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最新技术
工艺检测方法及系统、设备、存储介质
一种工艺检测方法及系统、设备、存储介质,工艺检测方法包括:提供基底,基底上形成有底层功能结构、以及位于底层功能结构上方的待检测功能层,待检测功能层中形成有开口,开口露出底层功能结构;提供底层功能结构的版图图形作为第一版图图形,提供开口的版图图形作为第二版图图形;获取开口的轮廓图形;对轮廓图形与第二版图图形进行第一叠加处理,获得第一叠加图形;根据第一叠加图形比较轮廓图形与第一版图图形的相对位置关系,并根据相对位置关系检测薄弱点。所述底层功能结构所对应的第一版图图形的边界清楚且完整,因此,通过比较轮廓图形与第一版图图形的相对位置关系的方式,使得判断结果更精准,相应提高了工艺检测的精度。
参数处理方法、系统和计算机可读存储介质
本发明提出了一种参数处理方法、系统和计算机可读存储介质。其中,方法包括:获取目标参数的文本信息;识别文本信息中的项目信息和参数信息;根据项目信息和参数信息,生成目标参数表;根据目标参数表生成并存储编辑指示单。本发明参数处理方法,将文本目标参数整理成自动化程序能有效识别的键值对,在数据库中建立与之对应目标参数表,录入模板后生成并存储编辑指示单,从而实现了数据录入标准化、数据的存储和传输,避免人工手动录入编辑要求,保证录入准确度,有效避免数据错误并提高设计效率,解决了传统的纸质编辑指示单所带来的缺点和资源的浪费。
一种集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法
本发明属于电磁兼容领域,特别涉及一种集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法,该集成电路芯片每边设置一个接地引脚和若干个信号引脚,四个所述接地引脚关于所述集成电路芯片的中心旋转对称。本发明提供的估计方法包括:S1.任意选择所述集成电路芯片两个相邻边,将所述相邻边上接地引脚之间的信号引脚保留,删除其他信号引脚,得到简化模型;S2.从所述简化模型中选择最大平均吸收功率信号引脚,采用该最大平均吸收功率信号引脚的平均吸收功率来衡量所述集成电路芯片的引脚电磁耦合能量。本方法误差小,为集成电路电磁兼容设计提供了简单便捷的估计方法。
用模拟电路模拟量子逻辑门的模拟方法
用模拟电路模拟量子逻辑门的模拟方法,涉及模拟电路和量子逻辑门的仿真领域。解决了现有技术中存在缺乏通过硬件电路对量子逻辑门进行模拟的方法的问题。本发明基于由模拟电路构成的量子逻辑门实现,具体为:通过量子逻辑门对输入的两个信号和进行二维Hilbert空间的幺正变换,模拟量子逻辑门两个输出信号和用两个正弦电压信号x-0和x-1分别代表量子比特|0>态和|1>态在变换前几率幅的时域形式,和中分别含有x-0和x-1的相关信息;用含有正弦电压信号的和分别表征量子比特|0>态和|1>态在变换后的几率幅向量和获得量子当前叠加态;实现对量子逻辑门的模拟。主要用于模拟量子当前态。
一种磁环工频饱和特性模拟方法
本发明公开了一种磁环工频饱和特性模拟方法,将磁环的U-I曲线转换成反映磁环磁通和瞬时电流的ψ-i曲线;根据ψ-i曲线拟合磁通和瞬时电流;用ψ=∫udt代替拟合的磁通,得到电压瞬时值和电流瞬时值的关系;利用电压瞬时值和电流瞬时值关系中的第一项表示线性阻抗,将高次幂项作为非线性阻抗特征;采用压控电流源模拟磁环的饱和特性,将高次幂项系数作为压控电流源的控制系数,实现单个实验磁环工频饱和特性模拟。实现反映磁环工频饱和特性的等效模型并进行仿真,从而有效模拟磁环在工频下的饱和特性。同时通过不同磁环尺寸和个数下模型参数的修正,可以实现不同尺寸和个数下磁环的建模仿真。
退化模拟模型建立方法
本发明公开了一种退化模拟模型建立方法,包括以下步骤:提供具源极与漏极的平面p型MOSFET。测量p型MOSFET的第一可靠度退化数据。针对p型MOSFET选择具有热载子感应穿通建模参数的模型,这些建模参数包括用于修正源极与漏极间模拟电流的热载子注入参数。以退化参数乘以控制条件参数来构建建模参数。以选定的模型来执行p型MOSFET的模拟,以获得第二可靠度退化数据。若第一与第二可靠度退化数据不匹配,更新退化参数并重新执行p型MOSFET的模拟。若第一与第二可靠度退化数据匹配,收集退化参数以建立用于p型MOSFET的退化模拟模型。如此,可以提供更为精确的模拟结果。
基于观测硬件电路观测FPGA内部信号的方法
本发明公开了一种基于观测硬件电路观测FPGA内部信号的方法,涉及FPGA技术领域,该方法通过对FPGA芯片进行硬件改进设计并结合相应的软件功能配置共同实现,通过在FPGA芯片内加入单独的观测硬件电路,观测硬件电路中的观测点为FPGA芯片内部可编程逻辑资源的输出口,将用户电路中产生的待观测信号的电路结构布局在观测点处作为约束条件生成配置码流并加载到FPGA芯片上运行,从而可以在用户电路的运行过程中,使用观测硬件电路而非可编程逻辑资源实现对待观测信号的在线观测,避免了因为没有空闲的可编程逻辑资源而无法实现观测功能的现象,可以保证稳定实现观测目标。
基于观测硬件电路对比观测FPGA内部信号的方法
本发明公开了一种基于观测硬件电路对比观测FPGA内部信号的方法,涉及FPGA技术领域,该方法通过对FPGA芯片进行硬件改进设计并结合相应的软件功能配置共同实现,通过在FPGA芯片内加入单独的观测硬件电路并基于观测硬件电路的布局位置作为对信号的约束条件来生成配置码流,可以在用户电路的运行过程中,使用观测硬件电路而非可编程逻辑资源实现对待观测信号及其对应的参考信号的在线对比观测,从而确定待观测信号的相对行为,以满足相应的观测需要,可以保证稳定实现观测目标。
基于共享管脚分时观测FPGA内部不同信号的方法
本申请公开了一种基于共享管脚分时观测FPGA内部不同信号的方法,涉及FPGA技术领域,该方法通过对FPGA芯片进行硬件改进设计并结合相应的软件功能配置共同实现,通过在FPGA芯片内加入单独的观测硬件电路,并以观测硬件电路中观测点的位置作为待观测信号的布局位置的约束条件来生成配置码流,在用户电路的运行过程中,输出多路选择器根据切换信号切换观测不同的观测点处的待观测信号输出观测,从而可以实现基于一个观测管脚对不同信号分时观测的功能,观测具有稳定性,且切换过程的实时性较好。
一种TSV电镀填充添加剂本构模型的构建方法及系统
本发明属于集成电路三维封装领域,具体涉及一种TSV电镀填充添加剂本构模型的构建方法及系统。该方法包括:对电极进行预处理;配置电镀基础液和待测试添加剂,并将稀释后的电镀基础液注入五口电解池;连接电解池电路,在不同电势作用下采用计时安培法测量添加剂加入前后电镀基础液的电流-时间曲线;根据所述电流-时间曲线对电流密度进行归一化处理,获得所述添加剂的覆盖率;拟合不同电势下添加剂覆盖率随添加剂浓度的变化规律,并根据添加剂的吸附动力学构建本构方程,本发明实验步骤简单,成本低,且获得的本构模型可靠性高。