具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的无边框液晶显示器(LCD)装置的实施方式，使得本公开内容所属领域的技术人员能够容易地实践实施方式。

根据下面结合附图的详细描述，将更清楚地理解本公开内容的优点和特征以及实现其的方法。然而，本公开内容不受稍后将公开的实施方式限制，而是可以以不同的各种形式来实现。本公开内容的实施方式旨在给本公开内容所属领域的具有普通知识的人员完全描述本公开内容，并且仅由所附权利要求限定。应当注意，遍及说明书，使用相同的附图标记来表示相同或相似的元件。因此，附图中的层和区域的尺寸和相对尺寸可能被夸大以使描述更清楚。

指示元件或层被布置“在特定元件或层上”的表达除了元件或层直接设置特定元件或层上的情况之外包括其间置入另外的层或元件的所有情况。相对地，指示元件“直接地”设置在特定元件上的表达指的是在其间没有置入另外的元件或层。

此外，如图所示，在本文中可以使用诸如“在……下方”、“在……下”、“下”、“上方”和“上”的空间相对术语来容易地描述一个元件或部件与另外的元件或部件之间的关系。空间相对术语应被理解为包括除了附图所示的取向之外的元件在使用或操作中的不同取向。例如，如果图中的这些元件被翻转，则被描述为“在另外元件下方”或“在另外元件下”的元件将被定向成在“另外元件上方”。因此，示例性术语“在……下方”可以包括上方和下方的取向。

本说明书中使用的术语仅旨在描述具体实施方案，而非旨在限制本发明。在本说明书中，单数表达包括复数表达，除非在上下文中具体指出相反的描述。在本说明书中，应当理解，诸如“包括”和/或“包含”的术语仅用于表示存在特征、数量、步骤、操作、部件、部分或其组合，而非旨在排除将存在或添加一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、部件、部分或其组合的可能性。

图5是根据本公开内容的实施方式的无边框in-cell式触摸LCD装置的示意性剖视图。

在此，图5示意性示出边缘场切换(FFS)型液晶面板的一部分，该液晶面板以如下方式实现图像，该方式使得在像素电极和公共电极之间形成的边缘场驱动在穿透狭缝之后位于像素区域中和公共电极上的液晶分子。然而，本公开内容不限于此，而是还可以应用于使用横向电场的平面内切换(IPS)型LCD装置以及FFS型LCD装置。

参照图5，根据本公开内容的无边框LCD装置的特征在于：上衬底101被实现为薄膜晶体管衬底，而下衬底151被实现为滤色器衬底。亦即，根据本公开内容的无边框LCD装置的特征在于：与常规结构不同，具有相对较大面积的上衬底被布置在下衬底上方。在此，在上衬底101上形成有作为开关元件的薄膜晶体管以及各种类型的线和电极，以限定像素区域(未示出)。

此外，在下衬底151上可以形成有用于显示三原色例如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的滤色器层155以及用于分隔各个像素区域(未示出)的黑矩阵(BM)153。在下衬底151的外表面上形成有下偏振板(未示出)。

亦即，在上衬底101上可以形成有：水平和垂直排列并且限定多个像素区域(未示出)的多条栅极线(未示出)和数据线113；形成在栅极线与数据线113的交叉区中作为开关元件的薄膜晶体管；以及形成在像素区域中的像素电极125。

此外，当LCD装置为诸如扭曲向列(TN)类型的垂直电场类型时，在下衬底151上形成有公共电极(未示出)，而当LCD装置为诸如平面内切换(IPS)或边缘场切换(FFS)类型的水平电场类型时，在上衬底101上可以形成有像素电极125连同公共电极105。

