具体实施方式

现结合实施例、附图对本发明作进一步描述：

对于发生极化效应导致探测性能较差的X射线光子计数探测器，极化效应的本质是晶体内的电场畸变和空间电荷区的形成，由于载流子陷获引起的电场畸变，对晶体内的电场分布和空间电荷进行了计算。估算发现：计数性能较差的探测器其电场线性变化系数高、空间电荷密度较高、电场畸变较大。通过偏压控制器，温度控制器，亚禁带光照射的外加激励有利于内建电场的减弱，前放上升沿时间减小，载流子收集效率提高，计数率增加。而对于不同的晶体其内部缺陷不同，通过对探测器进行计数率测试选出最合适的偏压，温度，亚禁带光。

探测器两端电极一端连接偏压控制器，一端连地。

探测下面放置温度测试保温板，温度测试保温板与温度控制器相连。

探测器正上方用亚禁带光照射，二者之间存在可观测窗口。

探测器放置在恒温恒压器之中。

温度控制器，偏压控制器直接与PC进行数据传输。

探测器在对X射线进行探测过程中，首先通过探测器所连接的偏压控制器对探测器施加一定的偏压，工作偏压的主要作用为减弱甚至消除电场畸变区反向内建电场的作用。且在一定的范围内随偏压增大前放上升沿时间显著减小，载流子收集效率提高，光机谱右移，阈值以上计数率增加。

其次，同时对探测器的工作温度进行控制，影响杂质和缺陷的热激发，增大去俘获。在温度较低时探测器晶体容易积累形成内建电场。温度升高有利于内建电场的减弱，前放上升沿时间减小，载流子收集效率提高，计数率增加。

最后，再对探测器用亚禁带光照射探测器，因其激发价带电子与缺陷能级上俘获的空穴复合，减小空穴的积累，使探测器电场畸变减弱，收集效率增大，计数率提高，且在一定的范围内光强的越大，性能提高越明显。

优选地，所述的偏压控制器偏压为负高压，偏压为-300～-600V。

优选地，所述的温度控制器控制温度为25～35℃。

优选地，所述的亚禁带光波长为1050nm～1550nm。

优选地，X射线管距离探测器的距离为40～50cm。

面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的符号表示相同或类似的组分或具有相同或类似功能的组分。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含所指的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”“第三”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或多个该特征。

本发明是一种提高X射线光子计数探测器计数特性的方法，因此偏压，温度与亚禁带光的选择都要与实际应用的X射线光子计数探测器性能对应。本发明的设计思路是：

首先对未用此方法的X射线光子计数探测器进行计数率测试，再对探测器施加-300～-600V在其中找出使探测器计数率提高最好的偏压，其次，选用上述偏压，对探测器在25～35℃的温度范围内进行计数测试，找出在上述偏压下提高计数率最显著的工作温度，保持偏压和温度不变，对探测器施加亚禁带光照射，找出在上述偏压与温度下提高计数率最显著的亚禁带光波长和强度。最后通过将三者通过各自控制器控制达到提高X射线光子计数探测器计数率的目的。

下面通过附图和实施例对本发明基于进一步说明：

实例1：对CdZnTeX射线光子计数探测器选择不同的偏压、温度、亚禁带光进行计数率测试。

方法结构示意图如图1所示，方法测试流程图如图6所示。本文中所采用的CdZnTe光子计数型探测器为16像素线阵探测器，探测器晶体尺寸为16.7×4.4×2mm³，像素电极尺寸为1.8×0.9mm²。将封装好的线阵光子计数型CdZnTe探测器与读出电路系统相连接，然后将计数率测试系统放入屏蔽铅室内，调整位置使其处于X射线源的正下方，探测器与X射线源的距离约为45cm，加负高压，使X射线从探测器阴极入射。设定光机管电压为80KV，管电流范围为0.01-0.6mA。测试结果如图2所示。

其他条件不变，测试不同工作偏压下两块CdZnTe探测器计数率随X射线剂量的变化，工作偏压范围为-300V～-600V，测试结果如图3所示。从图中得出-600V偏压时探测器计数率特性最好。保持在此偏压下，其他条件不变，测试不同工作温度下两块CdZnTe探测器计数率随X射线剂量的变化，工作温度范围为25～35℃，测试结果如图4所示。从图中得出33.3℃时探测器计数率特性最好。保持-600V偏压，33.3℃下其他条件不变，测试不同工作波长亚禁带光与强度下两块CdZnTe探测器计数率随X射线剂量的变化，测试结果如图5所示.对于1550nm以上和1050nm以下亚禁带光无明显影响，选用1200nm和1300nm亚禁带光以及按实际情况取不同的光强大小，光强越大改善越明显。