具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板包括衬底基板、设置于衬底基板上的第一金属层、设置于第一金属层上的第一绝缘层、设置于第一绝缘层上的第二金属层、设置于第二金属层上的第二绝缘层、以及设置于第二绝缘层上的像素电极层，所述阵列基板还包括多条公共走线和多条分压走线，所述公共走线由所述第一金属层或所述第二金属层图案化形成，所述分压走线由所述第一金属层或所述第二金属层图案化形成，所述公共走线在所述衬底基板上的正投影与所述分压走线在所述衬底基板上的正投影无重合。本申请实施例将公共走线在衬底基板上的正投影与分压走线在衬底基板上的正投影设置为无重合，使得公共走线与分压走线沿阵列基板厚度方向彼此错开，降低了公共走线与分压走线之间发生短路的风险。

下面结合具体实施例对本申请提供的阵列基板的结构特征进行说明。

在一种实施例中，请参阅图1至图4所示，其中，图1是本申请实施例提供的阵列基板的第一局部透视图，图2是本申请实施例提供的阵列基板的第二局部透视图，图3是图2所示的阵列基板在开关元件区域的第一种截面结构示意图，图4是图2所示的阵列基板在分压走线区域的第一种截面结构示意图。

所述阵列基板包括：衬底基板101、设置在所述衬底基板101上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一绝缘层102、设置在所述第一绝缘层102上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二绝缘层103、以及设置在所述第二绝缘层103上的像素电极层；其中，所述第一金属层包括扫描线Sc、分压走线S_Com、公共走线A_Com；所述第二金属层包括数据线Da；所述像素电极层包括像素电极P，所述像素电极P包括主像素电极P1和辅像素电极P2。

可选地，所述衬底基板101可以是玻璃基板等硬质基板，也可以是聚酰亚胺基板等柔性基板。所述衬底基板101与所述第一金属层之间还可以设置有缓冲层，用于缓解所述衬底基板101与所述第一金属层之间应力不匹配的问题，所述缓冲层可以包括多层有机材料层和无机材料层的组合膜层。

所述第一绝缘层102和所述第二绝缘层103由绝缘材料制作而成。可选地，所述第一绝缘层102和所述第二绝缘层103可以是通过化学气相沉积工艺制作形成的氮化硅层或氧化硅层等。

具体地，所述公共走线A_Com和所述分压走线S_Com均由所述第一金属层图案化形成，且所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影无重合，即在所述第一金属层中，所述公共走线A_Com的布线区域和所述分压走线S_Com的布线区域错开，从而避免了将公共走线和分压走线重叠设置时出现的短路问题，提升了阵列基板器件的可靠性。

进一步地，所述公共走线A_Com和所述分压走线S_Com平行，且所述公共走线A_Com和所述分压走线S_Com均沿第一方向X延伸，多条所述公共走线A_Com和多条所述分压走线S_Com均沿第二方向Y排列。可选的，所述第一方向X和所述第二方向Y是相互垂直的两个方向。

进一步地，每条所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影所围成的区域的形状包括方形，每条所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影所围成的区域的形状也包括方形。

需要说明的是，所述公共走线A_Com的作用是与所述像素电极P之间形成存储电容，以维持所述像素电极P产生的电场强度，具有方形结构的公共走线A_Com与像素电极P具有更多的重叠空间，更有利于形成稳定均匀的存储电容。所述分压走线S_Com的作用是拉低所述主像素电极P1的电压，具有方形结构的分压走线S_Com与主像素电极P1之间的重叠区域更多，有利于与主像素电极P1之间形成更多的电性连接，促进主像素电极P1产生稳定均匀的电场强度。

进一步地，每条所述公共走线A_Com包括：沿所述第一方向X延伸且沿所述第二方向Y排列的第一部分A1和第二部分A2、以及沿所述第二方向Y延伸且电性连接所述第一部分A1和所述第二部分A2的多个第三部分A3。具有上述结构的所述公共走线A_Com与所述像素电极P之间具有更多的重叠区域，有利于与所述像素电极P之间形成稳定均匀的存储电容。

每条所述分压走线S_Com包括：沿所述第一方向X延伸且沿所述第二方向Y排列的第四部分S1和第五部分S2、以及沿所述第二方向Y延伸且电性连接所述第四部分S1和所述第五部分S2的多个第六部分S3。具有上述结构的所述分压走线S_Com与所述主像素电极P1之间的重叠区域更多，有利于与主像素电极P1之间形成更多的电性连接，促进主像素电极P1产生稳定均匀的电场强度。

