本发明属于材料化学技术领域,具体涉及一种高介电性能的微米级二氧化钛填料,以及其制备PTFE高频基板的用途。本发明所述高介电性能的微米级二氧化钛粉体填料,以纳米级二氧化钛晶粒为原料,通过对杂质元素的成分及含量的稳定及精准控制,经高温煅烧制备所需微米级二氧化钛粉体。在煅烧过程中,离子半径较大的杂质离子会进入到二氧化钛晶格中,进而形成较大程度的晶格畸变,导致正负离子的极化强度变大,从而提高所得微米级二氧化钛粉体的介电常数,同时,高温煅烧后的粉体材料,由于其内部气孔率降低,其介电损耗也较小,可获得较高介电常数、较低介电损耗的微米级二氧化钛粉体填料,可满足于PTFE高频基板性能的要求。