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制备(I-III-VI族)AgInS-2量子点的方法
本发明公开了制备(I-III-VI族)AgInS-2量子点的方法。该方法包括:将Ag源、In源、表面配体与第一溶剂混合,得到阳离子前驱体溶液;将S源与第二溶剂混合,得到阴离子前驱体溶液;将所述阳离子前驱体溶液进行第一加热处理后,向所述阳离子前驱体溶液中注入所述阴离子前驱体溶液,并进行第一合成反应,得到AgInS-2量子点原液;对所述AgInS-2量子点原液进行离心处理,并对所得清液进行清洗处理,得到所述AgInS-2量子点。该方法可制备得到窄带边发射的AgInS-2量子点,且方法可控性高,能够满足实际应用的要求。
量子点修饰方法
本发明公开了一种量子点修饰方法,该方法通过确定介电常数小于或者等于预设数值的第一溶剂与介电常数大于预设数值的第二溶剂,根据配体、第一溶剂与第二溶剂得到介电常数为2~10的目标配体溶液,再将目标配体溶液与待修饰量子点溶液混合,得到目标量子点溶液,利用配体完成对量子点缺陷的修复处理。本发明通过根据配体、低介电常数溶剂与高介电常数溶剂得到介电常数为2~10的目标配体溶液,再将目标配体溶液与待修饰量子点溶液混合反应,得到目标量子点溶液,可以在量子点合成之后再对量子点进行配体修饰,减少了量子点表面的缺陷,提高了量子点的荧光强度。

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