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最新技术
一种监测熔体液面位置的方法、系统及计算机存储介质
本发明实施例公开了一种监测熔体液面位置的方法、系统及计算机存储介质;该方法可以包括:从所述待测液面与所述石英柱底端接触开始,按照设定的单次下降距离多次下降所述待测液面后,获取所述待测液面和所述石英柱底端的距离与籽晶在所述待测液面上形成的亮环之间的像素间距离的对应关系;在单晶硅棒生长过程中,获取所述单晶硅棒的尾端在熔体液面上形成的亮环之间的实测像素间距离;基于所述实测像素间距离以及所述对应关系,确定所述熔体液面与所述石英柱的底端的实测距离;基于所述实测距离与所述石英柱底端和所述导流筒的最低点的间距,获取所述熔体液面的实测位置。
单晶熔接方法、装置、设备及计算机可读存储介质
本发明提供了一种单晶熔接方法、装置、设备及计算机可读存储介质,涉及太阳能光伏技术领域。其中,该方法可以在籽晶预热的过程中,检测融液的实时液面亮度值,并确定该实时液面亮度值与目标液面亮度值的实时偏差值,其中,目标液面亮度值为执行引晶操作时的液面亮度值,此时,可以在实时偏差值小于预热偏差值时调整籽晶的位置下降至预热偏差值对应的预热位置,从而对籽晶进行充分预热,再在实时偏差值小于熔接偏差值时,直接对籽晶进行熔接,标准化、自动化对籽晶熔接的操作,改良了熔接成功率、重现性,从而提高了产品的生产率和良率,降低了人工成本,避免了安全隐患。
长晶炉
本发明的目的在于提出一种长晶炉,长晶炉包括坩埚,坩埚用于承载硅液,漏硅检测装置,漏硅检测装置设置在坩埚下方,漏硅检测装置包括:检测线,检测线为导电金属丝,检测线设置在坩埚正下方投影区域,并在坩埚的投影区域进行排布;检测单元,检测单元与检测线的入线端和出线端相连接,用于检测检测线的电性能参数值。通过在坩埚正下方投影区域设置漏硅检测装置,当硅液从坩埚中漏出,会直接滴落在检测线上,检测单元感知到检测线的电性能参数的变化,及时反馈给长晶炉,从而使得漏硅被实时监控,进而避免危险的发生。
一种炉盖发黑处理的单晶生长炉
本发明公开了一种炉盖发黑处理的单晶生长炉,包括炉体、保温筒、晶棒、水冷热屏、加热器、坩埚、埚帮、炉盖、炉盖吸热层和热屏吸热层;所述水冷热屏本体的内壁发黑处理,能够提高热吸收效果,结晶界面的结晶潜热能快速释放,起到提高拉速潜力作用。由于水冷屏上方空间大,同样存在热量积累,在所述炉盖上做发黑处理,有利于热辐射的热量更快速的释放,晶棒经历热历史温度降低和时间缩短。因此本发明能起到提高拉速作用,同时还能起到降低热施主,减少长晶后二次缺陷的产生。
一种导流筒和拉晶炉
本发明实施例公开了一种导流筒和拉晶炉;所述导流筒包括:由外导流筒上部和外导流筒下部于第一接合处接合形成的外导流筒;与所述外导流筒同轴设置并连接的内导流筒;与所述内导流筒在第二接合处接合且与所述外导流筒下部形成缝隙的导流筒套筒;其中,第一接合处和/或所述缝隙处经设置以避免多晶硅熔液飞溅填充而产生粘连。