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一种过渡族金属化合物析氢薄膜及射频反溅改性制备方法
本发明涉及电催化析氢技术领域,具体涉及一种过渡族金属化合物析氢薄膜,包括基底层和析氢催化层,所述析氢催化层设置在所述基底层的表面,所述析氢催化层为过渡族金属硫化合物、过渡族金属硒化合物和过渡族金属碲化合物中的一种所形成的薄膜,通过射频反溅产生的被离化的Ar等离子体随机辐照样品产生刻蚀效果,形成整个析氢薄膜平面内的随机刻蚀,使得析氢薄膜的催化活性得到显著提高。
一种具有纳米结构的半导体薄膜材料及其制备方法
本发明公开了一种具有纳米结构的半导体薄膜材料及其制备方法,该材料通过一步脱合金化法制备而成,同时具有纳米纤维和多面体纳米颗粒两种纳米结构。本发明所得半导体薄膜材料不仅自身具有光电流响应、醇类催化特性,而且其比表面积较大、利于载流子传输的特点使其可作为载体材料,在光电探测器、降解有机物、负载型催化剂等领域皆有应用前景。
一种Zr-B-O-N薄膜、Cu互连结构及其制备方法
本发明提供一种Zr-B-O-N薄膜、Cu互连体及其制备方法,以ZrB-2复合靶为靶材,在N-2和Ar混合气氛下进行反应磁控溅射,在基底上沉积得到Zr-B-O-N薄膜在所述的Zr-B-O-N薄膜上沉积Cu层得到Cu互连结构。本发明得到的Zr-B-O-N薄膜为非晶结构,具有扩散阻挡性能,能解决Cu互连结构中Cu扩散的问题。