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一种集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法
本发明属于电磁兼容领域,特别涉及一种集成电路芯片引脚电磁耦合能量估计方法,该集成电路芯片每边设置一个接地引脚和若干个信号引脚,四个所述接地引脚关于所述集成电路芯片的中心旋转对称。本发明提供的估计方法包括:S1.任意选择所述集成电路芯片两个相邻边,将所述相邻边上接地引脚之间的信号引脚保留,删除其他信号引脚,得到简化模型;S2.从所述简化模型中选择最大平均吸收功率信号引脚,采用该最大平均吸收功率信号引脚的平均吸收功率来衡量所述集成电路芯片的引脚电磁耦合能量。本方法误差小,为集成电路电磁兼容设计提供了简单便捷的估计方法。
用模拟电路模拟量子逻辑门的模拟方法
用模拟电路模拟量子逻辑门的模拟方法,涉及模拟电路和量子逻辑门的仿真领域。解决了现有技术中存在缺乏通过硬件电路对量子逻辑门进行模拟的方法的问题。本发明基于由模拟电路构成的量子逻辑门实现,具体为:通过量子逻辑门对输入的两个信号和进行二维Hilbert空间的幺正变换,模拟量子逻辑门两个输出信号和用两个正弦电压信号x-0和x-1分别代表量子比特|0>态和|1>态在变换前几率幅的时域形式,和中分别含有x-0和x-1的相关信息;用含有正弦电压信号的和分别表征量子比特|0>态和|1>态在变换后的几率幅向量和获得量子当前叠加态;实现对量子逻辑门的模拟。主要用于模拟量子当前态。
一种磁环工频饱和特性模拟方法
本发明公开了一种磁环工频饱和特性模拟方法,将磁环的U-I曲线转换成反映磁环磁通和瞬时电流的ψ-i曲线;根据ψ-i曲线拟合磁通和瞬时电流;用ψ=∫udt代替拟合的磁通,得到电压瞬时值和电流瞬时值的关系;利用电压瞬时值和电流瞬时值关系中的第一项表示线性阻抗,将高次幂项作为非线性阻抗特征;采用压控电流源模拟磁环的饱和特性,将高次幂项系数作为压控电流源的控制系数,实现单个实验磁环工频饱和特性模拟。实现反映磁环工频饱和特性的等效模型并进行仿真,从而有效模拟磁环在工频下的饱和特性。同时通过不同磁环尺寸和个数下模型参数的修正,可以实现不同尺寸和个数下磁环的建模仿真。
退化模拟模型建立方法
本发明公开了一种退化模拟模型建立方法,包括以下步骤:提供具源极与漏极的平面p型MOSFET。测量p型MOSFET的第一可靠度退化数据。针对p型MOSFET选择具有热载子感应穿通建模参数的模型,这些建模参数包括用于修正源极与漏极间模拟电流的热载子注入参数。以退化参数乘以控制条件参数来构建建模参数。以选定的模型来执行p型MOSFET的模拟,以获得第二可靠度退化数据。若第一与第二可靠度退化数据不匹配,更新退化参数并重新执行p型MOSFET的模拟。若第一与第二可靠度退化数据匹配,收集退化参数以建立用于p型MOSFET的退化模拟模型。如此,可以提供更为精确的模拟结果。

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