如图5所示，在用于形成薄膜晶体管的上衬底101上形成有基于氮化物的绝缘层103。在此，基于氮化物的绝缘层103可以通过阻挡由金属材料例如铜(Cu)制成的电极线所产生的颜色例如黄色的显现来改进屏幕显示特性，使得不显现黄色。亦即，当应用翻盖结构时，像素显示表面变成薄膜晶体管衬底101而不是如常规技术那样为滤色器衬底151，因此在金属线下方形成有基于氮化物的绝缘层103以提高金属线的反射亮度。

此外，在绝缘层103上形成有大面积公共电极105。公共电极105以大面积板的形状形成。

此外，在上衬底101上形成有分别单向延伸并且彼此平行地间隔开的多条栅极线(未示出)和数据线113。

此外，在栅极线与数据线113的每个交叉点处形成有由栅电极107、有源层109、欧姆接触层111、源电极113a和漏电极113b构成的薄膜晶体管T。此时，在基于氮化物的绝缘层103上形成有覆盖栅电极107的栅极绝缘层108。

此外，在上衬底101上方平行于数据线113形成有触摸线115。在此，数据线113和触摸线115以双倍速率驱动(DRD)形式交替布置。

然后，在包括薄膜晶体管T的衬底的整个表面上形成有保护层119。此外，在保护层119中形成有用于暴露漏电极113b的一部分的漏极接触孔(未示出)以及用于分别暴露公共电极105的一部分和相应的触摸线115的一部分的公共电极接触孔(未示出)和触摸线接触孔(未示出)。

此外，在保护层119上形成有像素电极125和耦接线127，其中每个像素电极125与公共电极105交叠，并且通过漏极接触孔与漏电极113b电耦接，并且其中每条耦接线127通过公共电极接触孔(未示出)和触摸线接触孔(未示出)将公共电极105与触摸线115电耦接。

然后，在包括像素电极125和耦接线127的保护层119的整个表面上形成有上取向层(未示出)。

同时，在下衬底151上形成有用于阻挡光向像素区域以外的区域透射的黑矩阵153。

此外，在下衬底151的像素区域中形成有红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器155。在此，在下衬底151上在红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器155之间形成有黑矩阵153。

此外，ITO可以另外形成在下衬底151的后表面上，那么可以用于防ESD，从而增强防ESD特性。

同时，当上衬底101和下衬底151彼此附接时，黑矩阵153被布置成与上衬底101的像素区域以外的区域例如薄膜晶体管T、栅极线(未示出)和数据线113上方的区域交叠。

虽然在图中未示出，但是在下衬底151的后表面上形成有使得液晶沿一定方向对准的下取向层(未示出)。

当通过薄膜晶体管T将数据信号提供给像素电极125时，在像素电极125与给其提供公共电压的大面积公共电极105之间形成有边缘场，使得在上衬底101和下衬底151之间水平取向的液晶分子由于介电各向异性而旋转。因此，通过像素区域的光的透射率根据液晶分子的旋转度而变化，从而能够实现灰度(渐变)。

以这种方式，根据本公开内容的无边框in-cell式触摸LCD装置可以通过用于形成薄膜晶体管的上衬底101来实现屏幕显示和屏幕触摸，上衬底101的面积大于用于形成滤色器的下衬底151的面积，从而提高触摸性能和ESD性能。

此外，本公开内容可以通过用于形成薄膜晶体管的上衬底101来实现屏幕显示和屏幕触摸，上衬底101的面积大于用于形成滤色器的下衬底151的面积，因此提高触摸性能和ESD性能。

在本公开内容中，手指171与公共电极105之间的距离减小，而其之间的手指电容C2增大，从而可以提高手指灵敏度。公共电极105上的接触区域增大，使得可以提高感测手指触摸时的触摸灵敏度。

此外，在本公开内容中，触摸线115的电阻由于触摸线115与像素电极125之间的电容减小而减小，从而能够提高触摸灵敏度。

图6是示意性示出根据本公开内容的实施方式的其中无边框in-cell式触摸LCD装置的数据线和触摸线以DRD形式交替布置的结构的图。

参照图6，根据本公开内容的实施方式的in-cell式触摸LCD装置采用高级平面内切换DRD(AH IPS DRD)结构，在该结构中数据线113和触摸线115以交替(双倍速率驱动：DRD)结构即它们彼此交替的结构形成在上衬底101上。

