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最新技术
一种真空悬浮镀膜设备
本发明公开一种真空悬浮镀膜设备,包括外壳、安装于外壳内部的内壳以及放置于内壳内部的工件载具,内壳的封闭端设置有连接抽气系统的抽气接口,内壳的开放端设置有用于工件载具进出的开口,外壳的开放端设置有密封门,密封门内侧安装有盖板,盖板内侧安装有匀流板总成,密封门关闭时盖板封闭开口,匀流板总成由开口伸入内壳,盖板和匀流板总成之间设置有空间间隔,匀流板总成上设置有连通空间间隔和内壳内部空间的气孔,通过多个工艺气体通道连通空间间隔,用于将多种类型的气体输送至空间间隔。使工艺气体成分流动更为均匀,腔体内部的流道短,可以有效防止MO源的凝结,进而设备可以使用的工艺腔体尺寸更大,提升设备可靠性和适用性。
MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室
本申请涉及一种MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室。MOCVD腔体结构包括:天棚;石墨基座,位于天棚的下方,天棚与石墨基座之间形成气体流道,石墨基座的上表面设有多个凹槽,凹槽的侧壁上设有进气口;多个石墨盘,分别设置于对应的凹槽内,进气口位于石墨盘上方;多个盖板,分别可开闭的设置于对应的石墨盘上方,盖板关闭时遮盖对应的石墨盘;第一气路,穿过天棚连通气体流道;第二气路,穿过天棚连通凹槽侧壁上的进气口。本申请的MOCVD腔体结构可用于在一次生长过程中实现多种外延结构的生长,提高研发的效率。
一种LDS复合材料及其制备方法、LDS天线
本发明实施例公开了一种LDS复合材料及其制备方法、LDS天线,LDS复合材料包括高介电树脂基复合材料,以及负载于所述高介电树脂基复合材料表面的金属薄膜。制备方法包括:S100、在所述高介电树脂基复合材料上沉积第一层金属薄膜;S200、在所述第一层金属薄膜上继续沉积形成第二层金属薄膜;S300、顺次重复步骤S100和步骤S200至金属薄膜的层数达到预设值,制得LDS复合材料。本发明通过在基底上顺次沉积薄膜实现逐层控制基底上的薄膜的外延生长,使得薄膜均匀性好,致密性高,同时具有高保形性,有效提高后期使用过程中激光辐照条件下材料的表面活化性能,进而满足其在5G手机天线中的使用需求。
一种构件内壁ALD镀膜设备及方法
本发明提出一种构件内壁ALD镀膜设备及方法,包括载气装置、前驱体装置、反应腔、压力测量装置和抽真空装置,反应腔为待镀膜的构件内腔,待镀膜的构件内腔通过前后法兰构成密闭腔体,前法兰上安装双通接头,分别与载气装置、前驱体装置连接,使载气和前驱体混合后进入构件内腔中,后法兰上安装接头,分别与压力测量装置和抽真空装置连接。本发明通过设备改造及工艺设计,实现具有复杂细小腔道的金属部件的内表面均匀镀层处理,技术可广泛应用于航空航天、机械、汽车、微电子等领域,具有较强的推广性和实用意义。
用于沉积氧化硅膜的组合物和方法
本文描述了用于形成氧化硅膜的组合物和方法。在一个方面,所述膜由至少一种硅前体化合物沉积,其中所述至少一种硅前体化合物选自如本文定义的下式A和B:
用于沉积氮化硅膜的组合物和方法
本文描述了组合物、氮化硅膜和使用至少一种环二硅氮烷前体形成氮化硅膜的方法。在一个方面中,提供了一种形成氮化硅膜的方法,所述方法包括以下步骤:在反应器中提供衬底;向所述反应器内引入至少一种包含烃离去基团和两个Si-H基团的环二硅氮烷,其中该至少一种环二硅氮烷在至少一部分所述衬底的表面上反应以提供化学吸附层;采用吹扫气体吹扫所述反应器;向所述反应器内引入包含氮和惰性气体的等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点,其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm~2范围的功率密度生成。
有机金属加成化合物以及使用其制造集成电路的方法
公开了有机金属加成化合物以及制造集成电路(IC)器件的方法,该有机金属加成化合物由通式(I)表示:通式(I)在通式(I)中,R~1、R~2和R~3各自独立地为C1至C5烷基,R~1、R~2和R~3中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基,M为铌原子、钽原子或钒原子,X为卤素原子,m为3至5的整数,并且n为1或2。