所述扫描线Sc沿所述第一方向X延伸，且多条所述扫描线Sc沿所述第二方向Y排列；所述数据线Da沿所述第二方向Y延伸，且多条所述数据线Da沿所述第一方向X排列。多条所述扫描线Sc与多条所述数据线Da交叉所围成每个方格区域对应一个像素区域，每个所述像素区域内均设置有一个所述主像素电极P1和一个所述辅像素电极P2。所述主像素电极P1和所述辅像素电极P2均可以是具有米字型分支的像素电极。

可选地，所述主像素电极P1和所述辅像素电极P2均是氧化铟锡电极。

进一步地，所述分压走线S_Com、所述公共走线A_Com和所述扫描线Sc均位于所述第一金属层，且所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述扫描线Sc在所述衬底基板101上的正投影无重合；所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述扫描线Sc在所述衬底基板101上的正投影无重合。

相邻两条所述扫描线Sc之间设置有一条所述公共走线A_Com和一条所述分压走线S_Com；其中，所述主像素电极P1在所述衬底基板101上的正投影与所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影至少部分重合，所述辅像素电极P2在所述衬底基板101上的正投影与所述走线公共A_Com在所述衬底基板101上的正投影至少部分重合。

进一步地，所述分压走线S_Com与所述主像素电极P1电性连接，所述分压走线S_Com用于将所述主像素电极P1的电压拉低，使所述主像素电极P1产生的电场强度不同于所述辅像素电极P2产生的电场强度。该阵列基板应用到液晶显示面板中时，本实施例的设计可以使得同一像素区域内的液晶分子产生不同的偏转角度，从而使液晶显示面板的可视化角度得到提升。

进一步地，沿所述第二方向Y设置于同一条所述扫描线Sc相对两侧的所述主像素电极P1和所述辅像素电极P2通过一开关元件K电性连接同一条所述数据线Da。所述主像素电极P1和所述辅像素电极P2接收所述数据线Da传输的数据信号而产生特定的电场强度，所述主像素电极P1在所述分压走线S_Com的作用下形成不同于所述辅像素电极P2的电场强度。

可选地，所述开关元件K可以是薄膜晶体管器件。具体地，所述开关元件K包括栅极G、沟道C、源极S、漏极D；所述栅极G设置于所述第一金属层，所述源极S和所述漏极D设置于所述第二金属层，所述沟道C设置于所述第一绝缘层102上，且所述源极S和所述漏极D分别对应连接于所述沟道C的相对两端。所述栅极G与所述扫描线Sc电性连接，所述源极S与所述数据线Da电性连接，所述漏极D与所述像素电极P电性连接，具体为，所述漏极D同时与所述主像素电极P1和所述辅像素电极P2电性连接。

在一种实施例中，请参阅图1、图2和图5，其中，图5是图2所示的阵列基板在分压走线区域的第二种截面结构示意图。图5所示的阵列基板与图3及图4所示的阵列基板具有相同或相似的结构特征，下面对图5所示的阵列基板的结构特征进行说明，其中未详述之处请参阅上述实施例的记载。

在本实施例中，所述阵列基板包括：衬底基板101、设置在所述衬底基板101上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一绝缘层102、设置在所述第一绝缘层102上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二绝缘层103、设置在所述第二绝缘层103上的第三金属层、设置于所述第三金属层上的第三绝缘层104、以及设置于所述第三绝缘层104上的像素电极层。

所述第一金属层包括扫描线Sc和分压走线S_Com；所述第二金属层包括公共走线A_Com，所述第三金属层包括数据线Da；所述像素电极层包括像素电极P，所述像素电极P包括主像素电极P1和辅像素电极P2。

进一步地，所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影无重合，即所述公共走线A_Com的布线区域和所述分压走线S_Com的布线区域错开，从而避免了将公共走线和分压走线重叠设置时出现的短路问题，提升了阵列基板器件的可靠性。

进一步地，所述公共走线A_Com和所述分压走线S_Com平行，且所述公共走线A_Com和所述分压走线S_Com均沿第一方向X延伸，多条所述公共走线A_Com和多条所述分压走线S_Com均沿第二方向Y排列。可选的，所述第一方向X和所述第二方向Y是相互垂直的两个方向。

进一步地，每条所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影所围成的区域的形状包括方形，每条所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影所围成的区域的形状也包括方形。

每条所述公共走线A_Com包括：沿所述第一方向X延伸且沿所述第二方向Y排列的第一部分A1和第二部分A2、以及沿所述第二方向Y延伸且电性连接所述第一部分A1和所述第二部分A2的多个第三部分A3。

每条所述分压走线S_Com包括：沿所述第一方向X延伸且沿所述第二方向Y排列的第四部分S1和第五部分S2、以及沿所述第二方向Y延伸且电性连接所述第四部分S1和所述第五部分S2的多个第六部分S3。

