具体实施方式

下面将结合本申请实施例中附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

第一方面，请参照图1-2，图1-2是本申请一些实施例中的一种数据保护位的验证方法，用于验证NOR Flash的数据保护位，所述方法包括以下步骤：

S1、枚举状态寄存器的数据保护位的所有组合，获取每种组合中数据保护位保护的具体区域地址；

其中，状态寄存器又名条件码寄存器，具有若干用于体现或存放信息的状态位，数据保护位由于状态寄存器的状态位构成；由于状态寄存器的数据保护位的组合是固定的，因此，可枚举出现有NOR Flash中的状态寄存器的数据保护位的所有组合，即可通过枚举的方式获取NOR Flash中状态寄存器的所有固定组合。

具体地，获取每种组合中数据保护位保护的具体区域地址，可确保数据保护位对应保护的具体区域地址为目标NOR Flash中由对应组合保护的具体区域地址。

S2、设计验证范式，根据验证范式循环遍历每种组合生成对应的测试用例；

具体地，基于数据保护位的组合形式结合相应数据保护位组合所保护的具体区域地址，由于组合和组合所保护的具体地址为一一对应关系，因此可设计验证范式以遍历组合生成测试用例。

更具体地，测试用例包含用于投入仿真测试中使用的组合信息和用于判断结果的目标地址信息。

更具体地，组合信息基于数据保护位的组合形式设定，目标地址信息基于对应组合保护的具体区域地址设定。

S3、仿真遍历每个测试用例获取报告文件，并根据报告文件校验待测芯片中状态寄存器的数据保护位。

具体地，逐个将测试用例进行仿真测试，仿真出对应于测试用例的数据保护位组合形式的组合信息，然后通过检查目标地址信息中写入和擦除算法执行情况是否与预期关系一致，若一致则即表明当前组合信息中的数据保护位组合与其对应的地址起到保护作用。

本申请实施例的一种数据保护位的验证方法，通过枚举状态寄存器的数据保护位的所有组合结合获取每种组合中数据保护位保护的具体区域地址，来构建可用于验证的测试用例，然后通过范式遍历数据保护位生成验证测试用例并通过仿真获取报告文件，基于报告文件即可校验状态寄存器的数据保护位，该方法适用于不同内存大小的NOR Flash数据保护位的验证，验证过程简单便捷，且覆盖范围广，可高效、准确地验证目标NOR Flash的数据保护位。

更具体地，范式是指一个领域中主流的行事套路，其包括理念和方法两部分。在本实施例中，指的是基于数据保护位的组合和地址设计的一种验证思路和具体验证方法——数据保护位的每种组合所保护的具体区域地址的写保护关系，即具体区域地址使用状态与对应数据保护位的关系,即定义数据保护位组合与对应具体区域地址是否可进行读写的关系。

具体地，范式可预先设定，并写入验证脚本中。

在一些优选的实施方式中，步骤S3中的数据保护位验证成功的条件为：数据保护位的组合所保护的区域不可执行写入和擦除操作，数据保护位的组合未保护的区域可执行写入和擦除操作。

因此，满足范式的验证结果为：数据保护位的组合所保护的区域不可执行写入和擦除操作，数据保护位的组合未保护的区域可执行写入和擦除操作；同理，不满足范式的验证结果为：对数据保护位的组合所保护的区域可执行写入和擦除操作，和/或对数据保护位的组合未保护的区域不可执行写入和擦除操作。

具体地，满足范式的验证结果的测试用例表明验证的NOR Flash的数据保护位组合起到数据保护作用；因此，基于范式验证可快速生成测试用例，基于仿真测试用例的结果可快速校验NOR Flash的数据保护位是否保护其对应的具体区域地址，此外，同时验证保护区域和未保护区域的写入、擦除情况，可有效保证数据保护位验证准确性。

在一些优选的实施方式中，步骤S3中仿真遍历每个测试用例后，报告文件基于仿真结果生成。

具体地，每个报告文件对应于每个测试用例，可通过设置编号进行记录，如一组测试用例编号为text1，报告文件自动生成编号text1_report，利仿真结果的分类整理，也利于后续验证处理，使得验证过程更规范、有序。

更具体地，报告文件包含有可用于范式验证的测试数据，还可包含对应数据保护位组合形式、状态以及数据保护位对应应该保护的具体区域地址，若报告文件包含这些数据，则结果输出时，可直接从报告文件中校验数据保护位，而无需再次匹配测试用例提取数据保护位。

在一些优选的实施方式中，报告文件中包含关于数据保护位的组合所保护的区域是否可执行写入和擦除操作的第一操作信息，以及关于数据保护位的组合未保护的区域是否可执行写入和擦除操作的第二操作信息。

