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最新技术
改善膜层沉积工艺中首片效应的方法
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种改善膜层沉积工艺中首片效应的方法。所述改善膜层沉积工艺中首片效应的方法包括如下步骤:提供反应腔室;形成覆盖于所述反应腔室内壁的第一膜层,所述第一膜层储存有热量以维持所述反应腔室内稳定的热环境;放置晶圆至所述反应腔室;于所述晶圆表面形成第二膜层。可选的,形成覆盖于所述反应腔室内壁的第一膜层的具体步骤包括:传输第一反应气体和第二反应气体至所述反应腔室,所述第一反应气体与所述第二反应气体反应生成覆盖于所述反应腔室内壁的第一膜层。本发明减小或者是最大程度的改善了首片效应的影响,提高了半导体产品的良率,同时提高了机台产能。
用于沉积氮化硅膜的组合物和方法
本文描述了组合物、氮化硅膜和使用至少一种环二硅氮烷前体形成氮化硅膜的方法。在一个方面中,提供了一种形成氮化硅膜的方法,所述方法包括以下步骤:在反应器中提供衬底;向所述反应器内引入至少一种包含烃离去基团和两个Si-H基团的环二硅氮烷,其中该至少一种环二硅氮烷在至少一部分所述衬底的表面上反应以提供化学吸附层;采用吹扫气体吹扫所述反应器;向所述反应器内引入包含氮和惰性气体的等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点,其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm~2范围的功率密度生成。
一种表面具有纳米金刚石薄膜涂层的PCBN刀具及其制备方法
本发明提供了一种表面具有纳米金刚石薄膜涂层的PCBN刀具及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:将预处理后的PCBN刀具在纳米金刚石粉中进行干抛至光亮,然后置于基台上,放入微波等离子体化学气相沉积系统中抽真空,抽真空后通入第一反应源气体;开启微波等离子体化学气相沉积系统,微波激发第一反应源气体产生等离子体球,然后通入第二反应源气体开始沉积,沉积完成后得到表面具有纳米金刚石薄膜涂层的PCBN刀具;所述制备方法优化了微波等离子体化学气相沉积工艺,通过调控制备条件,在刀具表面均匀沉积纳米级金刚石涂层,有效提高了金刚石涂层的薄膜质量与稳定性,延长了刀具的使用寿命,具有较好的工业化应用前景。
耐候性良好的硫化物荧光体及制备耐候性良好的荧光体的化学沉积法
本发明提供一种耐候性良好的硫化物荧光体:包括基底和沉积在基底的表面的分子沉积膜,基底为碱土硫化物发光材料,分子沉积膜中包括通式为A-xB-y的化合物,其中B选自O元素、N元素中的至少一种。基于分子沉积膜具有规律排布的薄膜特性,本发明通过在碱土硫化物发光材料的表面沉积分子沉积膜,能够在碱土硫化物发光材料的表面形成致密的保护膜,由此能够对碱土硫化物发光材料起到有力而长效的保护,使碱土硫化物发光材料长期维持其应有的发光性能,延长应用碱土硫化物发光材料的产品的使用寿命。