间；以及至少一个数据传递、时钟生成和训练块,其连接在至少一个第二焊盘与存储器磁芯之间。在第一训练操作中,所述数据传递和训练块通过所述第一焊盘输出通过所述第一焊盘接收的第一训练数据作为第二训练数据。在第二训练操作中,所述数据传递和训练块中的至少一个通过所述第一焊盘中的至少一个输出通过所述至少一个第二焊盘接收的第三训练数据作为第四训练数据。第二训练数据和第四训练数据与通过至少一个第二焊盘输出的读数据选通信号同步输出。
非易失性存储单元的参考电流确定方法、装置及存储介质
本发明公开一种非易失性存储单元的参考电流确定方法、装置及存储介质,其中,参考电流确定方法包括：接收测试机发送的测试参考电流指令,测试参考电流指令包括最小挡位数；生成若干挡互不相同的参考电流值；遍历参考电流值对存储芯片执行读操作,并分别对存储芯片进行读操作校验,记录能够通过校验的参考电流值的挡位数量、最大参考电流值和最小参考电流值；当挡位数量大于或等于最小电流挡位数,根据最大参考电流值和最小参考电流值确定应用于存储芯片的最佳参考电流值。应用本发明的方法,可以使得生产工艺不同的存储芯片能够根据自身内部实际情况设置参考电流值,从而弥补了生产工艺波动等因素带来的性能差异,提高芯片的可靠性。
数据存储装置及其操作方法
本公开涉及一种具有减少的开销的数据存储装置,根据所公开技术的实施例的数据存储装置可以包括：多个存储器芯片,每个存储器芯片包括多个平面；以及存储器控制器,被配置为执行恢复算法,该恢复算法恢复对与多个存储器芯片执行的读取操作之中失败的读取操作相对应的数据,并且存储器控制器可以使用与失败的读取操作之中所选择的读取操作有关的地址来生成将在第一恢复算法中使用的读取电压,并且使用该读取电压来对与失败的读取操作相关联的存储器位置执行第一恢复算法。
减少掉电后读错误几率的方法、装置、存储介质和终端
本发明公开了一种减少掉电后读错误几率的方法、装置、存储介质和终端,在芯片执行擦除操作期间,若发生异常掉电时,芯片内部自动启动断电中断保护,结束芯片的擦除操作,并根据所述擦除指令信息对芯片内的存储单元执行过擦除修复；若出现快掉电,此时可能已经对部分需要执行过擦除修复的存储单元执行完过擦除修复,在重新上电时,虽然还是会有过擦除导致读数据出错的问题,但因为有部分存储单元已经执过擦除修复,所以因过擦除导致读数据出错的几率会有所下降；若出现慢掉电,这时可以对芯片内需要执行过擦除修复的全部存储单元都执行完过擦除修复,在重新上电时,即可避免因过擦除造成的读数据错误的问题。
一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端
本发明公开了一种提高闪存编程效率的方法、装置、存储介质和终端,先将施加到地址线的电压切换到低压,然后遍历所有需要编程的数据的验证,验证完毕后找到flash内需要编程的地址,再将施加到地址线的电压切换到高压,对flash内需要编程的地址执行编程操作；虽然在对flash内需要编程的不同地址执行编程操作时,也需要在不同的地址间进行切换,还是会存在地址线的升压和降压导致的循环充放电过程,但是对于flash内不需要编程的地址则不再需要进行电压的升降切换,从而提高了编程的效率,在需要编程的数据的量足够大时,编程效率的提高效果非常明显。
一种对多区块同时编程的方法装置、电子设备及存储介质
本申请提供了一种对多区块同时编程的方法、装置、电子设备及存储介质,其技术方案要点是：包括：根据用户发送的多区块编程指令对相应的多区块同时执行编程操作；对执行完编程操作的对应的所述多区块分别执行单独连续的编程校验操作,并根据编程校验结果选择继续执行编程操作直至所述多区块全部通过编程校验。本申请提供的一种对多区块同时编程的方法装置、电子设备及存储介质具有提高整体编程效率的优点。
一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端
本发明公开了一种提高编程效率的方法、装置、存储介质和终端,每次读取至少一个锁存器内缓存编程数据,将芯片内与编程数据对应的地址中需要编程的数据位数与编程带宽比较,若小于编程带宽,将对芯片内对应的地址执行一次编程,而不管这些缓存数据中需要编程的地址的分布是集中还是分散,极大缩短整个编程时间,提升编程效率的效果明显；若大于编程带宽,则将编程数据按照编程带宽分成多段,根据分段逐一对芯片内对应的地址执行编程；因为芯片的编程能力只是受限于每次执行编程时实际需要编程的数据位数而不是每次执行编程时跨越的数据位数,只要每次执行编程时实际需要编程地址的位数在编程带宽内即可,既保证芯片编程正常进行,还提高编程效率。
一种降低编程功耗的方法、装置、存储介质和终端
本发明公开了一种降低编程功耗的方法、装置、存储介质和终端,读取一定长度编程数据,判断芯片内与该编程数据对应地址中需要编程的地址数量,若地址数量足够,编程模块发送一次编程脉冲,位线电荷泵在此脉冲内启动提供编程电流；若地址数量不足,则再读取一定长度编程数据,直至芯片内与读取的实际编程数据对应的地址中需要编程的地址数足够,且读取的实际编程数据长度不大于芯片最大编程长度,编程模块才会发送一次编程脉冲,位线电荷泵在此脉冲内启动提供编程电流,这样可减小位线电荷泵功耗；而且位线电荷泵分为多个驱动电流能力较小的位线电荷泵单元,根据每次需要编程的地址个数控制位线电荷泵单元启闭数量,以减少输出波纹和进一步减小能耗。
页缓冲器和具有页缓冲器的半导体存储器装置
本技术涉及一种页缓冲器和包括页缓冲器的半导体存储器装置。页缓冲器包括：第一锁存电路,其被配置为存储与第一编程状态和第二编程状态中的一个编程状态相对应的数据；位线控制器,其被连接至存储器块的位线,并且在编程验证操作中的位线预充电操作期间,通过根据存储在第一锁存电路中的数据向位线施加第一设置电压和第二设置电压中的一个设置电压,对位线进行预充电；以及第二锁存电路,通过主感测节点连接至位线控制器,并且被配置为在编程验证操作期间根据主感测节点的电位水平感测第一验证数据。
存储器设备及其操作方法
本公开的实施例涉及存储器设备及其操作方法。本文可以提供一种存储器设备及其操作方法。存储器设备可以包括：存储器单元阵列,其包括多个存储器单元,外围电路,其被配置为将多个存储器单元编程到多个编程状态,以及控制逻辑,其被配置为控制外围电路,使得与多个编程状态相对应的编程操作被执行,其中控制逻辑控制外围电路,使得在针对多个编程状态中的目标编程状态的编程操作期间,要被编程到与目标编程状态相比紧邻更高的编程状态的存储器单元被编程到目标编程状态。

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