具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

请参阅图1至图7，本发明提供了一种基于金属银牺牲层的石墨烯转移方法，包括如下步骤：

S1:采用化学气相沉积法在金属基底上生长石墨烯，得到第一样片；

S2:将银均匀沉积在所述石墨烯上，得到第二样片；

S3:在所述第二样片上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，得到第三样片；

S4:用刻蚀液刻蚀掉所述第三样片中的所述金属基底，得到第四样片；

S5:将所述第四样片转移到目标基底上，得到第五样片；

S6:去除所述第五样片中的所述聚甲基丙烯酸甲酯，并刻蚀所述银。

具体的，采用化学气相沉积法在金属基底上生长石墨烯的步骤中：

所述金属基底为铜、镍、铂、钴、铁、钼、钌或铱，所述石墨烯为单层石墨烯、双层石墨烯或多层石墨烯。

具体的，将银均匀沉积在所述石墨烯上，得到第二样片的步骤包括：

用热碱清洗第一玻璃培养皿和第二玻璃培养皿；

用去离子水冲洗第一玻璃培养皿和第二玻璃培养皿；

用氮气枪将第一玻璃培养皿和第二玻璃培养皿吹干；

将所述第一样片固定在所述第二玻璃培养皿中，并将二者放入所述第一玻璃培养皿中；

将15～30ml质量分数为5％的银氨溶液倒入所述第二玻璃培养皿中；

将5～10ml量分数为17％的葡萄糖溶液倒入所述银氨溶液中，均匀混合；

所述第一玻璃培养皿放上加热台；

在所述第一玻璃培养皿中加入适量的水，并将加热台的温度设定为65～75℃；

对所述第一玻璃培养皿水浴加热，得到所述第二样片。

具体的，在所述第二样片上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯的步骤中：

旋涂的所述聚甲基丙烯酸甲酯的度为1.5～2.7um。

具体的，用刻蚀溶液刻蚀掉所述第三样片中的所述金属基底的步骤中：

所述刻蚀液的浓度为0.5～1mol/L，所述刻蚀液为过硫酸铵溶液、硝酸铁溶液或氯化铁溶液。

具体的，将所述第四样片转移到目标基底上的步骤中：

所述目标基底为硅片、氧化硅片、蓝宝石、玻璃片或陶瓷。

具体的，去除所述第五样片中的所述聚甲基丙烯酸甲酯，并刻蚀所述银的步骤中：

使用丙酮去除所述第五样片中的聚甲基丙烯酸甲酯，使用硝酸刻蚀所述第五样片中的所述银，从而完成所述石墨烯的转移。

所述基于金属银牺牲层的石墨烯转移方法与传统湿法刻蚀相比，传统的湿法刻蚀的石墨烯与聚甲基丙烯酸甲酯直接接触会造成石墨烯处于一个重P掺的状态，而本发明在石墨烯的便面上沉积了一层金属银，避免了这种情况的出现。

传统湿法刻蚀中的聚甲基丙烯酸甲酯极难去除，尽管在丙酮里面反复浸泡多次，还是会有聚甲基丙烯酸甲酯的残留，在显微镜下，聚甲基丙烯酸甲酯残留依然可见，本发明将所述银作为金属牺牲层，避免了转移过程中引入的有机物残留。

在传统刻蚀过程中，由于金属基底的刻蚀，柔性的聚甲基丙烯酸甲酯无法在刻蚀液中完全展开，在转移至目标基底过程中，造成石墨烯的褶皱，进而造成石墨烯的浪费，当存在一层金属牺牲层时就会使石墨烯完全展开来，便于石墨烯转移到目标基底上。

金属牺牲层的应用得益于银氨溶液和葡萄糖反应，产生的所述银均匀沉积在石墨烯表面，从而避免石墨烯在转移过程中被污染。