将在下面参照图7示意性描述根据本公开内容的具有上述构造的无边框in-cell式触摸LCD装置的掩模制造工艺。

图7是示出根据本公开内容的无边框in-cell式触摸LCD装置的掩模制造工艺的流程图。

参照图7，根据本公开内容的无边框in-cell式触摸LCD装置的掩模制造工艺包括：在用于形成薄膜晶体管的上衬底上形成公共电极的第一掩模工艺S101；在包括公共电极的上衬底上形成栅电极的第二掩模工艺S102；在包括栅电极的上衬底上形成有源层、源电极、漏电极和触摸线的第三掩模工艺S103；在覆盖源电极、漏电极和触摸线的保护层中形成用于暴露漏电极的漏极接触孔并且形成用于分别暴露公共电极和触摸线的公共电极接触孔和触摸线接触孔的第四掩模工艺S104；以及在保护层上形成耦接至漏电极的像素电极、耦接至公共电极和触摸线的耦接线的第五掩模工艺S105。

另外，虽然在图中未示出，但是用于根据本公开内容的无边框in-cell式触摸LCD装置的掩模制造工艺可以包括：在用于形成滤色器的下衬底上形成黑矩阵的掩模工艺；以及在下衬底上在由黑矩阵限定的区域之间形成滤色器的掩模工艺。

以这种方式，根据本公开内容的无边框in-cell式触摸LCD装置可以通过在形成有源层、源电极和漏电极的同时形成触摸线来省略用于形成触摸线的现有掩膜工艺，并且通过在形成漏极接触孔的同时形成触摸线接触孔来省略形成触摸线接触孔的现有掩膜工艺，从而减少常规技术中需要的制造工艺中的掩膜的数量。

同时，下面将参照图8A至图8H描述制造根据本公开内容的无边框in-cell式触摸LCD装置的方法。

图8A至图8H是示出根据本公开内容的制造无边框in-cell式触摸LCD装置的工艺的剖视图。

图9是示意性示出根据本公开内容的无边框in-cell式触摸LCD装置的ESD路径的图。

根据本公开内容的无边框LCD装置的特征在于：薄膜晶体管衬底被实现为上衬底101，而滤色器衬底被实现为下衬底151。亦即，根据本公开内容的无边框LCD装置的特征在于：与常规技术不同，具有相对较大面积的上衬底被布置在下衬底上方。在此，在上衬底101上，形成有作为开关元件的薄膜晶体管以及各种类型的线和电极，以限定像素区域(未示出)。

首先，如图8A所示，在其上限定有多个单位像素区域的透明上衬底101的整个表面上沉积氮化物层103。在此，氮化物层103可以由选自基于氮化物的绝缘材料中的任一种来制成。

在此，氮化物层103可以通过阻挡由金属材料例如铜(Cu)制成的电极线所产生的颜色例如黄色的显现来改进屏幕显示特性，使得不显示黄色。亦即，当应用翻转结构时，像素显示表面变成上衬底101而不是如常规技术那样为下衬底151，因此在金属线下方形成基于氮化物的绝缘层103以提高金属线的反射亮度。

接下来，在氮化物层103上形成第一透明导电材料层(未示出)之后，通过使用光刻技术对第一透明导电材料层(未示出)进行蚀刻来在氮化物层103上形成大面积板状的公共电极105。在此，使用选自包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明材料中的任何一种材料作为第一透明导电层(未示出)的材料。

接下来，在使用溅射方法在包括公共电极105的上衬底101上沉积第一金属层(未示出)之后，通过使用光刻技术对第一金属层(未示出)进行蚀刻来形成栅极线(未示出)以及从栅极线(未示出)垂直延伸的栅电极107。在此，选自包括铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼-钨(MoW)、钼-钛(MoTi)和铜/钼-钛(Cu/MoTi)的导电金属材料中的至少一种材料作为第一金属层(未示出)的材料。

