本文描述了组合物、氮化硅膜和使用至少一种环二硅氮烷前体形成氮化硅膜的方法。在一个方面中,提供了一种形成氮化硅膜的方法,所述方法包括以下步骤:在反应器中提供衬底;向所述反应器内引入至少一种包含烃离去基团和两个Si-H基团的环二硅氮烷,其中该至少一种环二硅氮烷在至少一部分所述衬底的表面上反应以提供化学吸附层;采用吹扫气体吹扫所述反应器;向所述反应器内引入包含氮和惰性气体的等离子体以与所述化学吸附层的至少一部分反应并提供至少一个反应性位点,其中所述等离子体以约0.01至约1.5W/cm~2范围的功率密度生成。