所述扫描线Sc沿所述第一方向X延伸，且多条所述扫描线Sc沿所述第二方向Y排列；所述数据线Da沿所述第二方向Y延伸，且多条所述数据线Da沿所述第一方向X排列。

所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述扫描线Sc在所述衬底基板101上的正投影无重合；所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述扫描线Sc在所述衬底基板101上的正投影无重合。

所述分压走线S_Com与所述主像素电极P1电性连接，所述分压走线S_Com用于将所述主像素电极P1的电压拉低，使所述主像素电极P1产生的电场强度不同于所述辅像素电极P2产生的电场强度。

进一步地，沿所述第二方向Y设置于同一条所述扫描线Sc相对两侧的所述主像素电极P1和所述辅像素电极P2通过一开关元件K电性连接同一条所述数据线Da。

在一种实施例中，请参阅图1、图2和图6，其中，图6是图2所示的阵列基板在分压走线区域的第三种截面结构示意图。图6所示的阵列基板与图3及图4所示的阵列基板具有相同或相似的结构特征，下面对图6所示的阵列基板的结构特征进行说明，其中未详述之处请参阅上述实施例的记载。

在本实施例中，所述阵列基板包括：衬底基板101、设置在所述衬底基板101上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一绝缘层102、设置在所述第一绝缘层102上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二绝缘层103、设置在所述第二绝缘层103上的第三金属层、设置于所述第三金属层上的第三绝缘层104、以及设置于所述第三绝缘层104上的像素电极层。

所述第一金属层包括扫描线Sc和公共走线A_Com；所述第二金属层包括分压走线S_Com，所述第三金属层包括数据线Da；所述像素电极层包括像素电极P，所述像素电极P包括主像素电极P1和辅像素电极P2。

进一步地，所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影无重合，从而避免了将公共走线和分压走线重叠设置时出现的短路问题，提升了阵列基板器件的可靠性。

进一步地，所述公共走线A_Com和所述分压走线S_Com平行，且所述公共走线A_Com和所述分压走线S_Com均沿第一方向X延伸，多条所述公共走线A_Com和多条所述分压走线S_Com均沿第二方向Y排列。

进一步地，每条所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影所围成的区域的形状包括方形，每条所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影所围成的区域的形状也包括方形。

每条所述公共走线A_Com包括：沿所述第一方向X延伸且沿所述第二方向Y排列的第一部分A1和第二部分A2、以及沿所述第二方向Y延伸且电性连接所述第一部分A1和所述第二部分A2的多个第三部分A3。

每条所述分压走线S_Com包括：沿所述第一方向X延伸且沿所述第二方向Y排列的第四部分S1和第五部分S2、以及沿所述第二方向Y延伸且电性连接所述第四部分S1和所述第五部分S2的多个第六部分S3。

所述扫描线Sc沿所述第一方向X延伸，且多条所述扫描线Sc沿所述第二方向Y排列；所述数据线Da沿所述第二方向Y延伸，且多条所述数据线Da沿所述第一方向X排列。

所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述扫描线Sc在所述衬底基板101上的正投影无重合；所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述扫描线Sc在所述衬底基板101上的正投影无重合。

所述分压走线S_Com与所述主像素电极P1电性连接，所述分压走线S_Com用于将所述主像素电极P1的电压拉低，使所述主像素电极P1产生的电场强度不同于所述辅像素电极P2产生的电场强度。

进一步地，沿所述第二方向Y设置于同一条所述扫描线Sc相对两侧的所述主像素电极P1和所述辅像素电极P2通过一开关元件K电性连接同一条所述数据线Da。

在一种实施例中，请参阅图1、图2、图7和图8所示，其中，图7是图2所示的阵列基板在开关元件区域的第二种截面结构示意图，图8是图2所示的阵列基板在分压走线区域的第四种截面结构示意图。

所述阵列基板包括：衬底基板101、设置在所述衬底基板101上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一绝缘层102、设置在所述第一绝缘层102上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二绝缘层103、以及设置在所述第二绝缘层103上的像素电极层。

所述第一金属层包括数据线Da；所述第二金属层包括扫描线Sc、分压走线S_Com、公共走线A_Com；所述像素电极层包括像素电极P，所述像素电极P包括主像素电极P1和辅像素电极P2。

所述公共走线A_Com和所述分压走线S_Com共同位于所述第二金属层上，且所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影无重合，从而避免了将公共走线和分压走线重叠设置时出现的短路问题，提升了阵列基板器件的可靠性。