此后，如图8B所示，在包括栅电极107和公共电极105的氮化物层103上沉积栅极绝缘层108。在此，栅极绝缘层108由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO₂)的绝缘材料制成。

接下来，在栅极绝缘层108上依次堆叠掺杂有杂质(n+或p+)的非晶硅层(a-Si：H)(未示出)和非晶硅层(未示出)。在这方面，可以使用化学气相沉积(CVD)法或其他沉积方法来沉积掺杂有杂质(n+或p+)的非晶硅层(a-Si：H)和非晶硅层。

然后，通过使用光刻技术选择性地对掺杂有杂质(n+或p+)的非晶硅层(a-Si：H)(未示出)和非晶硅层(a-Si：H)进行蚀刻在形成在栅电极107上的栅极绝缘层108上形成有源层109和欧姆接触层111。

接下来，如图8C所示，在栅极绝缘层108上形成覆盖有源层109和欧姆接触层111两者的第二金属层(未示出)。在此，选自包括铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、铬(Cr)、钛(Ti)、钼-钨(MoW)、钼-钛(MoTi)和铜/钼-钛(Cu/MoTi)的导电金属材料中的至少一种材料作为第二金属层(未示出)的材料。

接下来，通过使用光刻技术选择性对第二金属层(未示出)进行蚀刻形成连同被布置成与栅极线(未示出)相交的数据线113、从数据线113延伸的源电极113a以及与源电极113a间隔开的漏电极113b。在这方面，当形成源电极113a和漏电极113b时，也对其下方的欧姆接触层111的一部分进行蚀刻，因此源电极113a和漏电极113b相对于有源层109的沟道区(未示出)彼此分隔开。

此外，在形成数据线113的同时，形成平行于数据线113而布置以与数据线113交替的触摸线115。

此后，如图8D所示，在包括源电极113a和漏电极113b的衬底上形成由作为无机绝缘材料的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO₂)制成的保护层119。

然后，如图8E所示，通过使用光刻技术选择性地对保护层119进行蚀刻同时分别形成用于暴露漏电极113b的一部分的漏极接触孔121a以及用于分别暴露公共电极105和触摸线115的公共电极接触孔121b和触摸线接触孔121c。

接下来，如图8F所示，在保护层119上形成第二透明导电材料层(未示出)之后，通过使用光刻技术对第二透明导电材料层(未示出)进行蚀刻在保护层119上形成多个像素电极125和耦接线127。在这方面，选自包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)的透明材料的任何一种材料作为透明导电材料层的材料。

接下来，每个像素电极125通过漏极接触孔121a电耦接至漏电极113b，并且每个耦接线127通过公共电极接触孔121b和触摸线接触孔121c将公共电极105与触摸线115电耦接。

此外，虽然在图中未示出，但是在包括像素电极125和耦接线127的保护层119上形成上取向层(未示出)，因此制造用于形成根据本公开内容的in-cell式触摸LCD装置的薄膜晶体管阵列的上衬底的工艺完成。

此后，如图8G所示，在附接至薄膜晶体管衬底即上衬底101而与上衬底101间隔开的下衬底151上形成黑矩阵(BM)153，以阻挡光向像素区域以外的区域透射。

接下来，在下衬底151的像素区域中形成红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器155。在此，黑矩阵153在红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器155之间被布置在滤色器阵列衬底151上。

