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最新技术
改善膜层沉积工艺中首片效应的方法
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种改善膜层沉积工艺中首片效应的方法。所述改善膜层沉积工艺中首片效应的方法包括如下步骤:提供反应腔室;形成覆盖于所述反应腔室内壁的第一膜层,所述第一膜层储存有热量以维持所述反应腔室内稳定的热环境;放置晶圆至所述反应腔室;于所述晶圆表面形成第二膜层。可选的,形成覆盖于所述反应腔室内壁的第一膜层的具体步骤包括:传输第一反应气体和第二反应气体至所述反应腔室,所述第一反应气体与所述第二反应气体反应生成覆盖于所述反应腔室内壁的第一膜层。本发明减小或者是最大程度的改善了首片效应的影响,提高了半导体产品的良率,同时提高了机台产能。
用于沉积氧化硅膜的组合物和方法
本文描述了用于形成氧化硅膜的组合物和方法。在一个方面,所述膜由至少一种硅前体化合物沉积,其中所述至少一种硅前体化合物选自如本文定义的下式A和B:
一种改善Cu基体与碳基薄膜结合力的方法
本发明公开一种提高Cu基体与碳基薄膜结合力的方法。该方法是通过以下步骤实现的:采用双辉渗金属技术在覆有模板的Cu基体表面制备亲碳金属过渡层骨架,去除模板后采用该技术对基体及骨架表面进行高密度Ar~+轰击刻蚀处理,提高碳原子的成核密度,最后通过溅射镀膜或等离子化学气相沉积法在图形化的基体上沉积碳基薄膜,提高碳基薄膜与Cu基体的结合力。该方法具有过程简单、可控性好、绿色环保等优点。