进一步地，所述公共走线A_Com和所述分压走线S_Com平行，且所述公共走线A_Com和所述分压走线S_Com均沿第一方向X延伸，多条所述公共走线A_Com和多条所述分压走线S_Com均沿第二方向Y排列。

进一步地，每条所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影所围成的区域的形状包括方形，每条所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影所围成的区域的形状也包括方形。需要说明的是，具有方形结构的公共走线A_Com与像素电极P具有更多的重叠空间，更有利于形成稳定均匀的存储电容。具有方形结构的分压走线S_Com与主像素电极P1之间的重叠区域更多，有利于与主像素电极P1之间形成更多的电性连接，促进主像素电极P1产生稳定均匀的电场强度。

进一步地，每条所述公共走线A_Com包括：沿所述第一方向X延伸且沿所述第二方向Y排列的第一部分A1和第二部分A2、以及沿所述第二方向Y延伸且电性连接所述第一部分A1和所述第二部分A2的多个第三部分A3。

每条所述分压走线S_Com包括：沿所述第一方向X延伸且沿所述第二方向Y排列的第四部分S1和第五部分S2、以及沿所述第二方向Y延伸且电性连接所述第四部分S1和所述第五部分S2的多个第六部分S3。

所述扫描线Sc沿所述第一方向X延伸，且多条所述扫描线Sc沿所述第二方向Y排列；所述数据线Da沿所述第二方向Y延伸，且多条所述数据线Da沿所述第一方向X排列。多条所述扫描线Sc与多条所述数据线Da交叉所围成每个方格区域对应一个像素区域，每个所述像素区域内均设置有一个所述主像素电极P1和一个所述辅像素电极P2。

进一步地，所述分压走线S_Com、所述公共走线A_Com和所述扫描线Sc均位于所述第二金属层，且所述公共走线A_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述扫描线Sc在所述衬底基板101上的正投影无重合；所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影与所述扫描线Sc在所述衬底基板101上的正投影无重合。

相邻两条所述扫描线Sc之间设置有一条所述公共走线A_Com和一条所述分压走线S_Com；其中，所述主像素电极P1在所述衬底基板101上的正投影与所述分压走线S_Com在所述衬底基板101上的正投影至少部分重合，所述辅像素电极P2在所述衬底基板101上的正投影与所述走线公共A_Com在所述衬底基板101上的正投影至少部分重合。

进一步地，所述分压走线S_Com与所述主像素电极P1电性连接，所述分压走线S_Com用于将所述主像素电极P1的电压拉低，使所述主像素电极P1产生的电场强度不同于所述辅像素电极P2产生的电场强度。

进一步地，沿所述第二方向Y设置于同一条所述扫描线Sc相对两侧的所述主像素电极P1和所述辅像素电极P2通过一开关元件K电性连接同一条所述数据线Da。

所述开关元件K可以是薄膜晶体管器件。具体地，所述开关元件K包括沟道C、源极S、漏极D、栅极G；所述源极S和所述漏极D设置于所述第一金属层，所述栅极G设置于所述第二金属层，所述沟道C设置于所述衬底基板101上，且所述源极S和所述漏极D分别对应连接于所述沟道C的相对两端。所述栅极G与所述扫描线Sc电性连接，所述源极S与所述数据线Da电性连接，所述漏极D与所述像素电极P电性连接。

综上所述，本申请实施例提供的阵列基板包括衬底基板、设置于衬底基板上的第一金属层、设置于第一金属层上的第一绝缘层、设置于第一绝缘层上的第二金属层、设置于第二金属层上的第二绝缘层、以及设置于第二绝缘层上的像素电极层，所述阵列基板还包括多条公共走线和多条分压走线，所述公共走线设置在所述第一金属层或所述第二金属层，所述分压走线设置在所述第一金属层或所述第二金属层，所述公共走线在所述衬底基板上的正投影与所述分压走线在所述衬底基板上的正投影无重合。本申请实施例将公共走线在衬底基板上的正投影与分压走线在衬底基板上的正投影设置为无重合，使得公共走线与分压走线沿阵列基板厚度方向彼此错开，降低了公共走线与分压走线之间发生短路的风险。

本申请实施例还提供一种显示面板，请参阅图9，所述显示面板包括阵列基板10、与所述阵列基板10相对设置的对置基板30、以及设置于所述阵列基板10与所述对置基板30之间的液晶20，其中，所述阵列基板10是本申请上述实施例提供的任意一种阵列基板。

本申请实施例还提供一种包含所述显示面板的显示装置，该显示装置可以是电脑显示器、电视机、笔记本电脑、手机、导航仪等具有显示功能的器件。

需要说明的是，虽然本申请以具体实施例揭露如上，但上述实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。