此后，当下衬底151附接至上衬底101时，黑矩阵153被布置成与上衬底101的像素区域以外的区域例如薄膜晶体管T、栅极线(未示出)和数据线113上方的区域交叠。

虽然在图中未示出，但是在滤色器155上形成上取向层(未示出)，以使液晶沿一定方向对准，从而完成了制造下衬底的工艺。

接下来，如图8H所示，在上衬底101和下衬底151之间形成液晶层161，从而完整地制造了根据本公开内容的实施方式的in-cell式触摸LCD装置。

图9是示意性示出根据本公开内容的实施方式的无边框in-cell式触摸LCD装置的静电释放(ESD)路径的图。

如图9所示，在根据本公开内容的实施方式的in-cell式触摸LCD装置中，通过公共电极105以及与公共电极105耦接的印刷电路板(PCB)的地线181来实现用于外部产生的静电的释放路径195。

同时，下面将参照图10和图11描述根据本公开内容的另外实施方式的in-cell式触摸LCD装置。

图10是示意性示出根据本公开内容的另外实施方式的无边框in-cell式触摸LCD装置的剖视图。

图11是示意性示出根据本公开内容的另外实施方式的无边框in-cell式触摸LCD装置的ESD路径的图。

参照图10和图11，根据本公开内容的另外实施方式的无边框in-cell式触摸LCD装置的结构几乎与根据本公开内容的实施方式的无边框in-cell式触摸LCD装置的结构相同，并且实施方式之间的区别仅在于：具有几十kΩ的电阻器270另外耦接至与in-cell式触摸LCD装置耦接的PCB。

下面将参照图10和图11描述根据本公开内容的另外实施方式的无边框in-cell式触摸LCD装置。薄膜晶体管衬底被实现为上衬底201，而滤色器衬底被实现为下衬底251。亦即，与常规结构不同，根据本公开内容的in-cell式触摸LCD装置的特征在于：具有相对较大面积的上衬底被布置在下衬底上方。在此，在上衬底201上形成有作为开关元件的薄膜晶体管以及各种类型的线和电极，以限定像素区域(未示出)。

此外，在下衬底251上可以形成有用于显示三原色例如红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的滤色器层(未示出)以及用于分隔各个像素区域(未示出)的黑矩阵(BM)(未示出)。在下衬底251的外表面上形成有下偏振板(未示出)。

亦即，在上衬底201上可以形成有：水平和垂直布置并且限定多个像素区域(未示出)的多条栅极线(未示出)和数据线(未示出)；形成在栅极线与数据线(未示出)的交叉区中作为开关元件的薄膜晶体管以及形成在像素区域中的像素电极225。

此外，当LCD装置为诸如扭曲向列(TN)类型的垂直电场类型时，在下衬底251上形成有公共电极(未示出)，而当LCD装置为诸如平面内切换(IPS)或边缘场切换(FFS)类型的水平电场类型时，在上衬底201上可以形成有像素电极225和公共电极205。

此外，在上衬底201上形成有大面积公共电极205。公共电极205以大面积板的形状形成。

此外，在上衬底201上形成有分别单向延伸并且彼此平行地间隔开的多条栅极线(未示出)和数据线(未示出)。

此外，在栅极线与数据线的交叉点处形成有薄膜晶体管(未示出)。

在上衬底201上，平行于数据线(未示出)形成有触摸线(未示出)。在此，数据线(未示出)和触摸线(未示出)以双倍速率驱动(DRD)形式交替布置。

然后，在包括薄膜晶体管(未示出)的衬底的整个表面上形成有保护层219。此外，在保护层219中形成有用于暴露漏电极(未示出)的一部分的漏极接触孔(未示出)以及分别用于暴露公共电极205的一部分和触摸线的一部分的公共电极接触孔(未示出)和触摸线接触孔(未示出)。

此外，在保护层219上形成有像素电极225和耦接线(未示出)，其中每个像素电极225与公共电极205交叠，并且通过漏极接触孔与漏电极电耦接，并且其中每条耦接线(未示出)通过公共电极接触孔(未示出)和触摸线接触孔(未示出)将公共电极205与触摸线(未示出)电耦接。

