本发明公开了一种碲纳米片厚度减薄的方法,属于纳米材料技术领域,所述方法包括以下步骤:将碲纳米片浸泡于弱氧化性溶液中,取出干燥,即得所述厚度减薄的碲纳米片;本发明利用弱氧化性溶液与碲纳米片表面发生温和的氧化反应,对碲纳米片进行减薄,可实现碲纳米片厚度的精确调控;采用本发明的方法制备得到薄层碲纳米片,可充分发挥p型碲纳米片的优势,满足不同器件对材料性能的要求,可利用电子束曝光及真空蒸发电极材料的方式构筑基于碲纳米片的电子及光电器件,与传统半导体加工工艺兼容性良好;本发明可实现碲纳米片厚度、载流子浓度及场效应开关比的多重调控,对发展性能稳定,满足多场景需求的二维p型半导体材料提供了支持。