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光掩模以及显示装置的制造方法
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技术分类
从印刷表面制备
采用蒙太奇方法制备
通过制备具有模拟浮雕的原版的照相过程的制备
通过带电粒子束
检查
辅助工艺,例如清洗
蚀刻
通过带电粒子束,例如电子束
通过成像的掩膜的图案化
通过带电粒束,例如聚焦离子束
掩膜缺陷的修复或校正
与平版印刷工艺要求相适应的掩膜的基板布局或设计,例如掩膜图案成像的第二次迭代校正
未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
专门适用于掩膜,空白掩膜或薄膜的容器;其制备
以框架为特征的,例如其结构或材料
薄膜或薄膜集合,例如在支持框架上具有薄膜;其制备
基板
具有两层或多层不同的吸收层,例如堆叠多层吸收层
有机吸收剂,例如光致抗蚀剂
吸收剂,例如不透明材料
反射镜
未包含在G03F1/20-G03F1/26组中的空白掩膜;其制备
保护涂层
抗反射涂层
测试或测量特征,例如网格图案、焦点监控、锯齿尺寸或缺口尺寸
校准或对齐特征,例如掩膜基板上的校准标记
与静电放电有关的特征,例如围绕掩膜基板的抗静电涂料层或导电金属层
具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正设计工艺
相边缘PSM,例如无铬PSM;其制备
衰减PSM,例如半色调PSM或者有半透明相移部分的PSM;其制备
交替式PSM,例如Levenson-ShibuyaPSM;其制备
凸缘PSM或者边框型PSM;其制备
在相同的PSM上具有三个或更多不同的相位;其制备
相移掩膜;PSM空白;其制备
反射掩膜;其制备
用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如X射线掩膜、深紫外掩膜;其制备
用于通过带电粒子束辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
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