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一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备
本发明涉及晶体生长技术领域,提供了一种重结晶生长GaN晶体的方法以及一种晶体生长设备。本发明利用GaN晶体粉末的分解为晶体生长提供镓源和氮源,无需外接氮源,并且本发明采用带有通孔的隔板将GaN晶体粉末和GaN籽晶分离开,可以避免GaN晶体粉末移动到GaN籽晶附近,GaN籽晶周围助熔剂的成分和比例不会发生改变,从而保证GaN晶体生长的可持续性和稳定性。本发明将重结晶技术引入到助熔剂法中,形成封闭的GaN晶体生长系统,提高了GaN晶体生长的稳定性,增强晶体生长的可延续性,延长晶体生长的时间,所得GaN晶体表面光滑整洁,质量高。