具体地，校验过程中可同时或不同时地通过报告文件来验证第一操作信息和第二操作信息是否符合数据保护位和地址的对应关系。

在本实施例中，优选为先验证第一操作信息，再验证第二操作信息；若验证第一操作信息不符合数据保护位组合和地址的关系（即数据保护位所保护的区域可执行写入和擦除操作），则跳过第二操作信息的验证，可有效提高验证速度。

在一些优选的实施方式中，若测试用例的报告文件符合第一操作信息结果为是和/或第二操作信息结果为否时，即表明当前测试用例的地址对应的数据保护位组合没有起到保护作用，发布修改设计提示。

具体地，测试用例不能通过仿真校验，则表明测试用例中存在错误数据，其来源一般为获取每种组合中数据保护位保护的具体区域地址出错，因此需发布修改设计提示，由设计人员修改设计或再次录入准确的具体区域地址。

在一些优选的实施方式中，数据保护位保护的具体区域地址通过NOR Flash的设计规格书获取，并写入相应测试用例中。

具体地，NOR Flash的设计规格书中包含数据保护位组合所对应保护的具体区域地址，本申请实施例应用在不同规格的NOR Flash时，仅需从对应的NOR Flash的设计规格书查找对应数据保护位组合所对应保护的具体区域地址即可完成获取过程；本申请实施例的方法针对不同规格的NOR Flash使用时，获取对应数据保护位组合所对应保护的具体区域地址即可重复使用，无需重新设计验证逻辑，具有操作便捷、适用范围广、可重用性高的特点。

本申请实施例的一种数据保护位的验证方法，通过枚举数据保护位的所有组合并获取每种组合所保护的具体区域地址，根据验证范式来遍历生成可用于验证的测试用例，然后通过测试用例的仿真生成的报告文件来校验状态寄存器的数据保护位，可通用于不同内存大小的NOR Flash数据保护位的验证获取，验证过程简单、便捷、高效。

第二方面，请参照图3，图3是本申请一些实施例中提供的一种数据保护位的验证装置，用于验证NOR Flash的数据保护位，包括：

枚举模块，用于枚举状态寄存器的数据保护位的所有组合；

获取模块，用于数据保护位保护的具体区域地址；

用例生成模块，用于设计验证范式并根据验证范式循环遍历每种组合生成测试用例；

仿真验证模块，用于仿真验证待测芯片中状态寄存器的数据保护位；

获取模块获取枚举模块枚举的每种组合中的数据保护位保护的具体区域地址，用例生成模块结合枚举模块枚举的组合、获取模块获取的数据保护位保护的具体区域地址并基于验证范式生成相应的与组合数量一致的测试用例，仿真测试模块通过仿真遍历每个测试用例以生成报告文件并基于报告文件校验待测芯片中状态寄存器的数据保护位。

本申请实施例的一种数据保护位的验证装置，通过枚举模块枚举数据保护位的所有组合并通过获取模块获取每种组合所保护的具体区域地址，再通过用例生成模块构建可用于验证的测试用例，然后通过仿真验证模块范式验证测试用例的仿真结果即可获取状态寄存器的数据保护位，可通用于不同内存大小的NOR Flash数据保护位的验证，验证过程简单、便捷、高效。

在一些优选的实施方式中，获取模块为写入器，设计人员可通过获取模块将地址信息写入至验证装置中。

在一些优选的实施方式中，仿真验证模块包括：

仿真模块，用于根据测试用例进行仿真并生成仿真结果；

报告模块，用于根据仿真模块的仿真结果生成报告文件；

验证分析模块，用于验证分析报告模块生成的报告文件以校验待测芯片中状态寄存器的数据保护位。

具体地，仿真模块遍历测试用例数据进行仿真测试，测试完成后通过报告模块生成相应的报告文件，验证分析模块对报告文件进行校验，即可判断对应测试用例中数据保护位是否对保护地址起到保护作用。

第三方面，请参照图4，图4为本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图，本申请提供一种电子设备3，包括：处理器301和存储器302，处理器301和存储器302通过通信总线303和/或其他形式的连接机构（未标出）互连并相互通讯，存储器302存储有处理器301可执行的计算机程序，当计算设备运行时，处理器301执行该计算机程序，以执行时执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。

第四方面，本申请实施例提供一种存储介质，所述计算机程序被处理器执行时，执行上述实施例的任一可选的实现方式中的方法。其中，存储介质可以由任何类型的易失性或非易失性存储设备或者它们的组合实现，如静态随机存取存储器（Static RandomAccess Memory, 简称SRAM），电可擦除可编程只读存储器（Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory, 简称EEPROM），可擦除可编程只读存储器（ErasableProgrammable Read Only Memory, 简称EPROM），可编程只读存储器（Programmable Red-Only Memory, 简称PROM），只读存储器（Read-Only Memory, 简称ROM），磁存储器，快闪存储器，磁盘或光盘。

在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

另外，作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

再者，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。

以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。