具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

参见图1，其示出了常规技术方案中硅片W的边缘抛光装置1。由图1可以看出，边缘抛光装置1主要包括：真空吸盘10、圆边抛光鼓20、多个抛光垫30以及供液管路40；其中，真空吸盘10主要用于吸附固定待边缘抛光的硅片W；圆边抛光鼓20主要用于与真空吸盘10相配合，以完成对硅片W边缘的抛光。具体来说，在硅片W的边缘抛光过程中，硅片W被真空吸盘10吸附固定住，并且真空吸盘10向靠近圆边抛光鼓20的方向移动，使得硅片W的边缘与抛光垫30能够相抵接。在硅片W的边缘抛光过程中，抛光液经设置在圆边抛光鼓20中心位置的供液管路40直接滴落在硅片W上表面的中央位置，同时，圆边抛光鼓20绕中心轴线X转动，且真空吸盘10带动硅片W也同样地绕中心轴线X转动，使得硅片W上表面的抛光液在离心力的作用下流动至硅片W的边缘，并流动至硅片W和抛光垫30之间，在这种情况下，圆边抛光鼓20的高速旋转也会对硅片W施加压力并与硅片W维持相对转动，从而实现了对硅片W边缘的抛光。

可以理解地，在上述边缘抛光过程中，滴落在硅片W上表面的抛光液会与硅片W的上表面直接接触，且由于抛光液的PH值大于10，因此导致硅片W的上表面会因抛光液的过蚀刻而引起硅片W上表面的粗糙度出现异常以及引发金属污染以及颗粒残留等问题，导致硅片W的上表面产生缺陷。

基于以上问题，结合图2和图3，其示出了本发明实施例提供的一种硅片W边缘抛光装置2，所述装置2包括：

用于吸附待边缘抛光硅片W的真空吸盘10；

圆边抛光鼓20，所述圆边抛光鼓20内设置有多个抛光垫30，所述多个抛光垫30沿所述圆边抛光鼓20内表面的周向方向呈多排环形分布，以实现当所述硅片W与所述圆边抛光鼓20发生相对转动时抛光所述硅片W的边缘；

设置在所述圆边抛光鼓20中心位置处的供液管路40，所述供液管路40能够从所述硅片W上表面的正上方供给抛光液；

设置在所述圆边抛光鼓20内的圆形挡板50，所述挡板50设置在所述硅片W的正上方，且能够绕中心轴线X作旋转运动；其中，如图3所示，所述挡板50在朝向所述圆边抛光鼓20的表面上沿圆周方向均匀地设置有多条沟槽501，以使得滴落在所述挡板50上的所述抛光液经所述沟槽501流动至所述硅片W的边缘。

通过图2所示的边缘抛光装置2，在硅片W的正上方增加了能够转动的圆形挡板50，在边缘抛光过程中，抛光液会先滴落在挡板50上，并在离心力的作用下抛光液经挡板50上的多条沟槽501流动至硅片W的边缘，以及在离心力的作用下部分抛光液能够达到抛光垫30上并润湿抛光垫30，从而实现了在抛光液不需要接触硅片W的上表面的情况下就能够实现对硅片W进行边缘抛光，降低了硅片W上表面产生缺陷的概率。

需要说明的是，在进行硅片W的边缘抛光时，抛光垫30的分布位置需要具体根据硅片W的尺寸来确定，具体来说，如图2所示，在硅片W进行边缘抛光时，硅片W的边缘需要能够与每个抛光垫30抵接，这样，当真空吸盘10相对于圆边抛光鼓20转动时，硅片W也会相对于抛光垫30旋转，从而实现了利用抛光垫30对硅片W的边缘进行抛光。

同时，如图2所示，在对硅片W进行边缘抛光时，需要在硅片W边缘的斜上、斜下和侧向三个方向上对硅片W的边缘进行抛光，相应地，抛光垫30的位置和数量也与之对应，即在抛光垫30分布的圆周上，同一位置设置了三个分别朝向为斜上、斜下和侧向的抛光垫30。需要说明的是，每个抛光垫30可以通过夹具固定，也可以通过吸盘固定。显然，在具体实施时，可以根据实际需求对抛光垫30的位置和数量做出适应性地调整。

对于图2所示的技术方案，在一些示例中，如图4所示，所述挡板50通过连杆502经所述圆边抛光鼓20中心上的孔隙202与所述圆边抛光鼓20上的固定单元203连接；且所述连杆502与所述固定单元203能够做相对旋转运动。

需要说明的是，如图2所示，供液管路40也同样地设置在圆边抛光鼓20中心上的孔隙202处，因此可以理解地，在本发明的具体实施方式中，优选地，连杆502可以为中空管路，供液管路40能够经连杆502的内部设置。

