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一种发光芯片失效原因背面分析方法
本发明涉及一种发光芯片失效原因背面分析方法。该方法包括:S10、研磨抛光N电极上与光波导对应位置的金属陶瓷层,使光波导对应位置的N电极裸露;S20、在N电极上设置测试连接点,且测试连接点位于光波导在N电极的对应区域之外;S30、供电电路的正极连接P电极上的键合金属线,供电电路的负极连接测试连接点,供电电路提供供电电压以使发光芯片发光;S40、使用光检测设备检测发光芯片背面发出的光,根据获取光确定发光芯片的失效区域。本发明解决了光芯片表面覆盖金属层导致失效现象无法显现的问题,提高光芯片失效分析的准确率。
一种判定锻造工件裂纹产生阶段的方法
本发明公开了一种判定锻造工件裂纹产生阶段的方法,获取锻造工件裂纹产生位置并对工件裂纹位置进行清洗和磨抛处理,获取裂纹尺寸参数;通过锻造工件的裂纹尺寸参数对其裂纹形貌、金相组织、硬度变化、元素分布和腐蚀产物以及结合锻造工件的材料、锻造工艺和淬火工艺对裂纹进行整体分析,判断裂纹产生的阶段;再次结合裂纹形貌、金相组织、硬度变化和腐蚀产物中的一项或多项对裂纹性质进行定性判断,从而进一步准确判断裂纹出现的阶段。本发明可以准确的对锻造工件基体表面裂纹的形成阶段进行判定,从而有助于确定工件基体的失效原因及责任划定,以往由于没有准确判定表面裂纹的开裂的时期而无法明确责任。
一种铜精矿中铜物相的化学分析方法
本发明公开了一种铜精矿中铜物相的化学分析方法,属于化学分析领域。包括以下步骤:S1分离待测铜精矿中的水溶铜,采用原子吸收法测定水溶铜的含量;S2分离步骤S1中得到的滤渣A中的氧化铜,采用原子吸收法测定氧化铜的含量;S3分离步骤S2中得到的滤渣B中的自然铜,采用原子吸收法测定自然铜的含量;S4分离步骤S3中得到的滤渣C中的硫化铜,采用滴定法测定硫化铜的含量;其中,所述S4步骤中分离硫化铜的步骤包括:首先采用稀硝酸加热溶解滤渣C,再加入稀硫酸继续加热分解,再将溶液蒸干,加入稀硫酸加热溶解,得到铜和铁的混合物,之后再掩蔽铁并采用滴定法测定硫化铜的含量。采用本发明方法避免了采用毒性强的液溴,测定过程更为安全。
一种X射线自由电子激光单脉冲在线诊断能谱仪
本发明公开了一种X射线自由电子激光单脉冲在线诊断能谱仪,其特征在于:包括真空腔体、四轴调节架、快速切换腔、制冷系统、探测机构和弯晶;所述四轴调节架包括调节机构和工作杆,所述工作杆通过真空腔体上的接口伸入真空腔体,所述弯晶设在工作杆的末端,通过所述调节机构调节弯晶在真空腔体内的方位,使得弯晶的中心与入射光接口和出射光接口位于同一条直线上;所述快速切换腔与真空腔体真空连接用于更换弯晶;所述探测机构设在真空腔体的外部,通过真空腔体上的探测窗口对X射线进行探测。本发明通过高性能晶体分光、高精度晶体四轴调节和快速在线晶体切换,实现了单脉冲X射线光子的能量分布和入射强度的实时观测。
一种超纯净无取向冷轧硅钢中非金属夹杂物形貌的原位观察方法
本发明涉及一种超纯净无取向冷轧硅钢中非金属夹杂物形貌的原位观察方法,包括如下步骤:制备无取向冷轧硅钢样品,将待测试面用打磨至1000#,使样品表面平整光滑,并进行机械抛光和表面清洗。对处理好的样品在电化学工作站上进行电化学腐蚀,电解液为:1~8wt%氯化物MCl溶液,余量为去离子水,通入CO-2气体至饱和,加入适量NaHCO-3和三乙醇胺作为稳定剂调节pH值将其稳定在6.0~6.5之间。电化学设定参数:开路:0.5~2h,动电位极化测试:扫描速率:0.1 mV/S~1.0 mV/S,测试区间:VS.SCE-0.8 V~0.2 V,测试温度为:10~25℃。取不同区间内做完电化学腐蚀的样品用去离子水冲洗,吹干。通过扫描电子显微镜+能谱仪对非金属夹杂物的形貌进行原位观察和成分分析。
用于弧形样品观察的样品架
本申请提供了一种用于弧形样品观察的样品架,用于弧形样品观察的样品架,包括支座,支座包括底板、左端固定立板和右端固定立板,左端固定立板和右端固定立板固定在底板上,右端固定立板上设有通孔;活动立板上固定有连杆,连杆穿过通孔,活动立板通过连杆设置在右端固定立板上,锁止件,设置在连杆上,用于锁定调整后的活动立板的位置。本申请的用于弧形样品观察的样品架,方便装载弧形样品而不会给检测面带来污染,节约样品切割时间,本发明结构简单,使用方便,可以对弧形样品进行可靠地夹持固定,便于正置金相及扫描电镜观察,避免扫描电镜观察时弧形样品掉落。

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