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一种摩擦材料用钛酸钾晶须的制备方法
本发明公开了一种摩擦材料用钛酸钾晶须的制备方法,属于摩擦材料技术领域。该方法以二氧化钛和钾源为原料,以K-2O-MoO-3复合助熔剂为助溶剂,采用熔剂法制备得到摩擦材料用钛酸钾晶须。本发明采用K-2O和MoO-3的混合物作为复合助熔剂进行摩擦材料用钛酸钾晶须的制备,该复合助熔剂可以有效减少反应原料对反应设备的腐蚀;在反应过程中复合助熔剂采用分批加入的方式,可以使复合助熔剂的作用发挥到最大,使反应原料反应更加完全,减少原料浪费,增加收率。
一种单掺铀铌酸锂晶体及其制备方法
本发明提供了一种单掺铀铌酸锂晶体及其制备方法。本发明的单掺铀铌酸锂晶体是以纯度为99.99wt%Li-2CO-3、99.99wt%Nb-2O-5及纯度≧99.99%的UO-2为原料,其中,UO-2的掺杂量为0.6~2.0mol%,[Li]和[Nb]的摩尔比为0.937。制备步骤为:首先称取各原料充分研磨混合后烧结;再将研磨烧结后的多晶粉料放入铂金坩埚中采用坩埚下降法生长铀掺杂铌酸锂晶体。本发明的单掺铀铌酸锂晶体与同成分的铌酸锂晶体相比较,单晶质量较高且易于生长、其光折变效应增强、灵敏度提高;本发明的掺铀铌酸锂晶体有望推动铌酸锂晶体材料在全色全息存储及全息显示等领域的应用,并具有很大的市场应用前景。
一种高温高压合成含钡缺位钡白云石Ba-(1-x)Mg(CO-3)-(2-x)晶体的方法
本发明公开了一种高温高压合成含钡缺位钡白云石Ba-(1-x)Mg(CO-3)-(2-x)晶体的方法,使用分析纯的碳酸钡和分析纯的二水草酸镁以摩尔比(1-x):1研磨混合均匀作为起始原料,通过高温高压反应得到的含钡缺位钡白云石晶体样品。根据缺位钡白云石晶体结构,无缺位的钡白云石BaMg(CO-3)-2相的晶体结构和空间群为三方结构R-3m,无超晶格和氧有序;含钡缺位钡白云石Ba-(1-x)Mg(CO-3)-(2-x)相的晶体结构和空间群为三方结构R-3c,具有超晶格和氧有序。本发明填补了目前人工合成含钡缺位钡白云石方法的空缺,其晶体结构为解释钡白云石超晶格、氧有序的产生机制,以及镭在钡位置的富集等物理化学性质提供必不可少的实验支撑。
氨合氟化硼酸锌晶体及其制备方法和用途
本发明涉及一种氨合氟化硼酸锌晶体及其制备方法和用途。该晶体的化学式为Zn-2BO-3F(NH-3),分子量为225.66,属于六方晶系,空间群为P6-3mc,晶胞参数为Z=2。该晶体有较宽的透光范围,紫外透过截止边低于200nm,粉末倍频效率约为KDP的0.8倍。该晶体可采用水热法,通过程序降温的方法制备。该晶体可用于制作非线性光学器件,包括倍频发生器、频率转换器以及光参量振荡器。
单结晶金属氧化物半导体外膜生长装置
本发明提供一种单结晶金属氧化物半导体外膜生长装置,包括:反应腔室,具备有内部空间;基板安装单元,配置于所述内部空间,能够安装基板;金属氧化物处理单元,处理金属氧化物,并使在所述金属氧化物上产生的金属离子和氧离子供应至所述基板上;砷供应单元,与所述基板相对,将砷离子供应至所述基板;其中,所述金属氧化物处理单元包括:安装台,配置于所述内部空间,与所述基板相对,并且还设置有所述金属氧化物的氧化锌板;以及电子束照射器,向所述氧化锌板以直射的方式照射电子束,使所述氧化锌板上蒸发的锌离子和氧离子向所述基板移动。
