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一种真空悬浮镀膜设备
本发明公开一种真空悬浮镀膜设备,包括外壳、安装于外壳内部的内壳以及放置于内壳内部的工件载具,内壳的封闭端设置有连接抽气系统的抽气接口,内壳的开放端设置有用于工件载具进出的开口,外壳的开放端设置有密封门,密封门内侧安装有盖板,盖板内侧安装有匀流板总成,密封门关闭时盖板封闭开口,匀流板总成由开口伸入内壳,盖板和匀流板总成之间设置有空间间隔,匀流板总成上设置有连通空间间隔和内壳内部空间的气孔,通过多个工艺气体通道连通空间间隔,用于将多种类型的气体输送至空间间隔。使工艺气体成分流动更为均匀,腔体内部的流道短,可以有效防止MO源的凝结,进而设备可以使用的工艺腔体尺寸更大,提升设备可靠性和适用性。
MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室
本申请涉及一种MOCVD腔体结构及其控制方法和MOCVD反应室。MOCVD腔体结构包括:天棚;石墨基座,位于天棚的下方,天棚与石墨基座之间形成气体流道,石墨基座的上表面设有多个凹槽,凹槽的侧壁上设有进气口;多个石墨盘,分别设置于对应的凹槽内,进气口位于石墨盘上方;多个盖板,分别可开闭的设置于对应的石墨盘上方,盖板关闭时遮盖对应的石墨盘;第一气路,穿过天棚连通气体流道;第二气路,穿过天棚连通凹槽侧壁上的进气口。本申请的MOCVD腔体结构可用于在一次生长过程中实现多种外延结构的生长,提高研发的效率。