本发明公开了一种FeSe-(1-x)Te-x靶材的制备工艺,在热压烧结时,对烧结炉腔体以氩气抽洗三次,真空度保持在10~(-2)Pa,对模具中的粉胚施加27MPa的压强,在整个烧结过程中保持该压强,以30%的输出功率经由30min升温至400℃,再以50%的输出功率经由30min升温至目标温度400℃-700℃,最终在400℃-700℃保温12小时。本技术工艺制备的FeSe-(1-x)Te-x靶材相比于现有工艺所制备的靶材,其致密性得到了较大的提高,并且可以通过改变烧结目标温度连续调控FeSe-(1-x)Te-x靶材的致密性,同时制得的FeSe-(1-x)Te-x靶材成相好;解决了现有工艺制备的FeSe-(1-x)Te-x靶材不够致密,经脉冲激光多次轰击后易粉化的问题;本制备工艺易于实现工业化,可用于百米、千米级FeSe-(1-x)Te-x长带涂层导体的制备,具有良好的应用前景。