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一种摩擦材料用钛酸钾晶须的制备方法
本发明公开了一种摩擦材料用钛酸钾晶须的制备方法,属于摩擦材料技术领域。该方法以二氧化钛和钾源为原料,以K-2O-MoO-3复合助熔剂为助溶剂,采用熔剂法制备得到摩擦材料用钛酸钾晶须。本发明采用K-2O和MoO-3的混合物作为复合助熔剂进行摩擦材料用钛酸钾晶须的制备,该复合助熔剂可以有效减少反应原料对反应设备的腐蚀;在反应过程中复合助熔剂采用分批加入的方式,可以使复合助熔剂的作用发挥到最大,使反应原料反应更加完全,减少原料浪费,增加收率。
一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备
本发明涉及晶体生长技术领域,提供了一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备。本发明利用GaN晶体粉末的分解为晶体生长提供镓源和氮源,无需外接氮源,并且本发明采用带有通孔的隔板将GaN晶体粉末和GaN籽晶分离开,可以避免GaN晶体粉末移动到GaN籽晶附近,GaN籽晶周围助熔剂的成分和比例不会发生改变,从而保证GaN晶体生长的可持续性和稳定性。本发明将重结晶技术引入到助熔剂法中,形成封闭的GaN晶体生长系统,提高了GaN晶体生长的稳定性,增强晶体生长的可延续性,延长晶体生长的时间,所得GaN晶体表面光滑整洁,质量高。