一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法
一种PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加方法,它属于PVT法碳化硅晶体生长技术领域。本发明要解决的技术问题为通过改变粉料的添加方法来优化晶体生长。本发明第一粉料为纯碳化硅粉料、第二粉料为混合均匀的添加10-30wt%活性碳粉的碳化硅粉料、第三粉料为混合均匀的添加1-30wt%活性碳粉的碳化硅粉料,首先向坩埚底部加入一定质量的第一粉料,然后在坩埚中心插入第二粉料添加区相同体积、无上下底的圆筒,向圆筒中加入第二粉料,向圆筒和坩埚的缝隙中加入剩余的第一粉料,之后小心取出圆筒,再加入第三粉料,完成PVT法碳化硅晶体生长中附加碳源的粉料的添加。本发明能够提高生长出晶体的总质量。
一种监测熔体液面位置的方法、系统及计算机存储介质
本发明实施例公开了一种监测熔体液面位置的方法、系统及计算机存储介质;该方法可以包括:从所述待测液面与所述石英柱底端接触开始,按照设定的单次下降距离多次下降所述待测液面后,获取所述待测液面和所述石英柱底端的距离与籽晶在所述待测液面上形成的亮环之间的像素间距离的对应关系;在单晶硅棒生长过程中,获取所述单晶硅棒的尾端在熔体液面上形成的亮环之间的实测像素间距离;基于所述实测像素间距离以及所述对应关系,确定所述熔体液面与所述石英柱的底端的实测距离;基于所述实测距离与所述石英柱底端和所述导流筒的最低点的间距,获取所述熔体液面的实测位置。
采用提拉法生长翠绿宝石晶体的方法
本发明涉及激光晶体制造技术领域,尤其涉及一种采用提拉法生长翠绿宝石晶体的方法,采用提拉法籽晶定向生长,包括如下步骤:接种、放肩、等径生长、收尾及降温,最终得到翠绿宝石晶体,所得到翠绿宝石晶体利用率达到80%。本发明中当收尾结束后停止旋转和提拉并开始降温,通过P I D调节功率实现对晶体生长速率的控制,从而实现对晶体结晶速度的控制。本发明具有生长速度可控、生长尺寸大、重复性好的优点,适合工业化生产翠绿宝石晶体。
单晶熔接方法、装置、设备及计算机可读存储介质
本发明提供了一种单晶熔接方法、装置、设备及计算机可读存储介质,涉及太阳能光伏技术领域。其中,该方法可以在籽晶预热的过程中,检测融液的实时液面亮度值,并确定该实时液面亮度值与目标液面亮度值的实时偏差值,其中,目标液面亮度值为执行引晶操作时的液面亮度值,此时,可以在实时偏差值小于预热偏差值时调整籽晶的位置下降至预热偏差值对应的预热位置,从而对籽晶进行充分预热,再在实时偏差值小于熔接偏差值时,直接对籽晶进行熔接,标准化、自动化对籽晶熔接的操作,改良了熔接成功率、重现性,从而提高了产品的生产率和良率,降低了人工成本,避免了安全隐患。
长晶炉
本发明的目的在于提出一种长晶炉,长晶炉包括坩埚,坩埚用于承载硅液,漏硅检测装置,漏硅检测装置设置在坩埚下方,漏硅检测装置包括:检测线,检测线为导电金属丝,检测线设置在坩埚正下方投影区域,并在坩埚的投影区域进行排布;检测单元,检测单元与检测线的入线端和出线端相连接,用于检测检测线的电性能参数值。通过在坩埚正下方投影区域设置漏硅检测装置,当硅液从坩埚中漏出,会直接滴落在检测线上,检测单元感知到检测线的电性能参数的变化,及时反馈给长晶炉,从而使得漏硅被实时监控,进而避免危险的发生。