优选地，对于上述示例，在一些具体的实施方式中，所述挡板50和所述连杆502的材质均为陶瓷。可以理解地，在硅片W的边缘进行抛光时，由于挡板50和连杆502均会与抛光液直接接触，为了降低挡板50和连杆502在抛光液的作用下发生腐蚀以影响挡板50和连杆502的使用寿命，因此在本发明实施例中，挡板50和连杆502的材质选择为耐腐蚀的陶瓷。

需要说明的是，挡板50和连杆502的材质也可以为其他非金属材料，只要在边缘抛光过程中，挡板50和连杆502的材质能够抵抗高碱性的抛光液的腐蚀即可，从而实现延长挡板50和连杆502的使用寿命的目的。

优选地，对于上述示例，在一些具体的实施方式中，所述挡板50与所述硅片W上表面之间的间距不小于5mm。可以理解地，当挡板50与硅片W的间距过小时，挡板50和硅片W在转动的过程中可能会发生相互干涉，进而导致硅片W的上表面产生划伤，因此，在硅片W的边缘进行抛光时，硅片W和挡板50之间的间距不能过小，具体的间距可以根据实际情况而定。

优选地，对于上述示例，在一些具体的实施方式中，所述挡板50的厚度小于所述硅片W的厚度。需要说明的是，在本发明的具体实施方式中，硅片W的直径为300mm，因此在具体实施时，挡板50的直径可以设置在260mm-290mm之间。具体来说，挡板50的直径可以根据挡板50与硅片W之间的间距来决定，比如说，如果挡板50与硅片W之间的间距较大，那么挡板50的直径可适当地减小，最小不超过260mm，因为在对硅片W边缘的上部分进行抛光的抛光垫30具有一定的倾斜角度，如果挡板50的直径过大会导致该抛光垫30无法接触到硅片W边缘的上部分，从而导致硅片W边缘的上部分抛光异常或未抛光；相反地，如果挡板50与硅片W之间的间距较小，则挡板50的直径可以适当增大，由于待边缘抛光的硅片W直径为300mm，因此挡板50的直径最大不超过290mm，否则同样会引起硅片W的边缘抛光异常或未抛光。

优选地，对于上述示例，在一些具体的实施方式中，所述挡板50的厚度小于所述硅片W的厚度。具体来说，在本发明的实施例中，挡板50的厚度可以设置为450±150um。

对于图2所示的技术方案，在一些示例中，所述挡板50上的沟槽501的弧形开口方向与所述硅片W的旋转方向相反。举例来说，如图2中示出了本发明实施例中硅片W的旋转方向是逆时针的，因此，如图4所示，其示出了本发明实施例中挡板50上沟槽501的弧形开口方向是顺时针的，这主要是为了使滴落在挡板50上的抛光液能够均匀地流动至硅片W边缘以及能够最大程度地使得抛光液润湿抛光垫30。

需要说明的是，沟槽501可以根据挡板50的旋转方向调整沟槽501的弧形开口方向。这是因为抛光液从旋转的挡板50的中心流向外沿时，抛光液流向呈弧形，因此根据挡板50的旋转方向决定沟槽501的弧形开口方向。

对于上述示例，在一些具体的实施方式中，所述沟槽501的高度低于所述挡板50本体的高度，以使得抛光液滴落在挡板50后，通过旋转挡板使得抛光液均匀地流动至硅片W的边缘。

对于图2所示的技术方案，在一些示例中，如图2所示，所述装置2还包括驱动机构60，所述驱动机构60用于控制所述挡板50的旋转方向以及旋转速度，其中，所述挡板50的旋转速度低于10转每分钟(Revolutions Per Minute，rpm)，所述挡板50的旋转方向与所述硅片50的旋转方向相反。具体来说，所述驱动机构60可以为伺服电机。

参见图5，其示出了本发明实施例提供的一种硅片W边缘抛光方法，所述方法应用于前述技术方案所述的装置2，所述方法包括：

S501、将待边缘抛光的硅片W放置于真空吸盘10上，并通过所述真空吸盘带动所述硅片W转动；

S502、通过供液管路40将抛光液滴落在旋转的挡板50上，使得所述抛光液经所述挡板50上的沟槽501流动至所述硅片W的边缘；

S503、按照设定的边缘抛光工艺要求，旋转圆边抛光鼓20，对所述硅片W进行边缘抛光。

需要说明的是，在具体实施时，在进行硅片W的边缘抛光时，抛光液的供应速度为1-5升每分钟(L/min)，真空吸盘10的转速为5-30rpm，圆边抛光鼓的转速为100-500rpm，每次持续抛光的时间小于90秒。

在这种情况下，在边缘抛光过程中供给抛光液时，由于挡板50的作用，能够使得抛光液直接滴落在所抛光的硅片W的边缘处，从而避免抛光液流经硅片W的表面，降低了抛光液可能对硅片W上表面造成的影响以及降低硅片W表面产生缺陷的可能性。

需要说明的是：本发明实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。