然后，在包括像素电极225和耦接线(未示出)的保护层219的整个表面上形成有上取向层(未示出)。

同时，在下衬底251上形成有用于阻挡光向像素区域以外的区域透射的黑矩阵(未示出)。

此外，在下衬底251的像素区域中形成有红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器(未示出)。在此，在下衬底251上在红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器(未示出)之间形成有黑矩阵(未示出)。

同时，当上衬底201和下衬底251彼此附接时，黑矩阵(未示出)被布置成与上衬底201的像素区域以外的区域例如薄膜晶体管(未示出)、栅极线(未示出)和数据线(未示出)上方的区域交叠。

此外，虽然在图中未示出，但是在下衬底201的后表面上形成有能够使液晶沿一定方向取向的下取向层(未示出)。

同时，电阻器270另外设置地线281上，地线281被设置在与布置在上衬底201上的电路单元(未示出)耦接的PCB 310上。

此外，在上衬底201和下衬底251的侧表面上形成有点银部291，于是点银部291耦接至地线281。在此，通过公共电极205和地线281形成外部ESD路径295。

此外，在下衬底251的后表面上另外形成有由ITO制成的透明导电层257。在此，由于ITO可以应用于防ESD，因此可以提高防ESD性能。在这种情况下，通过透明导电层257、点银部291和地线281形成外部ESD路径297。

以这种方式，当通过薄膜晶体管将数据信号提供给像素电极225时，在像素电极225与给其提供公共电压的大面积公共电极205之间形成有边缘场，使得在上衬底201与下衬底251之间水平排列的液晶分子由于介电各向异性而旋转。因此，通过像素区域的光的透射率根据液晶分子的旋转度而变化，从而能够实现灰度等级(渐变)。

如上所述，根据本公开内容的in-cell式触摸LCD装置可以通过其面积大于滤色器衬底的面积的薄膜晶体管衬底来实现屏幕显示和屏幕触摸，因此提高触摸性能和ESD性能。

此外，本公开内容的优点在于：可以通过采用四边无边框设计来消除在常规技术中用于进行触摸的高电阻导电层，从而简化了制造工艺并且降低了制造成本。

此外，本公开内容的优点在于：在薄膜晶体管衬底与栅极线之间另外设置有基于氮化物的绝缘材料，使得可以防止由金属材料例如铜(Cu)制成的电极线所产生的颜色显现的现象，从而改进屏幕显示特性。

此外，本公开内容的优点在于：ITO可以另外形成在滤色器衬底的后表面上，并且可以用于防ESD，从而改进防ESD特性。

本公开内容的优点在于：由于手指与公共电极之间的距离减小，手指与公共电极之间的手指电容增大，从而提高手指灵敏度，并且增大了公共电极的接触面积，从而提高感测手指触摸时的触摸灵敏度。

此外，本公开内容的优点在于：将电阻器添加到耦接至面板的ESD路径的印刷电路板上的地线上，使得即使将ITO施加于滤色器的后表面，也可以确保触摸性能并且可以改进ESD特性。

此外，在常规技术中，由于数据线和触摸线被布置成彼此交叠的结构，触摸线电阻增大，并且应当实质上形成平坦化层以降低触摸线电阻。然而，本公开内容采用了其中其面积大于滤色器衬底的面积的薄膜晶体管衬底被布置在滤色器衬底上的翻盖式双倍速率驱动(DRD)结构，即，数据线和触摸线彼此不交叠的结构，从而可以省略在常规技术的情况下制造形成为防止触摸线电阻增大的平坦化层的工艺，从而简化了制造工艺并且降低了制造成本。

此外，本公开内容的优点在于：可以通过在形成有源层、源电极和漏电极的同时形成触摸线来省略形成触摸线的现有掩模工艺，并且可以通过在形成漏极接触孔的同时形成触摸线接触孔来省略形成触摸线接触孔的现有掩模工艺，从而减少常规技术中需要的制造工艺中的掩膜的数量。

