一种从等规聚1-丁烯本体中结晶生成晶型iii的方法
技术领域
本发明属于聚合物晶型调控
技术领域
，更加具体地说，涉及一种在等规聚1-丁烯本体中直接进行结晶得到晶型III的方法，通过该技术方法，可直接经熔体结晶得到晶型III。背景技术
等规聚1-丁烯(iPB-1)是以1-丁烯为原料，添加或不添加共聚单体，在特定催化剂体系下聚合得到的一种聚合物。聚1-丁烯是典型的多晶型聚合物代表之一，共有Ⅰ、Ⅰ’、Ⅱ、Ⅱ’、Ⅲ五种晶型结构。晶型III表现为一种由4/1螺旋链堆砌而成的正交晶胞结构，通常晶型III是通过溶液结晶制得的。因此如果能发展出一种有效地从等规聚1-丁烯本体中直接结晶得到晶型III的方法是非常有意义的。现有技术显示，溶液结晶、基体外延生长、等方法都可以直接得到晶型III，其熔点约为98℃，但没有报道显示可以直接从等规聚1-丁烯本体中结晶得到晶型III。
发明内容
本发明的目的在于弥补现有晶型III制备技术的不足，提供一种直接从等规聚1-丁烯本体中结晶生成晶型III的方法，通过添加合适的添加剂，为直接从等规聚1-丁烯本体中结晶生成晶型III提供了可行途径。
本发明的技术目的通过下述技术方案予以实现。
一种从等规聚1-丁烯本体中结晶生成晶型III的方法，按照下述步骤进行：将等规聚丁烯-1、抗氧剂，添加剂进行共混以分散均匀，加热熔融并挤出造粒，从而得到含晶型III结构的等规聚丁烯-1粒料，其中：等规聚丁烯-1用量为100质量份，抗氧化剂用量为0.3—0.5质量份，添加剂树枝状超支化聚酯用量为1—3质量份。
而且，等规聚丁烯-1的数均分子量27.4×105g/mol，分子量分布5.5。
而且，抗氧化剂由抗氧剂168和抗氧剂1098按照质量比2：1添加。
而且，添加剂树枝状超支化聚酯为脂肪族超支化聚酯hyper H104。
本发明提供的技术方法适用于iPB-1，通常情况下，其需要通过溶液结晶才能得到晶型III，而采用本发明提供的技术方法可直接从本体中结晶得到晶型III，并且通过DSC和WAXD测试，证明晶型III结构的存在。
附图说明
图1为本发明中含有晶型I和晶型III的样品的DSC熔融曲线图。
图2为本发明中含有晶型II和晶型III的样品的DSC熔融曲线图。
图3为本发明中含有晶型II和晶型III的样品的1D—WAXD图。
图4为本发明中含有晶型I和晶型III的样品的1D—WAXD图。
具体实施方式
下面结合具体实施例，对本发明作进一步的详细说明。
取等规聚丁烯-1粉料100份(山东东方宏业化工有限公司，数均分子量27.4×105g/mol，分子量分布5.5，每份1g)、抗氧剂0.5份(抗氧剂168和抗氧剂1098按照质量比2：1添加，天津利安隆新材料股份有限公司，每份1g)、添加剂树枝状超支化聚酯3份(武汉超支化树脂科技有限公司，hyper H104脂肪族超支化聚酯，每份1g)，进行共混，利用双螺杆挤出机(SHJ-20B，南京杰恩特)挤出造粒，得到等规聚丁烯-1，挤出机温度设定如下，一区：140℃；二区：170℃；三区：180℃；四区：180℃；五区：180℃；六区：180℃；七区：180℃；八区：180℃。
称量7mg样品，放入铝制坩埚后放入DSC(LNP95，Linkam)设备中，以10℃/min升温到150℃并恒温5min，然后以30℃/min降温到30℃，再次以10℃/min升温到150℃并恒温5min，两次升温过程得到的熔融曲线如图1和图2所示。第一次升温过程为消除热历史过程，通过样品的熔融曲线，如图1所示，可以观察到98℃处的熔融峰，通过第二次升温得到的熔融曲线，如图2所示，可以观察到98℃处的熔融峰。这两处98℃左右处的熔融峰(98—99℃)，即为晶型III的熔融峰，表明有晶型III生成。
将适量样品放入剪切热台，以10℃/min升温到150℃并恒温5min，然后以30℃/min降温到30℃，制得片状样品，然后立即进行WAXD测试，条件为：波长为0.154nm，扫描范围为5°～30°，扫描速率为6°/min，制得样品片后，立即进行WAXD测试，得到扫描曲线得到的1D-WAXD图3所示，2θ＝11.9°处的峰表示晶型II和晶型III的衍射峰，因为距离较近，且晶型III的含量较少，所以晶型II和晶型III的衍射峰发生重合；将片状样品静置于室温下两周，再次以相同条件进行WAXD测试，得到的1D-WAXD图4所示，2θ＝12.5°处的峰表示晶型III的衍射峰，2θ＝10.0°处的峰表示晶型I的衍射峰，晶型I由晶型II经过两周的时间转变而来。
依照本发明内容记载的内容，向iPB-1粉料中加入抗氧剂、添加剂之后，进行挤出造粒，可得到含有晶型III结构的iPB-1材料。通过DSC和WAXD测试，证明可以直接从等规聚1-丁烯本体中结晶生成晶型III。以上对本发明做了示例性的描述，应该说明的是，在不脱离本发明的核心的情况下，任何简单的变形、修改或者其他本领域技术人员能够不花费创造性劳动的等同替换均落入本发明的保护范围。
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