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MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室
本申请涉及一种MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室。MOCVD腔体结构包括:天棚;石墨基座,位于天棚的下方,天棚与石墨基座之间形成气体流道,石墨基座的上表面设有多个凹槽,凹槽的侧壁上设有进气口;多个石墨盘,分别设置于对应的凹槽内,进气口位于石墨盘上方;多个盖板,分别可开闭的设置于对应的石墨盘上方,盖板关闭时遮盖对应的石墨盘;第一气路,穿过天棚连通气体流道;第二气路,穿过天棚连通凹槽侧壁上的进气口。本申请的MOCVD腔体结构可用于在一次生长过程中实现多种外延结构的生长,提高研发的效率。