如上所述，尽管已经参照附图描述了实施方式，但是本公开不限于此。

应当理解，上述术语例如“包括”，“包含”或“具有”仅旨在表示存在部件或元件或其组合，而非旨在排除将存在或添加一种或多种其他部件或元件或其组合的可能性。除非另有定义，否则本文使用包括技术或科学术语的所有术语与本公开内容所属领域的技术人员通常理解的术语具有相同的含义。与通常使用的字典中定义的术语相同的术语应被解释为具有与相关技术的语境意义相同的含义，而不被解释为理想或过度正式的含义，除非其在本说明书中被明确地定义。

如上所述，根据本公开内容的in-cell式触摸LCD装置可以通过薄膜晶体管衬底实现屏幕显示和屏幕触摸，薄膜晶体管衬底的面积大于滤色器衬底的面积，因此提高了触摸性能和ESD性能。

此外，本公开内容的优点在于，可以通过采用四边无边框设计来去除在常规技术中用于实现触摸的高电阻导电层，从而简化了制造工艺并且降低了制造成本。

此外，本公开内容的优点在于，在薄膜晶体管衬底和栅极线之间另外设置了基于氮化物的绝缘材料，从而可以防止由金属材料例如铜(Cu)制成的电极线所产生的颜色显现的现象，从而改善了屏幕显示特性。

此外，本公开内容的优点在于，可以在滤色器衬底的后表面上另外形成ITO并且可以用于防ESD，从而改善了防ESD特性。

本公开内容的优点在于：由于手指和公共电极之间的距离减小，手指和公共电极之间的手指电容增大，从而提高了手指灵敏度；以及公共电极的接触面积增大，从而提高了检测手指触摸时的触摸灵敏度。

此外，本公开的优点在于，电阻器添加到耦接至面板的ESD路径的印刷电路板上的地线上，使得即使在将ITO施加到滤色器的后表面的情况下也可以确保衬底的触摸性能，并且可以改善ESD特性。

此外，在常规技术中，由于其中数据线和触摸线布置成彼此交叠的结构，触摸线电阻增大，并且基本形成平坦化层以降低触摸线电阻。然而，本公开内容采用了倒装型双倍速率驱动(DRD)结构，在该结构中，面积大于滤色器衬底的面积的薄膜晶体管衬底被布置在滤色器衬底上，即，数据线和触摸线彼此不交叠的结构，从而可以省略如在常规技术的情况下制造被形成为防止触摸线电阻增大的平坦化层的工艺，从而简化了制造工艺并且降低了制造成本。

此外，本公开的优点在于：可以通过在形成有源层、源电极和漏电极的同时形成触摸线来省略现有的形成触摸线的掩模工艺；以及可以通过在形成漏极接触孔的同时形成触摸线接触孔省略现有的形成触摸线接触孔的掩模工艺，从而减少了在常规技术中需要的制造工艺中的掩模的数量。

以上描述仅旨在说明性地描述本公开内容的技术精神，并且本公开内容所属领域的技术人员可以在不脱离本公开内容的本质特征的情况下实现各种变型和修改。因此，本公开内容中公开的实施方式仅旨在描述本公开内容，而非限制本公开内容的技术精神，并且本公开内容的技术精神的范围不受这些实施方式的限制。本公开内容的范围应由所附权利要求限定，并且所附权利要求及其等同物的所有技术精神应被解释为包括在本公开内容的范围内。

发明构思

本发明提供了以下发明构思：

1.一种in-cell式触摸液晶显示装置，包括：

下衬底；

上衬底，所述上衬底被布置在所述下衬底上方以面对所述下衬底，所述上衬底的面积大于所述下衬底的面积；

公共电极，所述公共电极被设置在所述上衬底上方；

栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线被设置在所述上衬底上方并且被布置成彼此交叉以限定像素区域；

