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一种发光芯片失效原因背面分析方法
本发明涉及一种发光芯片失效原因背面分析方法。该方法包括:S10、研磨抛光N电极上与光波导对应位置的金属陶瓷层,使光波导对应位置的N电极裸露;S20、在N电极上设置测试连接点,且测试连接点位于光波导在N电极的对应区域之外;S30、供电电路的正极连接P电极上的键合金属线,供电电路的负极连接测试连接点,供电电路提供供电电压以使发光芯片发光;S40、使用光检测设备检测发光芯片背面发出的光,根据获取光确定发光芯片的失效区域。本发明解决了光芯片表面覆盖金属层导致失效现象无法显现的问题,提高光芯片失效分析的准确率。
一种判定锻造工件裂纹产生阶段的方法
本发明公开了一种判定锻造工件裂纹产生阶段的方法,获取锻造工件裂纹产生位置并对工件裂纹位置进行清洗和磨抛处理,获取裂纹尺寸参数;通过锻造工件的裂纹尺寸参数对其裂纹形貌、金相组织、硬度变化、元素分布和腐蚀产物以及结合锻造工件的材料、锻造工艺和淬火工艺对裂纹进行整体分析,判断裂纹产生的阶段;再次结合裂纹形貌、金相组织、硬度变化和腐蚀产物中的一项或多项对裂纹性质进行定性判断,从而进一步准确判断裂纹出现的阶段。本发明可以准确的对锻造工件基体表面裂纹的形成阶段进行判定,从而有助于确定工件基体的失效原因及责任划定,以往由于没有准确判定表面裂纹的开裂的时期而无法明确责任。
一种超纯净无取向冷轧硅钢中非金属夹杂物形貌的原位观察方法
本发明涉及一种超纯净无取向冷轧硅钢中非金属夹杂物形貌的原位观察方法,包括如下步骤:制备无取向冷轧硅钢样品,将待测试面用打磨至1000#,使样品表面平整光滑,并进行机械抛光和表面清洗。对处理好的样品在电化学工作站上进行电化学腐蚀,电解液为:1~8wt%氯化物MCl溶液,余量为去离子水,通入CO-2气体至饱和,加入适量NaHCO-3和三乙醇胺作为稳定剂调节pH值将其稳定在6.0~6.5之间。电化学设定参数:开路:0.5~2h,动电位极化测试:扫描速率:0.1 mV/S~1.0 mV/S,测试区间:VS.SCE-0.8 V~0.2 V,测试温度为:10~25℃。取不同区间内做完电化学腐蚀的样品用去离子水冲洗,吹干。通过扫描电子显微镜+能谱仪对非金属夹杂物的形貌进行原位观察和成分分析。
用于弧形样品观察的样品架
本申请提供了一种用于弧形样品观察的样品架,用于弧形样品观察的样品架,包括支座,支座包括底板、左端固定立板和右端固定立板,左端固定立板和右端固定立板固定在底板上,右端固定立板上设有通孔;活动立板上固定有连杆,连杆穿过通孔,活动立板通过连杆设置在右端固定立板上,锁止件,设置在连杆上,用于锁定调整后的活动立板的位置。本申请的用于弧形样品观察的样品架,方便装载弧形样品而不会给检测面带来污染,节约样品切割时间,本发明结构简单,使用方便,可以对弧形样品进行可靠地夹持固定,便于正置金相及扫描电镜观察,避免扫描电镜观察时弧形样品掉落。

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