具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

参见图1，其示出了一种示例性的利用直拉法制造单晶硅棒所使用的拉晶炉1的结构示意图，在图1所示的拉晶炉1中，至少可以包括：炉体10、导流筒11、盛放的多晶硅原料(或可称之为多晶硅熔料)的石英坩埚12以及用于驱动石英坩埚12移动以及旋转的机械部件13，此外，还可以包括用于加热多晶硅原料以形成多晶硅熔液2的加热器14、设置于炉体10底端的底部隔热材料15和排气口管道16，其中，排气口管道16的排气方向如图1中箭头所示；需要说明的是，图1所示的单晶炉1结构并非具体限定，为了清楚地阐述本发明实施例的技术方案从而省略地没有为拉晶炉1的其他部件进行标记，比如加热器14周围设置有如交叉填充块所示的中部隔热材料等。

通过图1所示的拉晶炉1生产单晶硅的过程，可以包括在石英坩埚12内通过导流筒11装入多晶硅原料；随后通过加热器14对石英坩埚12内的多晶硅原料2进行加热以熔化多晶硅原料形成多晶硅熔液；待多晶硅熔液2温度稳定时，接着通过籽晶与多晶硅熔液相接触的方式生长成为单晶硅棒。

需要说明的是，在生产单晶硅棒的过程中，通常会向石英坩埚12内的多晶硅熔液2增加多晶硅熔料，此时，掉落于石英坩埚12的多晶硅熔料极大可能会造成多晶硅熔液2的飞溅，并且大概率会飞溅至拉晶炉1内距石英坩埚12最近的导流筒11上。通常来说，导流筒11通常由多个组件组成，而随着导流筒的长时间使用，飞溅至导流筒11上的多晶硅熔液逐渐增加，导致出现熔液粘连而无法将导流筒的各组件进行分离的现象，从而无法对导流筒中的组件进行单独更换，致使导流筒使用成本以及单晶硅棒的生产成本增加，经济效益降低。

为了避免出现熔液粘连的现象，本发明实施例期望对图1所示的拉晶炉1中的导流筒11的结构进行改进。如图2所示的导流筒11的结构剖面图，导流筒11可以包括：由外导流筒上部211和外导流筒下部212于如实线圈所示的第一接合处3接合形成的外导流筒21；

与所述外导流筒21同轴设置并连接的内导流筒22；

与所述内导流筒22在第二接合处4接合且与所述外导流筒下部212形成如虚线圈所示的缝隙5的导流筒套筒23；

其中，第一接合处3和/或所述缝隙处5的空间尺寸经设置以避免多晶硅熔液飞溅填充而产生粘连。

在一些示例中，外导流筒21与内导流筒22经由连接形成空腔，并且该空腔中填充有隔热材料24。

对于图2所示的导流筒11的结构，为了降低图2中导流筒11的组件之间由于被飞溅的多晶硅熔液2填满形成粘连从而导致无法分离，通过对各组件在组合过程中较易产生粘连的组件组合处(例如第一接合处3以及缝隙处5)的空间尺寸进行设置，从而避免多晶硅熔液飞溅填充而产生粘连，能够较易对导流筒11的各组件进行分离以实现单独更换，降低了导流筒的使用成本以及单晶硅棒的生产成本。

在一些可能的实现方式中，本发明实施例期望通过增加导流筒11的各组件组合处的空间尺寸，降低被飞溅的多晶硅熔液2填满的概率以避免产生粘连。

基于此，在一些示例中，所述第一接合处3的空间31内设置一设定高度的垫块6以增加所述第一接合处3的空间31尺寸。对于该示例，参见图3所示的第一接合处3的放大示意图，通常来说，常规的导流筒结构中，外导流筒上部211和外导流筒下部212一般采用紧密贴合的方式进行接合，但此时第一接合处3的空间31尺寸较小，容易被飞溅的多晶硅熔液2填满而造成外导流筒上部211和外导流筒下部212的粘连；为了避免这种现象发生，本发明实施例则采用在空间31中设置具有一定高度的垫块6来适当增加空间31的尺寸，从而使得空间31较难被多晶硅熔液2填满以形成粘连。此外，对于该示例来说，所述垫块6除了增加空间31的尺寸以外，还可以起到类似于卡扣的作用，也就是说，垫块6还可以用于固定所述外导流筒上部211和所述外导流筒下部212之间的连接以避免所述外导流筒上部211和所述外导流筒下部212之间由于滑动而造成磨损。可以理解地，如图4所示的关于外导流筒21的俯视示意图，本发明实施例优选地在整个外导流筒21底部的四个方位分别设置一垫块6，且相邻垫块6之间的夹角为90度，从而实现外导流筒上部211和所述外导流筒下部212之间的固定连接。

在另一些示例中，本发明实施例采用增加缝隙处5的空间尺寸的方式以实现增加导流筒11的各组件组合处的空间尺寸。对于该示例，参见图5所示的缝隙处5的放大示意图，可以将所述缝隙处5的空间51尺寸增加至以避免多晶硅熔液2飞溅填充而在所述缝隙处5产生粘连的程度。

对于上述示例来说，优选地，可以将所述导流筒套筒23的尺寸进行缩小以增加所述缝隙处的空间51的尺寸。

对于上述示例来说，优选地，结合图2中的黑色粗实线箭头所示，可以将所述导流筒套筒23向下朝远离所述外导流筒下部212的方向延伸以增加所述缝隙处的空间52尺寸。

除了上述实现方式及其示例所阐述的方案以外，在一些可能的实现方式中，还可以通过避免在导流筒11的各组件组合处产生能够被飞溅的多晶硅熔液2填充的空间以避免产生粘连。基于此，如图6所示，在一些示例中，可以将所述外导流筒上部211、外导流筒下部212以及所述导流筒套筒23形成为一体结构以避免形成所述第一接合处3和所述缝隙处5；从而可以通过避免在导流筒11上出现被飞溅的多晶硅熔液2填充的空间。但是该示例由于将外导流筒上部211、外导流筒下部212以及所述导流筒套筒23形成一体结构，因此，即便能够较为容易地对形成后的一体结构进行更换，但是一体结构的成本还是会略大于该一体结构各组件的成本。

对于前述实现方式及示例所阐述的导流筒11结构中，在使用时需要通过耳洞进行导流筒11的悬挂，常规的导流筒结构中通常在外导流筒211上部的顶端设置两个对向的耳洞，但是若某一耳洞发生损坏，则无法将导流筒11整体悬挂，于是只能对外导流筒上部211进行更换才可以使用，从而增加了使用成本。基于此，在一些示例中，如图1所示，可以在所述外导流筒上部211顶端沿所述导流筒11的径向向外延伸处对向开设多对耳洞7；其中，每对耳洞7均匀地分布于所述外导流筒上部顶端的延伸处。举例来说，如图7所示的外导流筒上部211的俯视示意图，优选地，可以在外导流筒上部211的延伸处打出四对耳洞，每对耳洞之间夹角为90°；当某一耳洞发生损坏时，更换其他两个耳洞悬挂导流筒11即可，该优选方案易操作可实现，对单晶硅棒的生产有积极作用，节约生产成本和制造成本，提高了经济收益。

需要说明的是：本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。