触摸线，所述触摸线平行于所述数据线而布置在所述上衬底上方；

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管被设置在所述栅极线和所述数据线的交叉点处；

保护层，所述保护层被设置在包括所述薄膜晶体管的所述上衬底上方，所述保护层被配置成暴露所述触摸线和所述公共电极中的每一个的一部分以及所述薄膜晶体管的漏电极的一部分；

像素电极，所述像素电极被设置在所述保护层上方并且耦接至所述漏电极；以及

耦接线，所述耦接线耦接至所述触摸线和所述公共电极。

2.根据发明构思1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，还包括：

基于氮化物的绝缘层，所述基于氮化物的绝缘层被设置在所述上衬底上方、所述公共电极下方。

3.根据发明构思1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，其中，所述公共电极以大面积板的形状形成。

4.根据发明构思1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，其中，所述公共电极形成在所述栅极线和所述数据线彼此交叉而形成的像素区域的整个表面上。

5.根据发明构思1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，其中，所述下衬底是滤色器衬底，并且所述上衬底是薄膜晶体管衬底。

6.根据发明构思1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，其中，通过所述公共电极和耦接至所述公共电极的印刷电路板的地线形成有静电释放路径。

7.根据发明构思6所述的in-cell式触摸液晶显示装置，还包括：

电阻器，所述电阻器被设置在形成所述静电释放路径的所述印刷电路板的所述地线上。

8.根据发明构思1所述的in-cell式触摸液晶显示装置，还包括：

透明导电层，所述透明导电层被设置在所述下衬底的后表面上。

9.根据发明构思8所述的in-cell式触摸液晶显示装置，其中，通过所述透明导电层、点银部和地线形成有静电释放路径。

10.一种制造in-cell式触摸液晶显示装置的方法，包括：

设置下衬底以及被布置在所述下衬底上方以面对所述下衬底的上衬底，所述上衬底的面积大于所述下衬底的面积；

在所述上衬底上方形成公共电极；

在所述上衬底上方形成被布置成彼此交叉以限定像素区域的栅极线和数据线；

形成平行于所述数据线而布置在所述上衬底上方的触摸线；

在所述栅极线和所述数据线的交叉点处形成薄膜晶体管；

在包括所述薄膜晶体管的所述上衬底上方形成保护层，所述保护层被配置成暴露所述触摸线和所述公共电极中的每一个的一部分以及所述薄膜晶体管的漏电极的一部分；

在所述保护层上方形成耦接至所述漏电极的像素电极；以及

形成耦接至所述触摸线和所述公共电极的耦接线。

11.根据发明构思10所述的方法，还包括：

在所述上衬底上方、所述公共电极下方形成基于氮化物的绝缘层。

12.根据发明构思10所述的方法，其中，所述公共电极以大面积板的形状形成。

13.根据发明构思10所述的方法，其中，所述公共电极形成在所述栅极线和所述数据线彼此交叉而形成的像素区域的整个表面上。

14.根据发明构思10所述的方法，其中，所述下衬底是滤色器衬底，并且所述上衬底是薄膜晶体管衬底。

15.根据发明构思10所述的方法，其中，通过所述公共电极和耦接至所述公共电极的印刷电路板的地线形成静电释放路径。

16.根据发明构思15所述的方法，还包括：

在形成所述静电释放路径的所述印刷电路板的所述地线上设置电阻器。

17.根据发明构思10所述的方法，还包括：

在所述下衬底的后表面上形成透明导电层。

18.根据发明构思17所述的方法，其中，通过所述透明导电层、点银部和地线形成静电释放路径。

19.根据发明构思10所述的方法，其中，通过相同的掩模工艺同时执行耦接至所述漏电极的所述像素电极在所述保护层上方的形成和耦接至所述触摸线和所述公共电极的所述耦接线的形成。

20.根据发明构思10所述的方法，其中，通过相同的掩模工艺同时执行所述数据线的形成和平行于所述数据线而布置在所述上衬底上方的所述触摸线的形成。