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最新技术
采用提拉法生长翠绿宝石晶体的方法
本发明涉及激光晶体制造技术领域,尤其涉及一种采用提拉法生长翠绿宝石晶体的方法,采用提拉法籽晶定向生长,包括如下步骤:接种、放肩、等径生长、收尾及降温,最终得到翠绿宝石晶体,所得到翠绿宝石晶体利用率达到80%。本发明中当收尾结束后停止旋转和提拉并开始降温,通过P I D调节功率实现对晶体生长速率的控制,从而实现对晶体结晶速度的控制。本发明具有生长速度可控、生长尺寸大、重复性好的优点,适合工业化生产翠绿宝石晶体。
单晶熔接方法、装置、设备及计算机可读存储介质
本发明提供了一种单晶熔接方法、装置、设备及计算机可读存储介质,涉及太阳能光伏技术领域。其中,该方法可以在籽晶预热的过程中,检测融液的实时液面亮度值,并确定该实时液面亮度值与目标液面亮度值的实时偏差值,其中,目标液面亮度值为执行引晶操作时的液面亮度值,此时,可以在实时偏差值小于预热偏差值时调整籽晶的位置下降至预热偏差值对应的预热位置,从而对籽晶进行充分预热,再在实时偏差值小于熔接偏差值时,直接对籽晶进行熔接,标准化、自动化对籽晶熔接的操作,改良了熔接成功率、重现性,从而提高了产品的生产率和良率,降低了人工成本,避免了安全隐患。
长晶炉
本发明的目的在于提出一种长晶炉,长晶炉包括坩埚,坩埚用于承载硅液,漏硅检测装置,漏硅检测装置设置在坩埚下方,漏硅检测装置包括:检测线,检测线为导电金属丝,检测线设置在坩埚正下方投影区域,并在坩埚的投影区域进行排布;检测单元,检测单元与检测线的入线端和出线端相连接,用于检测检测线的电性能参数值。通过在坩埚正下方投影区域设置漏硅检测装置,当硅液从坩埚中漏出,会直接滴落在检测线上,检测单元感知到检测线的电性能参数的变化,及时反馈给长晶炉,从而使得漏硅被实时监控,进而避免危险的发生。