本发明的课题在于,提供一种在对相移膜进行湿法蚀刻时可以缩短过刻蚀时间、抑制基板的损伤、可以形成具有良好的截面形状、LER、且耐化学品性也良好的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版,光掩模在透明基板上具有通过对相移膜进行湿法蚀刻而得到的相移膜图案,相移膜由单层或多层构成,并且相对于整体膜厚的50%以上且100%以下包含由含有钼、锆、硅及氮的材料形成的MoZrSi系材料层,MoZrSi系材料层中的钼与锆的原子比率为Mo:Zr=1.5:1~1:4,硅相对于钼、锆及硅的合计的含有比率为70~88原子%。